测试铝膨胀缺陷的方法技术

本发明专利技术公开了一种能对晶片铝膨胀缺陷情形进行监测的测试铝膨胀缺陷的方法，包括以下步骤：首先选择划片槽中掩膜上第一片铝和与第一片铝相邻并包围第一片铝的第二片铝作为测试对象；然后用晶片电特性测试仪测量该第一片铝和该第二片铝之间的电阻；如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气短路，则判定该掩膜上的铝线之间存在铝膨胀缺陷，如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气开路，则判定该掩膜上的铝线之间不存在铝膨胀缺陷。本发明专利技术选择最容易出现铝膨胀缺陷的第一片铝被第二片铝包围的图形作为测试对象，通过该第一片铝和该第二片铝之间的电气短路或电气开路来判断晶片掩膜上是否存在铝膨胀缺陷，方便简捷，结果准确。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造中的测试方法，特别是晶片(wafer)制造 工艺中测试铝膨胀缺陷结构的方法。
技术介绍
制造晶片时，如果存在铝膨胀缺陷，会直接导致产品的良品率下降， 因此在晶片制造过程中需要对铝膨胀缺陷进行监控。目前采用的铝膨胀缺 陷监控方法主要是通过晶片扫描(wafer scan)实现，晶片扫描方法是通 过芯片(die)之间的比较找出铝膨胀缺陷，即通过光学的方法对相邻重复 图形的比较来判断是否存在铝膨胀缺陷。上述利用晶片扫描对铝膨胀缺陷进行监控的方法是对晶片进行抽测， 无法监控到所有晶片，而且测试时间较长，所用设备成本较高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能对晶片铝膨胀缺陷情形进行 监测的。为解决上述技术问题，本专利技术包括以下步骤 测试对象选定步骤，选择划片槽中掩膜上第一片铝和与第一片铝相邻并包 围第一片铝的第二片铝作为测试对象；测量步骤，测量该第一片铝和该第 二片铝之间的电阻；判断步骤，如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气短路，则判定该掩膜上的铝线之间存在铝膨胀缺陷，如果该第一片铝和该 第二片铝之间为电气开路，则判定该掩膜上的铝线之间不存在铝膨胀缺陷。 第一片铝数量为复数个，在测量步骤中，所有第一片铝之间电气连接。 在测量步骤中，采用晶片电特性测试仪测量第一片铝和第二片铝之间 的电阻。本专利技术选择最容易出现铝膨胀缺陷的第一片铝被第二片铝包围的图形 作为测试对象，并通过该第一片铝和该第二片铝之间的电气短路或电气开 路来判断晶片掩膜上是否存在铝膨胀缺陷，其测试过程方便简捷，其判断 结果准确。附图说明图1是采用本专利技术所提供的方法进行测试时，所选取的最容易出现 铝膨胀缺陷的情形，其中第一片铝和第二片铝相邻并被第二片铝包围；图2是对图l所示图形进行测试时，测试引脚连接示意图，本图是 沿图1中C一C方向的截面示意图3是铝膨胀的发生过程示意图，左侧表示未发生铝膨胀的情形， 右侧表示铝膨胀发生后的情形，发生铝膨胀后，本来相邻但是各自分离 的第一片铝和第二片铝在一拐角处连接在一起；图4是应用本专利技术所提供的方法对第一片铝和第二片铝之间具有不 同间距的图形进行比较测试，虚框a中所包含的第一片铝与第二片铝之 间的距离为Sa，虚框b中所包含的第一片铝与第二片铝之间的距离为Sb， 且Sa〉Sb;图5是对图4所示图形进行测试时，测试引脚连接示意图。具体实施方法下面结合附图对本专利技术作进一步详细的说明。图1表示采用本专利技术所提供的方法进行测试时，最容易出现铝膨胀 缺陷的典型阁形，其中第二片铝2是大片铝，其中包围了多个小片的第 一片铝1，这些第一片铝1和第二片铝相邻。测试时的测试引脚连接如图2所示，图2是沿图1中C一C方向的截面示意图，第一片铝引脚21 与所有的第一片铝1电气连接，第二片铝引脚22与第二片铝2电气连接。图3是当铝膨胀的发生过程示意图，左侧表示未发生铝膨胀的情形， 电气上表现为开路；右侧表示铝膨胀发生后的情形，发生铝膨胀后，本 来相邻但是各自的第一片铝和第二片铝在一拐角处连接在一起，从而在 电气上表现为短路。测试的时候利用晶片电特性测试仪(WAT)，通过第一片铝引脚21和 第二片铝引脚22测量该第一片铝1和该第二片铝之间的电阻。如果该第 一片铝引脚21和该第二片铝引脚22之间为电气短路，则相应地，该多个 第一片铝1和该第二片铝2之间必定存在铝膨胀缺陷，据此判定该掩膜上 的铝线之间存在铝膨胀缺陷。如果该第一片铝引脚21和该第二片铝引脚 22之间为电气开路，则相应地，该多个第一片铝1和该第二片铝2之间 为开路，由此可判定该掩膜上的铝线之间不存在铝膨胀缺陷。本专利技术还可以用来对不同工艺尺寸的图形的铝膨胀情形进行研究。如 图4所示，将虚框a中包含的多个第一片铝称作a组第一片铝la,虚框b 中包含的多个第一片铝称作b组第一片铝lb;虚框a中所包含的第 一片 铝与第二片铝之间的距离为Sa，虚框b中所包含的第一片铝与第二片铝之间的距离为Sb，且Sa〉Sb。和图4相应的测试引脚连接关系如图5所 示，第二片铝引脚22连接连接第二片铝，a组第一片铝引脚21a连接虚 框a中所包含的所有a组第一片铝la; b组第一片铝引脚21b连接虚框b 中所包含的所有b组第一片铝lb。在不同的情形下，测试结果和对铝膨胀缺陷的判断可用下表表示:<table>table see original document page 6</column></row><table>如果出现测试结果2，则表明当第一片铝与第二片铝处于Sa和Sb 之间，可能会出现铝膨胀缺陷。本专利技术利用晶片电特性测试仪来监控生产线中晶片掩膜上的铝膨胀 情形，可覆盖所有晶片，测试快速而便捷；另外，通过对铝线间距离不同 的图形进行比较，可以更细化监控工艺的变化对铝膨胀的影响。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试铝膨胀缺陷的方法，其特征是，包括以下步骤：测试对象选定步骤，选择划片槽中掩膜上第一片铝和与第一片铝相邻并包围第一片铝的第二片铝作为测试对象；测量步骤，测量该第一片铝和该第二片铝之间的电阻；判断步骤，如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气短路，则判定该掩膜上的铝线之间存在铝膨胀缺陷；如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气开路，则判定该掩膜上的铝线之间不存在铝膨胀缺陷。

【技术特征摘要】
1、一种测试铝膨胀缺陷的方法，其特征是，包括以下步骤测试对象选定步骤，选择划片槽中掩膜上第一片铝和与第一片铝相邻并包围第一片铝的第二片铝作为测试对象；测量步骤，测量该第一片铝和该第二片铝之间的电阻；判断步骤，如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气短路，则判定该掩膜上的铝线之间存在铝膨胀缺陷；如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亮，徐云，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]