非易失存储器结构及其形成方法技术

技术编号:3178651 阅读:167 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种非易失存储器结构的制造方法和一种非易失存储器结构,该非易失存储器结构包括多个电荷存储图案,其中相邻电荷存储图案之间的电耦合距离(Lc)大于相邻电荷存储图案之间的直接几何距离(Ls)。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种非易失存储器结构,包括:多个电荷存储图案,其中相邻电荷存储图案之间的电耦合距离大于相邻电荷存储图案之间的直接几何距离。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:李云京
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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