反应器制造技术

用于原子层沉积（ＡＬＤ）方法的反应器，所述反应器包括一真空腔（１），该真空腔（１）容纳一反应腔，且该真空腔（１）具有：一第一端壁（２），其配设有一安装窗体；一第二端壁（３），其配设有一维护窗体；侧壁／外壳（４），其连接所述第一和第二端壁（２，３）；以及至少一个源材料配接头（５），其用于将源材料供送到所述反应器（１）的真空腔内。根据本发明专利技术，所述至少一个源材料配接头（５）布置在所述反应器的真空腔（１）的侧壁／外壳（４）上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
上述设置中的问题是，源部件酉己接头(source fitting)——其穿 过维护窗体也就是后法兰而被引入真空腔内__的连接是一个困难的任 务，其不得不借助碍视连接(blind connection )来进行，因为使用者实际 上不能进行可视的连接。此外，反应器的结构使得要被引入真空腔的配接 头在重复加热循环期间承受应力。压腔。在该真空腔中，固体源部件位于反应区上方和下方，或者，可选地， 在两行排的侧部。用于固体和液体/气体源的配接头位于后法兰内，且真空 腔被装入，和/或反应腔穿过安装窗体也就是前窗体被安装。泵送线路也通 过后法兰来配置。这种方案的问题是，源部件不得不使用容纳大量连接的 复杂中间管来组合，由此源部件难于装入和拆卸，且它需要由两个人来进 行。此外，用于真空腔的内部加热的电阻器和源部件配接头同样连接至后 法兰，这样使它们难于维护。在一种方案中，电阻器连接也配设在真空腔的壁内，这样它们包括一些单独的电阻器销栓(resistor pins)。然而，该方案成本高，且它增加了导入(leadthrough)的数目。
技术实现思路
第一和第二端壁2， 3通过侧壁，也就是圆柱外壳4连接。当真 空腔具有立方体或矩形棱柱的形状时，侧壁的数目是四个，且它们连接第 一和第二端壁2， 3。优选地，它们中的两个侧壁基本垂直而另两个基本水 平，由此这些基本水平的侧壁构成上侧壁和下侧壁。[13参见附图说明图1，源材料配接头5,其数目可以为一个或多个，用来供 送化学物质进入配设在外壳4内的真空腔中，也就是在真空腔的侧壁内。在该实施例中，源材料配接头5通过外壳4基#向地相对于外壳一一也 就U本平行于端壁2， 3的表面一一引入真空腔内。源材料配接头5还可 通过外壳与之垂直地引入。在优选实施例中，这些源材料配接头5水平延 伸通过真空腔外壳，这使它们在反应器操作时极其容易操纵。当需要时， 源材料配接头5还可通过外壳斜向上或斜向下地或直接向上或直接向下地 从真空腔延伸引入。当然，如果希望，源材料配接头5可斜着通过外壳5， 由此它们直接指向第一和第二端壁2， 3中的任一个。值得注意的是，前述 的与圆柱体真空腔有关的内容也可应用在具有其它形状，诸如立方体和矩 形棱柱的真空腔内。[141 源材料配接头5可包括用于气体、液体和固体源材料的源材料配 接头。这使得用于流入和排出粉状源材料的配接头能够配设在例如立方体 真空腔的上和下端壁内。值得注意的是，在这里的描述中，源材料配接头 为用于源材料的流入和排出的配接头。在一些实例中，配设在真空腔的侧 壁或外壳中的配接头也用于供送在反应器中加工的细长工作零件，在反应 器中要被处理的产品，诸如穿过反应器的线缆、纤维、杆、管等等。在该 实例中，真空腔包括至少两个源材料配接头，所述至少两个源材料配接头 优选地相互匹配地位于真空腔的相对侧壁上、或外壳4的相对侧上，使细 长工作零件经过前述配接头、穿过真空腔地被供送。这种反应器的结构使 零件货物能够穿流(flow-through)反应器，而传统反应器是不可能 的。反应器中的穿流不仅可在水平方向、也可在垂直方向、或在其它角度 进行。相似地，工作零件可通过前法兰和后法兰供送和移出。除了是固体， 工作零件也可为粉末状、粒状、链状、或由小的组分构成。[15根据本专利技术的方案也可这样被使用例如，将要配设在真空腔内 的其它配接头，通过真空腔的側壁，带到所述真空腔。这些配接头可包括 负压配接头、反应配接头、卸除配接头、泵配接头、或其他类似配接头。[16在图1中， 一端面部分——其构成后法兰——配设有一加热源6， 该加热源6构成内部加热源。所述加热源可以实施为电阻器，所述电阻器 产生大体为圆柱对称加热。可选地，加热源也可以是矩形，或直接与零件/ 反应腔接触。安装在后法兰中的加热源能容易地拉出来进行清理。为了该 目的，反应器可配设有在后法兰拉出时支撑它的滑块支架机构。该滑块支 架机构还使法兰容易安装和维护。安装在后法兰中的加热源容易制造、维 护和清理，且真空腔的内部容积被有效地利用。代替电阻器，其它的辐射力口热源(radiating heat source)也可使用。[171 代替真空腔的内部加热，通过外部加热源进行的外部加热也可使 用。这时不需要提供位于真空腔内部的加热源，特别在4吏用较低的处理温 度时、和/或不需要在处理过程执行期间冷却真空腔，或在用到连续处理时， 这非常有利。[18真空腔端壁的后法兰可进一步用来扩展反应器。这是简单和容易 的，因为后法兰不包括使反应器难于扩展的源材料配接头。[191图1中可看出真空腔l位于水平位置，但值得注意的是，反应器 也可布置在其它位置。[20当源材料配接头5相对于真空腔的安装窗体位于ALD反应器的 真空腔的 一侧面或多个侧面时，反应器的使用者能直接接近用于源材料配 接头的供送管道。此外，反应器的这种结构使得使用者能不中断地看到源 材料配接头的连接，这样^L这些源部件(sources)能通过一个人装入和除 去。此时也不需要拆下源材料配接头来清理真空腔，并且，当需要时，反 应器可不需要动源材料配接头而进行扩展。根据本专利技术，源材料配接头相 对于装载窗体地配设在真空腔的侧面，在端部法兰之间，在该实例中，它 们通过真空腔的侧壁/夕卜壳引入真空腔。然而，值得注意的是，本专利技术不限 制源材料配接头通过侧壁/外壳引入真空腔的方向。源材料配接头的数目可 非常多，并且，当希望时，它们可从不同的方向引入真空腔。要点在于， 源材料配接头没有配设在可开启的安装窗体上。因此，在由该安装窗体和 后法兰确定的方向中，也就是在维护方向中，没有气体^C供应至反应器或 从中排出，但气体相对于该维护方向通过真空腔的側壁按一气体方向横向 地供应。[21对本领域技术人员而言显而易见的是，作为技术的进步，本专利技术 的基本设计思想可以按不同的方式实施。本专利技术和它的实施例由此不被限 定于上述介绍的实施例中，而是可以在权利要求的范围内变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于原子层沉积（ＡＬＤ）方法的反应器，所述反应器包括一真空腔（１），该真空腔（１）容纳一反应腔，且该真空腔（１）具有：一第一端壁（２），其配设有一安装窗体；一第二端壁（３），其配设有一维护窗体；侧壁／外壳（４），其连接所述第一和第二端壁（２，３）；以及至少一个源材料配接头（５），其用于将源材料供送到所述反应器的真空腔（１）内；其特征在于，所述至少一个源材料配接头（５）布置在所述反应器的真空腔（１）的侧壁／外壳（４）上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FI 2005-4-22 200551881.用于原子层沉积(ALD)方法的反应器，所述反应器包括一真空腔(1)，该真空腔(1)容纳一反应腔，且该真空腔(1)具有一第一端壁(2)，其配设有一安装窗体；一第二端壁(3)，其配设有一维护窗体；侧壁/外壳(4)，其连接所述第一和第二端壁(2，3)；以及至少一个源材料配接头(5)，其用于将源材料供送到所述反应器的真空腔(1)内；其特征在于，所述至少一个源材料配接头(5)布置在所述反应器的真空腔(1)的侧壁/外壳(4)上。2. 如权利要求l所述的反应器，其特征在于，所述真空腔具有立方体 的形状，由此它包括两个基本垂直的侧壁(4)，其中的至少一个侧壁配设 有至少一个源材料配接头(5)。3. 如权利要求l所述的反应器，其特征在于，所述真空腔具有矩形棱 柱的形状，由此它包括两个基本垂直的侧壁(4)，其中的至少一个侧壁配 设有至少一个源材料配接头(5)。4. 如权利要求2或3所述的反应器，其特征在于，所述真空腔还包括 基本水平的上壁和下壁，其中的至少一个配设有用于粉状源材料的源材料 配接头(5)。5. 如权利要求l所述的反应器，其特征在于，所述真空腔具有圆柱体 的形状，由此它包括基本圆形的第一和第二端壁(2， 3)和配设有至少一 个源材料配接头(5)的外壳(4)。6. 如权利要求1至5中任一项所述的反应器，其特征在于， 一个源材 料配接头或多个源材料配接头(5)相对所述侧壁/外壳(...

【专利技术属性】
技术研发人员：P索伊尼宁，
申请(专利权)人：BENEQ有限公司，
类型：发明
国别省市：FI[芬兰]