具有一对鳍的半导体器件及其制造方法技术

示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据示例性实施例的半导体器件可以具有减小的读取操作期间的干扰，并且可以具有减小的短沟道效应。该半导体器件可以包括半导体基底，该半导体基底具有体和从所述体突出的一对鳍。在所述一对鳍的内侧壁的上部上可以形成内部间隔绝缘层，从而减小进入所述一对鳍之间的区域的入口。栅电极可以覆盖所述一对鳍的外侧壁的一部分，并且可以延伸越过内部间隔绝缘层，从而在所述一对鳍之间限定空隙。可以在栅电极和所述一对鳍之间设置栅极绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

示例性实施例涉及一种包括鳍式沟道区的非易失性存储器件和制造该非 易失性存储器件的方法。
技术介绍
随着半导体产品的尺寸进一步减小，半导体产品会需要更大容量的数据 处理。因此，增加半导体产品中使用的非易失性存储器件的操作速度和集成密度会是有益的。例如，具有鳍式FET结构的半导体器件可以具有更大的沟 道表面，因此可以具有增加的操作速度。同时，可以通过减小鳍式FET结构 的鳍的宽度来增加集成密度。采用绝缘层上覆硅(SOI)基底的鳍式FET可以改进短沟道效应。然而， SOI基底会比较昂贵。另外，即使采用SOI基底，根据绝缘体的介电性质， 仍然会存在短沟道效应(例如，漏感应势垒下降(DIBL))。因此，意图采用 体半导体(bulk semiconductor)基底来制造具有与SOI基底的特性相似的特 性的鳍式FET或者鳍式存储器单元。此外，随着半导体器件的集成密度增加， 会减小鳍之间的距离，从而导致读取操作期间的千扰。
技术实现思路
示例性实施例提供了 一种减小了读取操作期间的干扰并且减小了短沟道 效应的非易失性存储器件。示例性实施例还提供了 一种制造减小了读取操作 期间的干扰并且减小了短沟道效应的非易失性存储器件的方法。根据示例性实施例的半导体器件可以包括半导体基底，具有体和从所 述体突出的一对鳍；内部间隔绝缘层，在所述一对鳍的内侧壁的上部上；栅 电极，在半导体基底上，限定所述一对鳍之间空隙；和/或栅极绝缘层，在栅 电极和所述一对鳍之间。半导体器件还可以包括所述一对鳍的顶部表面和栅 电极之间的上部间隔绝缘层。半导体器件还可以包括栅极绝缘层上的存储节 点层和存储节点层与栅电极之间的阻挡绝缘层。空隙还可以通过阻挡绝缘层来限定。导体基底，形成体和从所述体突出的一对鳍；在所述一对鳍的内侧壁的上部 上形成内部间隔绝缘层；在所述一对鳍的外侧壁上形成栅极绝缘层；和/或在 半导体基底上形成栅电极，从而在所述一对鳍之间限定空隙。形成内部间隔 绝缘层的步骤可以包括在所述一对鳍之间的空间中形成掩埋绝缘层；在掩埋 绝缘层和所述一对鳍上形成绝缘层；和/或通过对所述绝缘层进行各向异性蚀 刻在所述一对鳍上形成内部间隔绝缘层。可以在形成4册极绝缘层之前通过蚀 刻去除掩埋绝缘层。附图说明参照附图，示例性实施例的特征和优点将变得更加清楚，在附图中 图1是根据示例性实施例的半导体器件的剖视图11是根据示例性实施例的另一半导体器件的剖视图； 图12和图13是示出根据示例性实施例的制造半导体器件的另一方法的 剖视图14是根据示例性实施例的又一半导体器件的剖视图。具体实施例方式现在，将参照附图来更加充分地描述示例性实施例。然而，示例性实施 例可以以许多不同的形式来实施，而不应理解为限于在此4是出的示例。为了 示出的目的，可以夸大附图中元件的尺寸。应该理解，当元件或层被称作在另一元件或层上、连接到另一元件 或层、结合到另一元件或层或者覆盖另一元件或层时，该元件或层 可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到所述另一元件或层、直接结合 到所述另一元件或层或直接覆盖所述另一元件或层，或者可以存在中间元件 或层。相反，当元件被称作直接在另一元件或层上、直接连接到另一元 件或层，，或直接结合到另一元件或层，，时，不存在中间元件或层。相同的 标号始终表示相同的元件。如这里所使用的，术语和/或包括相关列出项中的一个或多个的任意组合和所有组合。应该理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元 件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不 应该受这些术语限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部 分与其它元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例性实施 例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被定 义为第二元件、组件、区域、层或部分。为了便于描述，这里可以使用空间相对术语例如，在...下面、下方、 下面、在...上方、上面等来描述图中示出的一个元件或特征与其它 元件或特征的关系。应该理解，空间相对术语意图包括除了图中描述的方位 之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则 被描述为在其它元件或特征下面或在其它元件或特征下方的元件随 后将被定位为在其它元件或特征上方。因此，示例性术语在...下面可 以包括上下两个方位。装置可以被另外定位(旋转90度或者其它方位)，将 相应地解释这里采用的空间相对描述符。这里采用的术语仅是出于描述各种实施例的目的，不意图成为示例性实 施例的限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式 也意图包括复数形式。还应该理解，当在本说明书中使用术语包括时， 说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添 加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里，参照作为示例性实施例的理想实施例(和中间结构)的示意图的 剖视图来描述示例性实施例。如此，将预料到由例如制造技术和/或公差引起 的图示的形状的变化。因此，示例性实施例不应该被理解为限于这里示出的 区域的形状，而是包括例如由制造引起的形状的偏差。例如，示出为矩形的 注入区将通常在其边缘具有倒圓或弯曲的特征和/或具有注入浓度的梯度，而 不是从注入区到非注入区的二元变化。同样，通过注入形成的埋区会导致在 埋区和进行注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，图中示出的区域在 本质上是示意性的，它们的形状不意图示出装置的区域的真实形状，并不意 图限制示例性实施例的范围。除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语) 具有与示例性实施例所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还应该理解，除非这里明确定义，否则术语(包括通用字典中定义的术 语)应该被理解为具有与它们在相关领域的环境中的意思一致的意思，而不 应该被解释为理想的或过度正式的意思。图1是根据示例性实施例的半导体器件的剖视图。参照图1,半导体器件可以包括半导体基底110、栅极绝缘层165和栅电极170。可以通过控制栅 电极170来控制经过半导体基底110的电流的流动。因此，半导体器件可以 用作开关器件并且可以被称作晶体管。在下文中，将更详细地描述图1中示 出的半导体器件的结构。半导体基底110可以包括体102和一对鳍105a和105b。例如，鳍105a 和105b可以从体102向上突出并且可以彼此分开。半导体基底IIO可以通过 蚀刻体半导体晶片(例如，体硅晶片、体硅-锗晶片或者其它合适的体晶片) 来形成。因此，鳍105a和105b可以由与体102的材料相同的材料形成。可 选地，鳍105a和105b可以形成为体102上的半导体外延层。在鳍105a和105b的上部上可以形成内部间隔绝》彖层155。例如，内部 间隔绝缘层155可以朝彼此延伸，从而减小进入鳍105a和105b之间的区域 的入口宽度。然而，内部间隔绝缘层155可以;波此分开，从而不阻塞进入鳍 105a和105b之间的区域的入口 。在鳍105a和105b之间并且在内部间隔绝缘 层155下面的区域可以是空的。因此，可以通过覆盖内部间隔绝缘层155之 间的空间(例如，进入鳍105a和105b之间的区域的入口 )本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体基底，具有体和从所述体突出的一对鳍；内部间隔绝缘层，在所述一对鳍的内侧壁的上部上；栅电极，在半导体基底上，限定所述一对鳍之间的空隙；栅极绝缘层，在栅电极和所述一对鳍之间。

【技术特征摘要】
KR 2007-9-18 10-2007-0094900;KR 2006-11-15 10-20061、一种半导体器件，包括半导体基底，具有体和从所述体突出的一对鳍；内部间隔绝缘层，在所述一对鳍的内侧壁的上部上；栅电极，在半导体基底上，限定所述一对鳍之间的空隙；栅极绝缘层，在栅电极和所述一对鳍之间。2、 根据权利要求1所述的半导体器件，其中， 栅电极在内部间隔绝缘层上，空隙在内部间隔绝缘层下方。3、 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括上部间隔绝缘层，在所述一对鳍的顶部表面和栅电极之间。4、 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括 保护层，在所述一对鳍的内表面上。5、 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括器件分隔层，在所述一对鳍的外侧壁的下部上并且在栅电极和所述体之间。6、 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括 存储节点层，在4册极绝缘层上； 阻挡绝缘层，在存储节点层和栅电极之间。7、 才艮据权利要求6所述的半导体器件，其中， 存储节点层在内部间隔绝缘层上， 空隙还通过存储节点层来限定。8、 根据权利要求6所述的半导体器件，还包括上部间隔绝缘层，在所述一对鳍的顶部表面和栅电极之间。9、 根据权利要求6所述的半导体器件，还包括 保护层，在所述一对鳍的内表面上。10、 根据权利要求6所述的半导体器件，其中，存储节点层的一部分终 止于空隙附近的内部间隔绝缘层。11、 根据权利要求10所述的半导体器件，其中， 阻挡绝缘层在存储节点层的终止部分上， 空隙还通过阻挡绝缘层来限定。12、 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，通过蚀刻体半导体晶片 来形成半导体基底。13、 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤 蚀刻半导体基底，形成体和从所述体突出的一对鳍； 在所述一对鳍的内侧壁的上部上形成内部间隔绝缘层； 在所述一对鳍的外侧壁上形成栅极绝缘层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：金锡必，朴允童，李钟振，金元柱，具俊谟，宋承桓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]