一种基材处理设备,其包括:处理单元,包括供应并储存处理溶液的处理槽和用于将处理溶液供应到该处理槽的处理溶液供应装置;以及干燥单元,包括供应并注入流体的干燥槽和用于将流体供应到该干燥槽的流体供应装置,其中该流体供应装置包括用于在将该流体供应到该干燥槽之前过滤该流体的过滤器和用于加热该过滤器的第一加热器。根据这种基材处理设备,抑制了因供应固化的干燥流体到干燥槽所引起的颗粒生成,从而可以没有问题地处理基材。其结果是,生产性和产率增大。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基材处理设备和基材处理方法。更具体而言,本发 明涉及一种包括上下布置的处理槽和干燥槽的基材处理设备以及使用这 种设备的基材处理方法。
技术介绍
在半导体器件的制造中,己经使用清洁设备来除去附着到目标物体 (下文称作基材)如半导体晶片或LCD有机基材表面上的颗粒,如有机 污染物和金属杂质。在清洁设备中,湿式清洁设备由于其去除颗粒的高 效性和其较高的生产能力而被越来越多地使用。常规湿式清洁设备用于 进行化学品处理、水清洁处理和干燥处理。然而,处理槽和干燥槽的单 独安装使设备尺寸增大,造成颗粒可能会附着到暴露在空气中并将被转 移的晶片上。因此,为防止设备尺寸增大以及有效地对基材进行处理,进行了多 种尝试。基材处理设备的一种改进例子记载在韩国专利公开No. 1998-25068中。这种改进的基材处理设备包括单独上下布置的处理槽和 干燥槽。晶片在处理槽中化学处理后,在干燥槽中干燥。通常,改进的基材处理设备使用异丙醇(IPA)作为干燥流体。在流进 干燥槽中之前,IPA可能固化。固化的IPA可能被注入并附着到基材上 而起到颗粒作用
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提供 一 种基材处理设备。在示例性实施例中, 所述基材处理设备可以包括处理单元,包括处理槽和用于将处理溶液 供应到所述处理槽的处理溶液供应装置;以及干燥单元,包括干燥槽和 用于将流体供应到所述干燥槽的流体供应装置,其中所述流体供应装置 包括用于在将所述流体供应到所述干燥槽之前过滤所述流体的过滤器和 用于加热所述过滤器的第一加热器。在另-一个示例性实施例中,所述基材处理设备可以包括处理槽; 安装在所述处理槽内部并用于将处理溶液注入所述处理槽的处理溶液注 入嘴;置于所述处理槽外侧上部并具有打开的顶部和底部的干燥槽,其 中在所述打开的底部和所述处理槽之间设有滑动门,在所述打开的顶部 上设有盖子;用于支撑所述基材并在所述处理槽和所述干燥槽之间转移 所述基材的基材支撑件;置于所述干燥槽内部并用于将干燥所述基材用 的气体注入所述干燥槽的气体注入嘴;置于所述干燥槽外部并用于过滤 所述气体的过滤器;以及包围所述过滤器并用于加热所述过滤器的加热 套。本专利技术的示例性实施例提供一种基材处理方法。在示例性实施例中, 所述基材处理方法可以包括将基材放入干燥槽中;将所述基材从所述 千燥槽转移到处理槽;将处理溶液供应到所述处理槽以处理所述基材; 将经处理的基材转移到所述干燥槽;将流体供应到所述干燥槽以千燥所 述基材,其中在将所述流体供应到所述干燥槽之前,加热所述流体以防 止所述流体固化;以及取出经干燥的基材。在另一个示例性实施例中,所述基材处理方法可以包括将基材放 入干燥槽中;通过过滤器过滤第一流体并将经过滤的第一流体供应到所 述干燥槽以第一次干燥所述基材;通过过滤器过滤第二流体并将经过滤 的第二流体供应到所述干燥槽以第二次干燥所述基材;以及加热所述过 滤器以防止所述第一流体和第二流体中的至少一种在所述过滤器固化。附图说明图1是本专利技术的基材处理设备的结构图。 图2是图1所示的基材处理设备的一部分的立体图。图3是图2的部分放大图。图4是显示本专利技术的基材处理方法的流程图。具体实施方式下面参考显示本专利技术优选实施例的附图,将更完整地描述本专利技术。 然而,可以以许多不同的形式体现本专利技术,并且不应当认为本专利技术限制 于在此描述的实施例。相反,提供这些实施例将使本
技术实现思路
清楚、宂 整,并向本领域技术人员充分表达本专利技术的范围。相同的附图标记始终 表示相同的元件。本专利技术的基材处理设备100示于图1。参见图l,基材处理设备100 包括用于使用处理溶液对基材131进行湿法处理的处理单元140和置于 处理单元140外侧上部以使用干燥流体干燥湿法处理的基材131的干燥 单元110。在该实施例中,基材131可以是半导体晶片、LCD基材、玻 璃基材等中的任一种。处理单元140包括处理槽141,用于接收由基材支撑件130所支撑 的并且直立的多个基材131。喷嘴144置于处理槽141的相对下侧,用于 将处理溶液供应到处理槽141。根据阀146和阀147是打开还是关闭,将 混合溶液或去离子水(DIW)供应到喷嘴144。混合溶液包括化学品,例如, HF、 HC1或NH4。回收槽142置于处理槽141外部,用于回收从处理槽141溢出的处 理溶液。回收到回收槽142的处理溶液在被再供应到喷嘴144之前通过 阀145和阀147、泵148和过滤器149流通。根据阀145是打开还是关闭, 回收到回收槽142的处理溶液被流通或排出。排出孔143形成在处理槽 141的最下部。当阀143A打开时,供应到处理槽141的处理溶液通过排 出孔143排放到处理槽141的外部。由于化学品的原因,处理槽141可 能充满有害气体或烟雾或从干燥槽111供应到处理槽141的干燥流体。 因此,可借助于阀151和节气阀152排放处理槽141中的有害气体或烟 雾或干燥流体。干燥单元110包括干燥槽lll,用于接收由基材支撑件130支撑的多个基材131。基材支撑件130在处理槽141和干燥槽111之间上升或下降, 以将基材131运送到干燥槽111或处理槽141。盖子113置于干燥槽111顶部,滑动门119置于其底部。当打开盖 子113时,基材131被放入干燥槽111中。当打开滑动门119时,基材 131从干燥槽111被转移到处理槽141,反之亦然。当打开阀153和阀154 时,干燥槽111中的气体通过滑动门119排放到外部。干燥槽111设有喷嘴112,用于将干燥流体如IPA和氮气(N2)供应到 干燥槽lll。以向下流动方式供应干燥流体。干燥流体可以是有机溶剂, 它们可以在水中溶解并用于降低基材上的去离子水(DIW)的表面张力,如 IPA、醇类、酮类(例如,二乙基酮)、醚类(例如,甲基醚或乙基醚)。可 以用不活泼气体如氦气或氩气代替氮气。使用气相氮气,将液相IPA供应到蒸发器114进行蒸发。在供应到 喷嘴112之前,由加热器116加热蒸发的IPA。氮气可以在加热的同时供 应到蒸发器114。阀117控制是否将干燥流体(IPA和N2的混合流体)供应 到喷嘴112。在将干燥流体供应到喷嘴112之前,通过过滤器118过滤干 燥流体的杂质。在供应到喷嘴112之前,干燥流体可能在过滤器118固化。在IPA 的供应量增大的情况下(例如,400 ml/min或更大),IPA可能在未完全蒸 发的同时供应到喷嘴112。未完全蒸发的IPA可能在过滤器118固化。如 果将固化的IPA供应到干燥槽lll,那么其可能附着到基材131上而起到 颗粒作用。加热器120用于加热过滤器118,以抑制IPA在过滤器118 的固化。如下所述,加热器120是包围过滤器118的被称作护套式加热 器的加热器。加热器120接收电力产生热。图2是图1所示的基材处理设备100的一部分的放大立体图,图3 是图2所示的加热器120的部分放大图。参见图2和图3,加热器120可以是包围过滤器118的被称作护套 式加热器或加热套的加热器。加热器120包括护套123和加热垫121。加 热垫121与过滤器118的外表面118A接触。加热线122设在加热垫121 上。加热线122由导热材料如镍或镍铬合金制成。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基材处理设备,其包括:处理单元,包括处理槽和用于将处理溶液供应到所述处理槽的处理溶液供应装置;以及干燥单元,包括干燥槽和用于将流体供应到所述干燥槽的流体供应装置,其中所述流体供应装置包括用于在将所述流体供应到所述 干燥槽之前过滤所述流体的过滤器和用于加热所述过滤器的第一加热器。
【技术特征摘要】
KR 2006-9-12 10-2006-00879401. 一种基材处理设备,其包括处理单元,包括处理槽和用于将处理溶液供应到所述处理槽的处理 溶液供应装置;以及干燥单元,包括干燥槽和用于将流体供应到所述干燥槽的流体供应其中所述流体供应装置包括用于在将所述流体供应到所述干燥槽之 前过滤所述流体的过滤器和用于加热所述过滤器的第一加热器。2.如权利要求1所述的基材处理设备,其中所述第一加热器包括包 围所述过滤器的护套式加热器。3.如权利要求2所述的基材处理设备,其中所述护套式加热器包括: 与所述过滤器的表面接触并包括加热线的加热垫;以及 包围所述加热垫并由柔性绝缘材料制成的护套。4.如权利要求1所述的基材处理设备,还包括用于在将所述流体供应到所述过滤器之前蒸发所述流体的蒸发器;以及用于加热蒸发的流体的第二加热器。5. —种基材处理设备,其包括 处理槽;安装在所述处理槽内部并用于将处理溶液注入所述处理槽的处理溶 液注入嘴;置于所述处理槽外侧上部并具有打开的顶部和底部的干燥槽,其中 在所述打开的底部和所述处理槽之间设有滑动门,在所述打开的顶部上 设有盖子;用于支撑所述基材并在所述处理槽和所述干燥槽之间转移所述基材 的基材支撑件;置于所述干燥槽内部并用于将干燥所述基材用的气体注入所述干燥 槽的气体注入嘴;置于所述干燥槽外部并用于过滤所述气体的过滤器;以及 包围所述过滤器并用于加热所述过滤器的加热套。6. 如权利要求5所述的基材处理设备,其中所述气体包括用于第一 次干燥所述基材的不活泼气体及有机溶剂的混合气体和用于第二次干燥 所述基材的不活泼气体。7. 如权利要求5所述的基材处理设备,其中所述处理溶液包括用于 化学处理所述基材的第一处理溶液和用于漂洗经化学处理的基材的第二 处理溶液。8. 如权利要求5所述的基材处理设备,还包括回收槽,置于所述处理槽外部,用于回收从所述处理槽溢出的被供 应的处理溶液;以及处理溶液回收装...
【专利技术属性】
技术研发人员:秋永浩,郑惠善,
申请(专利权)人:细美事有限公司,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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