【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造工业中的去胶方法,尤其涉及一种半导体 制造工业中的。
技术介绍
在集成电路(IC)制造中，需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤，因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。硫酸(H2S04)和双氧水(H202)的 混合物可以用来去除未经注入或小剂量注入的光刻胶。同样，灰化流程在 去胶过程中也经常被使用，在灰化流程中，衬底被加热，同时将光刻胶暴 露在氧等离子体或臭氧中。然而，在去除大剂量离子注入光刻胶的非晶碳 层时，标准的硫酸(H2S04)和双氧水(H202)的混合物和灰化流程能起到的作用都有限。因此，对于大剂量的离子注入，即离子注入量大于1x1014 ions/cm2 的情况下，现有技术中的去除光刻胶方法一般如下(1) 用灰化流程去除绝大部分的光刻胶；(2) 用硫酸01^04)和双氧水饥02)的混合物去除残留的光刻胶；(3) 用氨水(NH40H)和双氧水(HA)的混合物去除残留的硫并减少表 面微粒。然而，由于灰化流程会导致晶圆表面的氧化和结构错乱，从而增加药 液的损失。因此希望能够实现一种全湿法的应用硫酸(H2S04)和双氧水(H202)的混合物进行去胶的流程，可以代替干法的灰化流程去除离子注 入的光刻胶。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，可同时对多枚 硅片进行全湿法去胶，省去灰化去胶的流程，从而避免由灰化流程所引起 的晶圆表面的氧化和结构错乱，降低硫酸(H2SO,)和双氧水(HA)的混合药 液的消耗量，并能保证硫酸(H2S04)和双氧水(HA)间的充分反应，从而达 到理想的去胶效果。为解决上述技术问题，本专利技术提供...
【技术保护点】
一种全湿法去胶方法，其特征在于，包括：同时将多枚硅片浸入敞开式湿法药液槽中，其中所述药液槽中盛有的药液为硫酸和双氧水的混合物；将所述湿法药液槽加盖密闭，并将所述药液加温至１８０～２４０℃；当所述多枚硅片都去胶完毕后，对所述密闭的湿法槽药液进行降温。
【技术特征摘要】
1、一种全湿法去胶方法，其特征在于，包括同时将多枚硅片浸入敞开式湿法药液槽中，其中所述药液槽中盛有的药液为硫酸和双氧水的混合物；将所述湿法药液槽加盖密闭，并将所述药液加温...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘金秋，徐云，张擎雪，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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