【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种改善半导体制造工艺中高温诱生滑移缺陷的方法，其特征在于：在现有的氧化／扩散工艺流程中实施外延步骤后，进行低温处理，时间为４～５小时，温度为４００～６５０℃。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王乐，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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