制造双栅极FET的方法技术

本发明专利技术提出了一种使用传统半导体工艺技术制造超短长度双栅极ＦＥＴ的方法，具有非常小且可再现的鳍，其间距和宽度比利用光刻技术可以获得的间距和宽度小。在衬底（１）上的凸起物（２）上形成第一层（３）和第二层（４），随后暴露出凸起物（２）的顶部表面。将第一层（３）的一部分相对于凸起物（２）和第二层（４）选择性地去除，从而产生鳍（６）和沟槽（５）。同样，本发明专利技术用于形成多个鳍（６）和沟槽（５）。通过在沟槽（５）中形成栅极电极（７）以及源极和漏极区来产生双栅极ＦＥＴ。另外，提出制作具有可以单独进行偏置的两个栅极电极的超短长度不对称双栅极ＦＥＴ的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于制造双栅极ＦＥＴ的方法，包括步骤：在衬底（１）上形成第一半导体材料的凸起物（２）；在凸起物（２）上形成第一材料的第一层（３）；在第一层（３）上形成第二半导体材料的第二层（４）；去处第一层（３）和第二层 （４）以暴露凸起物（２）的顶部表面；将第一材料相对于第一和第二半导体材料选择性地去除至预定深度，以在凸起物（２）和第二层（４）之间形成沟槽（５）和鳍（６），所述鳍（６）与沟槽（５）相邻并且包括第二层（４）；在沟槽（５）和鳍（ ６）的已暴露表面上形成绝缘层（９、１９）；以及在绝缘层（９、１９）上形成导电材料层（７、１７），从而形成栅极电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦伯D范诺尔特，弗朗西斯库斯P威德斯霍芬，拉杜芬尔代亚努，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]