半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括由封装树脂封装的半导体芯片，本发明专利技术的目的是提供一种可以减小尺寸的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体芯片（１５）；外部连接端子焊盘（１８），其与所述半导体芯片（１５）电连接；封装树脂（１６），其用于封装半导体芯片（１５），其中，外部连接端子焊盘（１８）形成于配线图案（１２）上面，该配线图案（１２）设置在半导体芯片（１５）和外部连接端子焊盘（１８）之间，半导体芯片（１５）倒装结合到所述配线图案（１２）上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地涉及包括由封 装树脂封装的半导体芯片的。
技术介绍
在传统半导体器件中，存在这样一种半导体器件，其中，为了 实现小型化而从中除去了核心基板(例如，参见图1)。图1是传统半导体器件的横截面图。在图1中，J表示在半导体芯片IO上形成的封装树脂103的厚度(下文称之为厚度J)。参考附图l，传统半导体器件100包括芯片固定树脂101、半导 体芯片102、封装树脂103、外部连接端子104和金(Au)线105。芯片固定树脂101用于将半导体芯片102固定在后面描述的金 属板110 (见图5)上。芯片固定树脂101的底面101A与封装树脂 103的底面103A基本齐平。半导体芯片102以面朝上的方式固定在芯片固定树脂101上。 半导体芯片102具有电极片107。电极片107通过金(Au)线105 与外部连接端子104连接。也就是说，半导体芯片102引线接合到外 部连接端子104。设置封装树脂103以便封装半导体芯片102和金(Au)线105。 封装树脂103具有凸起部108，该凸起部108从封装树脂103的底面 103A突出。设置外部连接端子104以便覆盖凸起部108。外部连接端子104 通过金(Au)线105电连接到半导体芯片102。图2到图6是示出传统半导体器件的制造步骤的视图。在图2 到图6中，任何与图1所示的半导体器件100相同的构成部分由相同 的附图标记表示。下面将参考图2到图6描述传统半导体器件100的制造方法。 在图2所示的制造步骤中，在金属板110上形成凹入部111。接着，在图3所示的制造步骤中，在金属板110上形成阻挡膜113，该阻挡 膜具有开口 U3A从而仅露出凹入部111，然后，通过电解镀法在金 属板110上与凹入部111对应的区域中沉积镀膜，从而形成外部连接 端子104。在图4所示的随后的制造步骤中，除去阻挡膜U3。接下来，在图5所示的制造步骤中，通过芯片固定树脂101以 面朝上的方式将半导体芯片102固定在金属板110上，随后，通过金 (Au)线105连接(引线接合)电极片107和外部连接端子104。接下来，在图6所示的制造步骤中，在金属板110上形成封装 半导体芯片102和金线105的封装树脂103。随后，通过除去金属板 110完成如图1所示的半导体器件100 (例如，参见专利文献1: JP-A-9-162348)。然而，在传统半导体器件100中，由于半导体芯片102和外部 连接端子104引线接合，并且金(Au)线105的多个部分设置在半 导体芯片102上方，所以为了封装金线105的这些部分，在半导体 102上形成的封装树脂103的厚度J必须较大(具体地说，至少为 150pm)。这使得半导体器件IOO较厚，因此存在这样的问题，即难 以实现半导体器件100的小型化。
技术实现思路
相应地，考虑到上述问题而做出本专利技术，本专利技术的目的是提供 一种可以小型化的。根据本专利技术的第一方面，提供一种半导体器件，包括半导体芯片；外部连接端子焊盘，其与所述半导体芯片电连接；封装树脂，其用于封装所述半导体芯片；以及配线图案，其上安装有所述外部连接端子焊盘，所述配线图案设置在所述半导体芯片和所述外部连接端子焊盘之间；其中所述半导体芯片倒装结合到所述配线图案的朝向所述半导体芯 片的部分上。根据本专利技术，通过将设置有所述外部连接端子焊盘的配线图案 设置在所述半导体芯片和所述外部连接端子焊盘之间，并将所述半导 体芯片倒装结合到所述配线图案的朝向所述半导体芯片的部分上，可 以减小设置在所述半导体芯片上方的所述封装树脂的厚度，这样，可 以实现所述半导体器件的小型化(具体地说，减小所述半导体器件在 厚度方向上的尺寸)。根据本专利技术的第二方面，提供一种半导体器件的制造方法，所 述半导体器件包括半导体芯片，其上设置有内部连接端子；外部连 接端子焊盘，其电连接到所述半导体芯片上；封装树脂，其封装所述 半导体芯片；以及配线图案，其设置在所述半导体芯片和所述外部连 接端子焊盘之间，并电连接到所述半导体芯片上，所述方法包括金属层层压步骤，其用于在构成支撑板的金属板上依次层压第 一金属层和第二金属层；配线图案形成步骤，其用于蚀刻所述第二金属层以形成所述配 线图案；各向异性导电树脂形成步骤，其用于在所述第一金属层上形成 各向异性导电树脂，以覆盖所述配线图案；以及半导体芯片结合步骤，其用于将所述半导体芯片按压在所述各 向异性导电树脂上，以使得所述内部连接端子与所述配线图案压力结 合，从而将所述半导体芯片倒装结合到所述配线图案上。此外，根据本专利技术的第三方面，提供一种半导体器件的制造方 法，所述半导体器件包括半导体芯片，其上设置有内部连接端子； 外部连接端子焊盘，其电连接到所述半导体芯片上；封装树脂，其封 装所述半导体芯片；以及配线图案，其设置在所述半导体芯片和所述 外部连接端子焊盘之间，并电连接到所述半导体芯片上，所述方法包括配线图案形成步骤，其用于蚀刻所述第三金属层以形成所述配 线图案；各向异性导电树脂形成步骤，其用于在所述第一金属层上形成 各向异性导电树脂，以覆盖所述配线图案；以及半导体芯片结合步骤，其用于将所述半导体芯片按压在所述各 向异性导电树脂上，以使得所述内部连接端子与所述配线图案压力结 合，从而将所述半导体芯片倒装结合到所述配线图案上。根据本专利技术，在所述第一金属层上形成所述各向异性导电树脂 以覆盖所述配线图案，然后，通过将所述半导体芯片按压在所述各向 异性导电树脂上，以使得所述内部连接端子和所述配线图案压力结 合，从而将所述半导体芯片倒装结合到所述配线图案上，可以减小设 置在所述半导体芯片上方的所述封装树脂的厚度，从而可以实现所述 半导体器件的小型化(具体地说，减小所述半导体器件在厚度方向上的尺寸)。此外，通过采用所述各向异性导电树脂，与采用一般绝缘树脂 的情况相比，按压所述半导体芯片的压力更小，这样可以更容易地制 造所述半导体器件。根据本专利技术的第四方面，提供一种半导体器件的制造方法，所 述半导体器件包括半导体芯片，其上设置有内部连接端子；外部连 接端子焊盘，其电连接到所述半导体芯片上；封装树脂，其封装所述 半导体芯片；以及配线图案，其设置在所述半导体芯片和所述外部连接端子焊盘之间，并电连接到所述半导体芯片上， 所述方法包括金属层形成步骤，其用于在构成支撑板的金属板上依次层压第 一金属层和第二金属层；配线图案形成步骤，其用于蚀刻所述第二金属层以形成所述配 线图案；绝缘树脂形成步骤，其用于在所述第一金属层上形成绝缘树脂， 以覆盖所述配线图案；以及半导体芯片结合步骤，其用于将所述半导体芯片按压在所述绝缘树脂上，以使得所述内部连接端子与所述配线图案压力结合，从而 将所述半导体芯片倒装结合到所述配线图案。此外，根据本专利技术的五方面，提供一种半导体器件的制造方法， 所述半导体器件包括半导体芯片，其上设置有内部连接端子；外部连接端子焊盘，其电连接到所述半导体芯片上；封装树脂，其封装所 述半导体芯片；以及配线图案，其设置在所述半导体芯片和所述外部 连接端子焊盘之间，并电连接到所述半导体芯片上， 所述方法包括金属层形成步骤，其用于在构成支撑板的金属板上依次层压第 一金属层、第二金属层和第三金属层；配线图案形成步骤，其用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体芯片；外部连接端子焊盘，其与所述半导体芯片电连接；封装树脂，其用于封装所述半导体芯片；以及配线图案，其上设置有所述外部连接端子焊盘，所述配线图案设置在所述半导体芯片和所述外部连接端子焊盘之间；其中，所述半导体芯片倒装结合到所述配线图案的朝向所述半导体芯片的部分上。

【技术特征摘要】
JP 2006-9-26 2006-2609491.一种半导体器件，包括半导体芯片；外部连接端子焊盘，其与所述半导体芯片电连接；封装树脂，其用于封装所述半导体芯片；以及配线图案，其上设置有所述外部连接端子焊盘，所述配线图案设置在所述半导体芯片和所述外部连接端子焊盘之间；其中，所述半导体芯片倒装结合到所述配线图案的朝向所述半导体芯片的部分上。2. —种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括半导 体芯片，其上设置有内部连接端子；外部连接端子焊盘，其与所述半 导体芯片电连接；封装树脂，其用于封装所述半导体芯片；以及配线 图案，其设置在所述半导体芯片和所述外部连接端子焊盘之间，并电 连接到所述半导体芯片上，所述方法包括金属层层压步骤，其用于在构成支撑板的金属板上依次层压第 一金属层和第二金属层；配线图案形成步骤，其用于蚀刻所述第二金属层以形成所述配 线图案；各向异性导电树脂形成步骤，其用于在所述第一金属层上形成 各向异性导电树脂，以覆盖所述配线图案；以及半导体芯片结合步骤，其用于将所述半导体芯片按压在所述各 向异性导电树脂上，以使得所述内部连接端子与所述配线图案压力结 合，从而将所述半导体芯片倒装结合到所述配线图案上。3. 根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中， 所述第一金属层是蚀刻所述第二金属层时的阻蚀层。4. 根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，还包括 在形成所述封装树脂之后执行如下步骤 金属板除去步骤，其通过蚀刻除去所述金属板；以及 外部连接端子焊盘形成步骤，其使所述第一金属层图案化以形成所述外部连接端子焊盘。5. 根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中， 所述第一金属层是蚀刻所述金属板时的阻蚀层。6. —种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括半导体 芯片，其上设置有内部连接端子；外部连接端子焊盘，其与所述半导 体芯片电连接；封装树脂，其用于封装所述半导体芯片；以及配线图 案，其设置在所述半导体芯片和所述外部连接端子焊盘之间，并电连 接到所述半导体芯片上，所述方法包括金属层形成步骤，其用于在构成支撑板的金属板上依次层压第 一金属层和第二金属层；配线图案形成步骤，其用于蚀刻所述第二金属层以形成所述配 线图案；绝缘树脂形成步骤，其用于在所述第一金属层上形成绝缘树脂， 以覆盖所述配线图案；以及半导体芯片结合步骤，其用于将所述半导体芯片按压在所述绝 缘树脂上，以使得所述内部连接端子与所述配线图案压力结合，从而 将所述半导体芯片倒装结合到所述配线图案上。7. 根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中， 所述第一金属层是蚀刻所述第二金属层时的阻蚀层。8. 根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，还包括在形成所述封装树脂之后执行如下步骤金属板除去步骤，其通过蚀刻除去所述金属板；以及 外部连...

【专利技术属性】
技术研发人员：山野孝治，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]