一种晶片金属引线及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆金属引线及其制作方法。现有的晶圆金属引线在制作过程中易使晶圆上生成致使金属引线短路或存在短路隐患的缺陷。本发明专利技术的晶圆金属引线，其设置在晶圆上，其从下至上依次包括一连接层、一金属层、一第二保护层以及一第一保护层，其中，该第二保护层比该第一保护层致密；在生成上述金属引线后，再在该第一保护层上涂敷光刻胶并进行光刻及显影，接着通过刻蚀形成预设形状的金属引线。采用本发明专利技术可避免在金属引线制作过程中生成致使金属引线短路或存在短路隐患的缺陷，极大地提高了晶圆的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及。技术背景在半导体制造过程中，当在晶圓上生成复杂的集成电路图形后，需要经过 封装以形成可以直接使用的器件，封装除使用外壳将棵晶保护起来外，更重要 的是形成可以直接与其他器件进行连接的金属引线，该金属S j线设置在晶圆上， 其从下至上依次包括连接层、金属层、保护层，通常该连接层和保护层为氮化 钛，而金属层为铝铜合金。该金属引线的制作步骤为首先使用化学气相沉积的 方法在晶圓衬底上生成连接层即氮化钛，然后使用金属賊射的方法在连接层上 生成金属层即铝铜合金，接着使用化学气相沉积的方法在晶圓衬底上生成保护 层即氮化钛，之后在保护层上涂敷光刻胶，再进行光刻以形成金属电极，而光 刻在掩模上生成掩模图形后，需使用显影液与光刻胶进行反应以使电极图形显 影。但是，由于最上层的保护层即氮化钛的致密性较差，其表面上存在很多晶 格裂紋，当使用显影液与光刻胶反应以将金属电极显影出来时，显影液除与被 曝光区域的光刻胶反应外，还穿过保护层上的晶格裂缝与金属层进行反应，生 成后续刻蚀都难以去除的缺陷，当该缺陷恰搭接两金属引线间时会使器件成为 不良品，而当该缺陷处在两金属电极之间的区域时，易造成后续测试或使用过 程中的金属电极漏电或击穿，故存在着极大的安全隐患。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圃金属引线，通过本专利技术的晶圓金属引线可 避免制作金属电极时生成致使金属引线短路或存在短路隐患的缺陷。本专利技术的目的是这样实现的 一种晶圓金属引线，其设置在晶圆上，其从下至 上依次包括一连接层、 一金属层以及一第一保护层，该金属引线还包括一设置 在金属层以及第一保护层之间的第二保护层，其中，该第二保护层比该第一保 护层致密。在上述的晶圓金属引线中，该连接层及该第一保护层均为氮化钛层。 在上述的晶圆金属引线中，该金属层为铝铜合金层。在上述的晶圓金属引线中，该第二保护层为钛层，且该钛层厚度为150埃。 本专利技术还提供一种晶圆金属引线制作方法，其包括首先在晶圓上依次生成 连接层、金属层、第一保护层，然后在该第一保护层上涂敷光刻胶并进行光刻 及显影，接着通过刻蚀形成预设形状的金属引线，其中，在晶圆衬底上依次生 成连接层、金属层、第一保护层步骤中，还包括在金属层和第一保护层间生成 一比第一保护层致密的第二保护层。在上述的晶圆金属引线制作方法中，该连接层及该第一保护层均为氮化钛层。在上述的晶圆金属引线制作方法中，该金属层为铝铜合金层。 在上述的晶圓金属引线制作方法中，该第二保护层为钛层，且该钛层厚度 为150埃。与现有技术中晶圆金属电极只有一层保护层相比，本专利技术的晶圓金属电极 因在第一保护层和金属层之间加入一层比第一保护层致密的第二保护层，避免 了在晶圓金属制作过程中显影液穿过保护层而与金属反应生成致使金属引线短 路或存在短路隐患的缺陷，极大地提高了晶圓的良品率。附图说明本专利技术的晶圓金属引线及其制作方法由以下的实施例及附图给出。图1为本专利技术的晶圓金属引线的剖视图；图2为本专利技术的晶圆金属引线制作方法流程示意图。具体实施方式以下将对本专利技术的晶圓金属引线及其制作方法作进一步的详细描述。 参见图l，本专利技术的晶圆金属引线l,设置在晶圓(未图示)上，其从下至上依次包括连接层IO、金属层ll、第二保护层12以及第一保护层13。在本实施例中，连接层1Q为氮化钛层，其厚度为375埃；金属层11为铝 铜合金层，其厚度为9000埃；第二保护层12为钛层，其厚度为150埃，第一 保护层13为氮化钛层，其厚度为250埃。参见图2，本专利技术的晶圆金属引线制作方法首先进行步骤S20,在晶圆上依 次生成连接层、金属层、第二保护层以及第一保护层，其中，第二保护层比第 一保护层致密。在本实施例中，该连接层、金属层、第二保护层和第一保护层 分别为氮化钛层、铝铜合金层、钛层和氮化钛层，其厚度分别为375埃、9000 埃、150埃和250埃。然后进行步骤S21。在步骤S21中，在该第一保护层上涂敷光刻胶并进行光刻及显影。然后进 行步骤S22。在步骤S22中，通过刻蚀形成预设形状的金属引线。综上所述，本专利技术的晶圓金属引线及其制作方法可避免在晶圆金属制作过 程中显影液穿过保护层而与金属反应生成致使金属51线短路或存在短路隐患的 缺陷，极大地提高了晶圓的良品率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆金属引线，设置在晶圆上，其从下至上依次包括一连接层、一金属层以及一第一保护层，其特征在于，该金属引线还包括一设置在金属层以及第一保护层之间的第二保护层，其中，该第二保护层比该第一保护层致密。

【技术特征摘要】
1. 一种晶圆金属引线，设置在晶圆上，其从下至上依次包括一连接层、一金属层以及一第一保护层，其特征在于，该金属引线还包括一设置在金属层以及第一保护层之间的第二保护层，其中，该第二保护层比该第一保护层致密。2、 如权利要求1所述的晶圓金属引线，其特征在于，该连接层及该第一保 护层均为氮化钛层。3、 如权利要求1所述的晶圓金属引线，其特征在于，该金属层为铝铜合金层。4、 如权利要求l所述的晶圆金属引线，其特征在于，该第二保护层为钛层。5、 如权利要求4所述的晶圆金属引线，其特征在于，该钛层厚度为150埃。6、 一种晶圆金属引线制作方法，其包括首先在晶圆上依次生成连接层、金 属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：范生辉，吴俊雄，贾宬，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]