一种微波等离子发生系统和蚀刻设备技术方案

本实用新型专利技术公开了一种微波等离子发生系统和蚀刻设备；微波等离子发生系统包括微波电源、波导管、微波谐振腔、送气部和进气装置；波导管一端与微波电源相连；微波谐振腔上具有进气口和至少两个送气口，微波谐振腔与波导管的另一端相通；送气部与送气口相通，进气装置与进气口相通；蚀刻设备包括微波等离子发生系统、晶圆处理腔室、晶圆传送系统和离子化气体控制系统；本实用新型专利技术的微波等离子发生系统和蚀刻设备，在微波谐振腔内同时使用两根高纯石英管作为离子化气体的送气通道，这样离子化后的气体分别同时导入两个晶圆处理腔室，实现了一套微波等离子发生系统能同时对两个晶圆进行等离子蚀刻处理的能力，提升了晶圆的处理速度，生产能力强。生产能力强。生产能力强。

【技术实现步骤摘要】
一种微波等离子发生系统和蚀刻设备


[0001]本技术涉及刻蚀
，尤其涉及一种微波等离子发生系统和蚀刻设备。

技术介绍

[0002]用于集成电路制造的蚀刻设备，主要包括微波等离子发生系统、晶圆处理腔室、真空系统、工艺气体控制系统和晶圆传送系统。
[0003]其中，微波等离子发生系统主要用于产生处理晶圆的等离子体，晶圆处理腔室主要用于对晶圆进行蚀刻的工艺处理低压空间，使得产生的等离子体进入晶圆处理腔室后，在偏转电压的驱动下加速，对晶圆的表面进行蚀刻，在无光阻阻挡的晶圆部分，实现微观尺寸的沟槽，达到蚀刻的工艺目的。
[0004]但是现有的该类型蚀刻设备都是一套微波等离子发生系统对应一个晶圆处理腔室，造成晶圆处理速度慢，连续生产产能较低，无法满足大规模处理需求。

技术实现思路

[0005]本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种结构简单，一套微波等离子发生系统能给两个晶圆处理腔提供离子化气体，提升了晶圆处理能力的微波等离子发生系统和蚀刻设备。
[0006]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种微波等离子发生系统，包括：
[0007]微波电源；
[0008]波导管，所述波导管一端与所述微波电源相连；
[0009]微波谐振腔，所述微波谐振腔上具有进气口和至少两个送气口，所述微波谐振腔与所述波导管的另一端相通；
[0010]送气部，所述送气部与所述送气口相通；
[0011]进气装置，所述进气装置与所述进气口相通。
[0012]进一步的，所述送气口的数量为两个。
[0013]进一步的，所述送气部为一石英管。
[0014]一种蚀刻设备,包括微波等离子发生系统、晶圆处理腔室、晶圆传送系统和离子化气体控制系统；
[0015]所述微波等离子发生系统上设有与每个所述送气部对应相通的晶圆处理腔室；所述晶圆处理腔室一侧设有晶圆传送系统，用于将晶圆送至晶圆处理腔；所述晶圆处理腔室上还设有离子化气体控制系统，用于控制离子化系统对晶圆进行蚀刻处理。
[0016]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0017]本技术方案的微波等离子发生系统和蚀刻设备，在微波谐振腔内同时使用两根高纯石英管作为离子化气体的送气通道，这样离子化后的气体分别同时导入两个晶圆处理腔室，从而实现了一套微波等离子发生系统能同时对两个晶圆进行等离子蚀刻处理的能
力，提升了晶圆的处理速度，生产能力强，符合实际的生产加工需求。
附图说明
[0018]下面结合附图对本技术技术方案作进一步说明：
[0019]附图1为本技术的结构示意图；
[0020]其中：微波电源1、波导管2、微波谐振腔3、送气部4、离子化气体控制系统5、晶圆传送系统6、晶圆处理腔室7。
具体实施方式
[0021]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图及具体实施例对本技术作进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，而不构成对本技术的限制。
[0022]下面结合附图1对本实施例的微波等离子发生系统和蚀刻设备机进行说明。
[0023]本实施例的一种微波等离子发生系统，包括微波电源1、波导管2、微波谐振腔3、送气部4和进气装置（图中未示出）；所述微波电源1将产生的微波通过波导管2送至微波谐振腔3内。
[0024]所述微波谐振腔3上具有进气口和至少两个送气口，进气口与进气装置相连，进气装置将气体通过进气口送至微波谐振腔3内与微波进行接触后产生处理晶圆的离子化气体；在本实施例中微波谐振腔3包含了两个送气口，这样由微波谐振腔3内产生的离子化气体就分别从两个送气口内送出。
[0025]在两个送气口上分别连通有对应的送气部4，在本实施例中送气部4为一高纯度的石英管，这样离子化气体从送气口送出后进入到送气部内，从而实现了一套微波等离子发生系统能独立送出两份离子化气体。
[0026]本实施例还公开了一种蚀刻设备，包括本实施例中的微波等离子发生系统、晶圆处理腔室7、晶圆传送系统6和离子化气体控制系统5；所述微波等离子发生系统上具有两个能独立送出离子化气体的送气部4，每个送气部4上分别设有相互连通的晶圆处理腔室7；所述晶圆处理腔室7的一侧设有用于将晶圆送至晶圆处理腔内的晶圆传送系统6；所述晶圆处理腔室7上还设有用于控制离子化气体对晶圆进行蚀刻处理的离子化气体控制系统5。
[0027]工作时，首先晶圆传送系统6将晶圆送至晶圆处理腔室7内，然后微波电源1将产生的微波通过波导管2送至微波谐振腔3内，同时进气装置将气体通过进气口送至微波谐振腔3内与微波接触后，从而在微波谐振腔3内产生了用于处理晶圆的离子化气体。
[0028]离子化气体从微波谐振腔3上的两个送气口分别独立进入到对应的送气部4内，最后由两个送气部4分别送至对应的晶圆处理腔室7内，离子化气体控制系统5控制离子化气体对晶圆处理腔室7内的晶圆进行蚀刻处理。
[0029]本技术的微波等离子发生系统和蚀刻设备，在微波谐振腔内同时使用两根高纯石英管作为离子化气体的送气通道，这样离子化后的气体分别同时导入两个晶圆处理腔室，从而实现了一套微波等离子发生系统能同时对两个晶圆进行等离子蚀刻处理的能力，提升了晶圆的处理速度，生产能力强，符合实际的生产加工需求。
[0030]以上仅是本技术的具体应用范例，对本技术的保护范围不构成任何限
制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本技术权利保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波等离子发生系统，其特征在于，包括：微波电源；波导管，所述波导管一端与所述微波电源相连；微波谐振腔，所述微波谐振腔上具有进气口和至少两个送气口，所述微波谐振腔与所述波导管的另一端相通；送气部，所述送气部与所述送气口相通；进气装置，所述进气装置与所述进气口相通。2.如权利要求1所述的微波等离子发生系统，其特征在于：所述送气口的数量为两个。3.如权利要求2所述的微波等离子发生系统，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：余涛，庞金元，
申请(专利权)人：上海璞芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：