等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，等离子体处理装置（１００）具有构成为气密并接地的大致圆筒状的腔室（１），在腔室（１）的上部配设有天线部件（３０）。该腔室（１）由大致圆筒形的壳体（２），和从上方与壳体（２）接合、围绕处理空间的圆筒形的腔壁（３）构成分割结构，腔壁（３）装卸自由。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子处理装置，详细地说，涉及使用等离子体用于 处理半导体基板等被处理体的等离子体处理装置。
技术介绍
作为等离子体处理装置，已知通过径向线隙缝天线(Radial Line Slot Antenna)向处理室内导入微波生成等离子体的RLSA方式的等离 子体处理装置(例如，专利文献l)。该RLSA方式的等离子体处理装 置包括在内部具备载置被处理体的载置台的圆筒容器；和由隙缝板 以及电介质波导构成、用于放射微波的天线部，在圆筒容器的上端载 置上述天线部，通过由密封部件密封接合部构成真空腔室。 专利文献h W098/33362号(例如，Fig.l等) RLSA方式的等离子体处理装置中，为了实施最优的处理，必须根 据作为被处理体的半导体晶片(以下，仅称为晶片)的大小变更天 线尺寸，根据目的处理内容改变天线尺寸、晶片与天线的距离(间隔 (gap))。例如，近年来晶片尺寸有大型化的倾向，因为现状是混合存在有 6 12英寸大小的晶片的状况，所以产生必须对不同尺寸的晶片进行同 一处理的情况。此外，由于半导体器件的高集成化和微细化，处理条 件也变得复杂化，必须根据处理内容变更间隔等。此外，不限于半导 体晶片，近年来，平板显示器(FPD)的制造中使用的玻璃基板也具有 大型化的倾向。上述专利文献1的RLSA方式的等离子体处理装置中，因为是由 容器与天线的固定组合构成等离子体处理装置，所以难以变更天线尺 寸、间隔，现实中必须根据晶片直径、处理内容准备另外的等离子体 处理装置进行处理。这样，现有的等离子体处理装置具有天线尺寸、 间隔的变更的自由度低的问题。专利技术内容本专利技术的目的在于提供一种等离子体处理装置，能够更容易地进 行天线尺寸的变更、间隔的变更。为了解决上述课题，根据本专利技术的第一观点，提供一种等离子体 处理装置，包括能够真空排气的处理容器；在上述处理容器内载置 被处理体的载置台；和与上述处理容器的上部接合、密闭上述处理容器的盖部，上述处理容器包括围绕上述载置台的第一壳体(housing),和装卸 自由地在上述第一壳体和上述盖部之间介入配置的第二壳体。此外，根据本专利技术的第二观点，提供一种等离子体处理装置，包 括能够真空排气的处理容器；在上述处理容器内载置被处理体的载 置台；与上述处理容器的上部接合、向上述处理容器内导入电磁波的 电磁波导入部；和在上述处理容器内导入等离子体激发用的气体的气 体导入部，上述处理容器包括围绕上述载置台的第一壳体，和装卸自由地在 上述第一壳体和上述电磁波导入部之间介入配置的第二壳体。在上述第二观点中，从预先准备的高度和/或内径不同的多个筒状 部件中，根据被处理体的大小而进行上述第二壳体的选择和安装。此 外，在上述第二观点中，从预先准备的高度和/或内径不同的多个筒状 部件中根据等离子体处理的内容而进行上述第二壳体的选择和安装。 此外，根据被处理体的大小而选择上述电磁波导入部的大小，并进行 安装。此外，在上述第二观点中，能够在上述第二壳体的多个位置设置 上述气体导入部。在该情况下，上述气体导入部包括朝向上述处理 容器内的空间开口的气体导入口；和连接在该气体导入口上的气体导 入通路，为了在多个上述气体导入部中均等地分配气体，优选上述气 体导入通路和在上述第一壳体的上端与上述第二壳体的下端的边界处 形成的气体分配单元相连接。其中，上述气体分配单元也可以为形成 于上述第一壳体的上端的台阶部和形成于上述第二壳体的下端的台阶 部之间的间隙。此外，上述第二观点中，上述电磁波为微波，上述电磁波导入部可以具有用于导入微波的天线，上述天线也可以为形成有多个隙缝 (slot)孔的平面天线。此外，根据本专利技术的第三观点，提供一种等离子体处理装置，包 括能够真空排气的处理容器；在上述处理容器内载置被处理体的载 置台；与上述处理容器的上部接合、密闭该处理容器的盖部；和围绕 上述载置台的第一壳体，其构成为第二壳体能够安装于上述第一壳体和上述盖部之间， 并且在卸下上述第二壳体的状态下，能够直接接合上述第一壳体和上 述盖部。根据本专利技术，因为采用在对被处理体进行等离子体处理的处理容 器中，包括装卸自由地在第一壳体和盖部(或电磁波导入部)之间介 入配置的第二壳体的结构，通过安装形态不同的单元作为第二壳体， 能够根据半导体晶片等被处理体的大小、处理目的容易地变更间隔、 盖部(或电磁波导入部)的种类、大小等。g卩，不需要根据被处理体 的大小、处理的内容等整体更换等离子体处理装置，能够仅通过更换 第二壳体和盖部(或电磁波导入部)与被处理体的大小、处理目的相 对应。因此，能够减少等离子体处理装置的开发工时，节省材料费。此 外，用于与设置后的升级和新的应用相对应的改造也更容易。而且， 因为伴随着改造、故障的部件更换也变少，还能够减少维持管理成本。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方式的等离子体处理装置的概略结 构的分解立体图。图2是等离子体处理装置的概略截面图。 图3A是用于腔壁的说明的外观立体图。 图3B是用于腔壁的说明的主要部分截面图。 图4是用于平面天线部件的说明的图。 图5A是气体导入口的附近的截面图。图5B是表示气体导入口的附近的另一个例子的主要部分截面图 图5C是表示气体导入口的附近的又一个例子的主要部分截面图。图6是表示更换腔壁的例子的等离子体处理装置的概略截面图。图7A是图6中使用的腔壁的外观立体图。 图7B是图6中使用的腔壁的主要部分截面图。 图8是表示更换腔壁的另一个例子的等离子体处理装置的概略截 面图。图9A是图8中使用的腔壁的外观立体图。图9B是图8中使用的腔壁的主要部分截面图。图10是表示更换腔壁的又一例子的等离子体处理装置的概略截面图。图11是图10中使用的腔壁的外观立体图。图12是图IO中使用的腔壁的主要部分截面图。具体实施例方式以下参照附图说明本专利技术的实施方式。图1是示意地表示本专利技术的一个实施方式的等离子体处理装置 100的概略结构的分解立体图，图2是等离子体处理装置100的概略截面图。该等离子体处理装置ioo构成为通过具有多个隙缝的平面天线，例如RLSA (Radial Line Slot Antenna:径向线隙缝天线)向处理室内 导入微波、产生等离子体，产生高密度且低电子温度的微波等离子体 的等离子体处理装置。上述等离子体处理装置100具有构成为气密、搬入晶片W并接地 的大致圆筒状的腔室1。而且，腔室1的形状也可以为截面为四边形等 的方筒状。该腔室1具有作为第一壳体的大致圆筒形的壳体2 (腔室基部)；和从上方与该壳体2接合、围绕处理空间的作为第二 壳体的圆筒形的腔壁3 (能够装卸部)。此外，在腔室1的上部配置 有作为向处理空间导入微波等电磁波的电磁波导入部的天线部30。壳体2的底壁2a的大致中央部形成有圆形的开口部10，在底壁 2a上迮接设背与该开口部IO连通，朝向下方突出的用于对腔室1内部 进行均匀排气的排气室ll。用于水平支持作为被处理体的晶片W的石英、陶瓷(A1N、 A1203) 等材质构成的载置台(基座5)，被支承于排气室ll的底部，设置在壳体2内。该基座5由从排气室11的底部中央向上方延伸的圆筒状的支承部件4支承，该支承部件4被支承在排气室11上。支承部件4和基 座5均由热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，包括：能够真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置被处理体的载置台；和与所述处理容器的上部接合、密闭所述处理容器内的盖部，所述等离子体处理装置的特征在于：所述处理容器包括：围绕所 述载置台的第一壳体，和装卸自由地在所述第一壳体和所述盖部之间介入配置的第二壳体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-5-30 157840/20051.一种等离子体处理装置，包括能够真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置被处理体的载置台；和与所述处理容器的上部接合、密闭所述处理容器内的盖部，所述等离子体处理装置的特征在于所述处理容器包括围绕所述载置台的第一壳体，和装卸自由地在所述第一壳体和所述盖部之间介入配置的第二壳体。2. —种等离子体处理装置，包括 能够真空排气的处理容器； 在所述处理容器内载置被处理体的载置台；与所述处理容器的上部接合、向所述处理容器内导入电磁波的电 磁波导入部；和向所述处理容器内导入等离子体激发用的气体的气体导入部， 所述等离子体处理装置的特征在于所述处理容器包括围绕所述载置台的第一壳体，和装卸自由地 在所述第一壳体和所述电磁波导入部之间介入配置的第二壳体。3. 如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述第二壳体为从预先准备的高度和/或内径不同的多个筒状部件中，根据被处理体的大小而选择、安装的壳体。4. 如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述第二壳体为从预先准备的高度和/或内径不同的多个筒状部件中，根据等离子体处理的内容而选择、安装的壳体。5. 如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述电磁波导入部...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下润，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]