【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
虽然在增加半导体器件的电荷载流子迁移率方面，材料工程已经作了相当的努力，但仍需更大的改进。更高的迁移率可以增加 器件的速度和/或降低器件的功耗。更高的迁移率同样可以使半导体器 件在不断向小型化发展的同时依旧保持其性能。
技术实现思路
图l-4是在本专利技术中，不同实施方案的半导体器件部分的 横截面示意图。图7是另一种实施方案中经大比例放大后的超晶格的横截 面示意图，该超晶格有可以应用于附图说明图1所示的器件。超晶格25中的每个层组45a-45n示意地包含多个堆叠的基 础半导体单层46，它限定了基础半导体部分46a-46n及其上面的能带 修改层50。图5中，为了图示的清晰，能带修改层50用加点的区域 来表示。在图8A—8C中，表示了利用密度函数理论(DFT)计算 出的能带结构。本领域内众所周知，DFT低估了能带隙的绝对值。因 此，可以通过适当的剪裁修正，，来对带隙之上的所有能带进行移动。 但是，能带的形状已知是更加可靠的。垂直方向的能量轴应该据此解 释。本专利技术的其它特点可以查询相关的申请，它们是 SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A SUPERLATTICE WITH REGIONS DEFINING A SEMICONDUCTOR JUNCTION,代 理人案件号为 62682 ; METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A SUPERLATTICE WITH REGIONS DEFINING A SEMICONDUCTOR JUNCTION,代 理人案件号为 ...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：含有多个堆叠层组的超晶格；所述超晶格的每个层组包含多个堆叠的基础硅单层，这些单层限定了基础硅部分及其上面的能带修改层；所述能带修改层包含被约束在相邻的基础硅部分的晶格中的至少一个非半导体单层；与所述超晶格相邻的半导体层，其中包括含有第一导电性的掺杂剂的至少一个第一区；和所述超晶格包括含有第二导电性的掺杂剂的至少一个第二区，该至少一个第二区与所述至少一个第一区一起限定至少一个半导体结。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-4-1 11/097,5881.一种半导体器件，包括含有多个堆叠层组的超晶格；所述超晶格的每个层组包含多个堆叠的基础硅单层，这些单层限定了基础硅部分及其上面的能带修改层；所述能带修改层包含被约束在相邻的基础硅部分的晶格中的至少一个非半导体单层；与所述超晶格相邻的半导体层，其中包括含有第一导电性的掺杂剂的至少一个第一区；和所述超晶格包括含有第二导电性的掺杂剂的至少一个第二区，该至少一个第二区与所述至少一个第一区一起限定至少一个半导体结。2. 权利要求1中的半导体器件，其中，所述至少一个第一区和 所述至少一个第二区彼此直接接触。3. 权利要求1中的半导体器件，其中，所述至少一个第一区和 所述至少一个第二区相互隔开。4. 权利要求1中的半导体器件，其中，所述至少一个第一区和 所述至少一个第二区沿垂直方向排列，使得至少一个半导体结在水平 方向延伸。5. 权利要求1中的半导体器件，其中，所述至少一个第一区和 所述至少一个第二区沿水平方向排列，使得至少一个半导体结在垂直 方向延伸。6. 权利要求1中的半导体器件，其中，每个能带修改层含有氧元素。7. 权利要求1中的半导体器件，其中，每个能带修改层包含从 包括氧、氮、氟、和碳-氧的组中选择的非半导体。8. 权利要求1中的半导体器件，其中，每个能带修改层为一个 单层的厚度。9. 权利要求1中的半导体器件，其中，每个基础硅部分小于八个单层的厚度。10. 权利要求l中的半导体器件，其中，所述超晶格还包括在最上面的层组上的基础半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特J梅尔斯，罗伯特约翰史蒂芬森，
申请(专利权)人：梅尔斯科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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