半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，包含：将与多个半导体装置对应的多个引线形成在导电体薄片上的步骤；在上述导电体薄片的规定位置上配置多个单体元件的步骤；用焊丝连接上述半导体元件的焊盘和上述引线的步骤；将上述焊丝在树脂密封时弯曲到流入型模的树脂的流路的上游一侧的步骤；对上述半导体元件、上述引线、上述焊丝进行树脂密封的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。技术背景对于安装在便携电话机或PDA (个人数字助理)等的电子设备 中的半导体装置的小型化进行了各种各样的尝试。例如，在专利文献1中公开了，在引线框上以倒装(facedown)方式安装半导体芯片， 通过将引线框的岛部的背面一侧露出到封装表面，抑制在电容式麦克 风等中使用的接合型场效应晶体管(J-EFT)的外围设备的封装高度 的技术。此外例如在专利文献2中，公开了在具备半导体元件安装区 域、以一端位于该区域的附近的方式配置的多个引线、在安装在上述 区域上的上述引线的至少一个上经由键合焊丝电气连接的半导体芯 片、在覆盖半导体芯片的同时将引线的外侧端部露出到外部的树脂封 装的半导体装置中，将树脂封装的全高度设置在小于等于0.33mm(参照特开2003-218288号公报、特开2005-167004号公报)。伴随近年的电子设备的小型化/多功能化的需求，对于安装在它 们上的半导体装置也要求进一步小型化。例如，在电容式麦克风中使 用的J-FET的封装中，厚度要求小于等于0.30111111，要求半导体装置 的厚度进一步減薄的技术。
技术实现思路
本专利技术的一个侧面的包含在导电体薄片 上形成与多个半导体装置对应的多个引线的步骤；在上述导电体薄片 的规定位置上配置多个半导体元件的步骤；用键合焊丝连接上述半导 体元件的键合焊盘和上述引线的步骤；使上述键合焊丝弯曲到在树脂 密封时流入型模的树脂流路的上游一侧的步骤；对上述半导体元件、 上述引线、上述键合焊丝进行树脂密封的步骤。对于本专利技术的其他的特征通过附图以及本说明书的记栽而明确。附图说明为了更完全理解本专利技术及其优点，希望一同参照以下的说明和附图。图1A是作为本专利技术的一种实施方式说明的半导体装置1的外观 立体图。图1B是作为本专利技术的一种实施方式说明的半导体装置1的剖面图。图1C是作为本专利技术的一种实施方式说明的半导体装置1的平面图。图2是表示作为本专利技术的一种实施方式说明的半导体装置1的制 造步骤的图。图3A是在作为本专利技术的一种实施方式说明的引线形成步骤210 中，说明背面切削步骤的图。图3B是在作为本专利技术的一种实施方式说明的引线形成步骤210 中，说明背面冲孔步骤的图。图3C是在作为本专利技术的一种实施方式说明的引线形成步骤210 中，说明表面沖孔步骤的图。图3D是在作为本专利技术的一种实施方式说明的引线形成步骤210 中，说明切断步骤的图。图3E是表示通过芯片焊接步骤211将J-FET11安装(芯片焊接) 在薄壁部101a上后的状态的图。图4是表示在作为本专利技术的一种实施方式说明的经过了引线形 成步骤210后的导电体薄片20的平面图。图5A是表示作为本专利技术的一种实施方式说明的焊丝键合步骤 212的最初步骤的图。图5B是表示接着图5A的步骤的图。图5C是表示接着图5B的步骤的图。图5D是表示接着图5C的步骤的图。图5E是表示接着图5D的步骤的图。图5F是表示接着图5E的步骤的图。图5G是表示接着图5F的步骤的图。图5H是表示接着图5G的步骤的图。图5I是表示接着图5H的步骤的图。图5J是表示接着图51的步骤的图。图5K是表示接着图5J的步骤的图。图5L是表示接着图5K的步骤的图。图5M是表示接着图5L的步骤的图。图6是表示在作为本专利技术的一种实施方式说明的、设置于模塑装 置中的导电体薄片20上，模塑树脂13从罐62流入的状态的图。图7是表示作为本专利技术的一种实施方式说明的键合焊丝12a、 12b 的状态的图。图8是表示将经过作为本专利技术的一种实施方式说明的树脂密封 步骤213后的导电体薄片20在上下重叠起来的状态的图。具体实施方式通过本说明书以及附图的记栽，至少以下的事项可以明白。 图1A表示作为本专利技术的一种实施方式说明的电子器件即半导体 装置1的外观立体图。在本实施方式中说明的半导体装置1是在安装 于便携电话机或PDA等小型电子设备上的驻极体电容式麦克风 (C-MIC)模块中采用的扁平(flat)引线封装，安装在内部的元件 是3端子型的双极型晶体管或场效应晶体管等，在此由与接合型场效 应晶体管(J-FET)的漏电极、栅电极、源电极的各自对应的3个引 线101、 102、 103露出的矩形形状的树脂封装构成。半导体装置l的 外形尺寸是长1.0mm，宽0.6mm，厚度0.27mm，与以往的半导体装 置l相比非常薄。图1B表示半导体装置1的剖面图，图1C表示半导体装置1的 平面图。如这些图所示，半导体装置l具有立方体形的J-FET11 (半 导体元件)；与J-FET11的3个端子连接的3个引线101、 102、 103。将J-FET11安装在引线101的+Z —侧表面上，将J-FET11的底 面(漏电极)和引线IOI电气连接。设置在J-FETll的+Z—侧表面 上的鍵合焊盘lla (源电极)和引线102用键合焊丝12a电气连接。 设置在J-FET11的+Z —侧表面上的键合焊盘lib (栅电极)和引线 103用键合焊丝12b电气连接。而后J-FETll、键合焊丝12a、 12b 的全体以及引线101、 102、 103的一部分用模塑树脂13进行树脂密 封。而且，引线IOI、 102、 103通过隔着模塑树脂13相互绝缘。如图1B所示，引线101具有主要作为成为内部引线的部分的薄 壁部101a;主要作为成为外部引线的部分的厚壁部101b。在此，薄 壁部101a的厚度是40jim，厚壁部101b的厚度是100nm。薄壁部101a的+Z —侧表面比厚壁部101b的+Z —侧表面还向-Z 一侧凹陷20nm。即以该凹陷量减少安装在引线101上的J-FET11向 +乙一侧的突出量，能够将半导体装置l构成为薄型。薄壁部101a的 底面比厚壁部101b的底面还高50fim。在薄壁部101a的底面一侧上 填充模塑树脂13。另 一方面，引线102以及引线103具有主要是成为内部引线的部 分的薄壁部102a、 103a;主要是成为外部引线的部分的厚壁部102b、 103b。引线102以及引线103的表面高度一致。薄壁部102a、 103a 的底面比厚壁部102b、 103b的底面还高50nm，在薄壁部102a、 103a 的底面一侧上填充模塑树脂13。而且，引线101的+Z—侧上面的高 度和引线102、 103的+Z—侧上面的高度一致(同一水平)。这样，半导体装置i构成为安装J-FET11的引线101的薄壁部 101a与厚壁部101b相比低。此外，如后面说明的那样，因为键合焊 丝12a、12b从键合焊盘11a、llb在大致水平方向上引出而与引线102、 103连接，所以键合焊丝12a、 12b向着+Z—侧的突出量减少。即， 用这些技术，与以往产品相比可以实现薄型的半导体装置1。以下，说明以上说明的半导体装置1的制造方法。如图2所示， 半导体装置1的制造步骤包含引线形成步骤210、芯片焊接(die bond )步骤211、焊丝键合步骤212、树脂封装步骤213(模塑步骤)、 浇注道、毛边除去步骤214、引线镀敷步骤215、引线框切断步骤216、 电气特性选择步骤217、印刷步骤218、打包步骤219的各步骤。以 下，对各步骤顺序说明。首先在引线形成步骤210中，将以Cu为主要成分，含有Zn、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包含：　　　　在导电体薄片上形成与多个半导体装置对应的多个引线的步骤；　　　　在上述导电体薄片的规定位置上配置多个半导体元件的步骤；　　　　用键合焊丝连接上述半导体元件的键合焊盘和上述引线的步骤；　　　　使上述键合焊丝弯曲到在树脂密封时流入型模的树脂流路的上游一侧的步骤；　　　　对上述半导体元件、上述引线、上述键合焊丝进行树脂密封的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2006-9-29 2006-2691311.一种半导体装置的制造方法，包含在导电体薄片上形成与多个半导体装置对应的多个引线的步骤；在上述导电体薄片的规定位置上配置多个半导体元件的步骤；用键合焊丝连接上述半导体元件的键合焊盘和上述引线的步骤；使上述键合焊丝弯曲到在树脂密封时流入型模的树脂流路的上游一侧的步骤；对上述半导体元件、上述引线、上述键合焊丝进行树脂密封的步骤。2. 根据权利要求l所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 用上述键合焊丝连接上述半导体元件的上述键合焊盘和上述引线的步骤包含在上述键合焊丝的前端形成球的步骤；将上述球按压在上述键合焊盘上的步骤；在使上述键合焊丝上升后，使其在离开上述键合焊盘的方向上倾 斜地下降，再次按压在上述键合焊盘上的步骤；在使上述键合焊丝上升后，使其在与上述倾斜方向相反的、离开 上述鍵合焊盘的方向上倾斜地下降，再次...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野靖弘，真下敦，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，三洋半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]