薄膜晶体管、显示基板及显示基板的制备方法技术

本公开实施例提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示基板的制备方法，所述薄膜晶体管包括设置在衬底上的栅极、有源层、设于所述有源层的远离所述衬底一侧的层间绝缘层，以及设于所述层间绝缘层的远离所述衬底一侧的源极和漏极；所述有源层包括沟道区，以及位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述源极区设有第一斜坡部，所述漏极区设有第二斜坡部；所述源极通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与所述第一斜坡部搭接，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔与所述第二斜坡部搭接。本公开实施例的薄膜晶体管可以降低源电极和漏电极与有源层搭接部分的接触电阻，降低功耗。降低功耗。降低功耗。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示基板及显示基板的制备方法


[0001]本公开实施例涉及显示
，具体涉及薄膜晶体管、显示基板及显示基板的制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵驱动的液晶显示面板、有机电致发光二极管显示面板的重要电子器件。一些显示面板中，薄膜晶体管的源电极和漏电极分别通过贯穿无机绝缘层的两个过孔与薄膜晶体管的有源层的源极区和漏极区搭接，搭接部分存在接触电阻较大的问题，这增加了显示面板的功耗。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示基板的制备方法，可以降低薄膜晶体管的源电极和漏电极与有源层搭接部分的接触电阻，降低显示基板的功耗。
[0004]本公开实施例提供一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上的栅极、有源层、设于所述有源层的远离所述衬底一侧的层间绝缘层，以及设于所述层间绝缘层的远离所述衬底一侧的源极和漏极；所述有源层包括沟道区，以及位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述源极区设有第一斜坡部，所述漏极区设有第二斜坡部；所述源极通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与所述第一斜坡部搭接，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔与所述第二斜坡部搭接。
[0005]可选地，所述第一斜坡部的远离所述衬底的表面为斜面或曲面；或/和，所述第二斜坡部的远离所述衬底的表面为斜面或曲面。
[0006]可选地，所述第一过孔在靠近所述第一斜坡部的位置处孔径变大，并将所述第一斜坡部的远离所述衬底的表面至少部分地暴露；所述第二过孔在靠近所述第二斜坡部的位置处孔径变大，并将所述第二斜坡部的远离所述衬底的表面至少部分地暴露。
[0007]可选地，所述第一过孔还贯穿所述第一斜坡部，所述第二过孔还贯穿所述第二斜坡部。
[0008]可选地，所述薄膜晶体管还包括第一栅绝缘层；所述有源层、所述第一栅绝缘层、所述栅极和所述层间绝缘层依次叠设于所述衬底上；所述栅极在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影相同。
[0009]本公开实施例还提供一种显示基板，包括所述的薄膜晶体管。
[0010]可选地，所述显示基板还包括依次叠设于所述衬底上的遮光层和缓冲层，所述薄膜晶体管设于所述缓冲层的远离所述衬底一侧；
[0011]所述遮光层在所述衬底上的正投影包含所述有源层在所述衬底上的正投影，所述遮光层的远离所述衬底的表面设有第一坡面和第二坡面，所述第一斜坡部在所述衬底上的正投影与所述第一坡面在所述衬底上的正投影存在交叠区域，所述第二斜坡部在所述衬底上的正投影与所述第二坡面在所述衬底上的正投影存在交叠区域。
[0012]可选地，所述第一坡面为斜面或曲面；或/和，所述第二坡面为斜面或曲面。
[0013]可选地，所述遮光层的远离所述衬底的表面还设有连接所述第一坡面和所述第二坡面的连接面，所述连接面在所述衬底上的正投影包含所述沟道区在所述衬底上的正投影。
[0014]可选地，所述遮光层在所述第一坡面处的厚度在沿远离所述连接面的方向上逐渐增大，所述遮光层在所述第二坡面处的厚度在沿远离所述连接面的方向上逐渐增大；所述遮光层在所述连接面处的厚度为d1，0.12um≤d1≤0.15um；所述遮光层在所述第一坡面和所述第二坡面处的最小厚度为d2，d2≥d1，所述遮光层在所述第一坡面和所述第二坡面处的最大厚度为d3，0.25um≤d3≤0.3um。
[0015]可选地，所述薄膜晶体管还包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层；所述有源层、所述第一栅绝缘层、所述栅极、所述第二栅绝缘层和所述层间绝缘层依次叠设于所述缓冲层的远离所述衬底一侧；所述第一过孔和所述第二过孔还贯穿所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层；所述显示基板还包括电容，所述电容的一个极板设置在所述第二栅绝缘层上。
[0016]可选地，所述第一过孔在所述第一栅绝缘层的靠近所述第一斜坡部的部分孔径变大，并将所述第一斜坡部的远离所述衬底的表面至少部分地暴露；
[0017]所述第二过孔在所述第一栅绝缘层的靠近所述第二斜坡部的部分孔径变大，并将所述第二斜坡部的远离所述衬底的表面至少部分地暴露。
[0018]本公开实施例还提供一种制备所述显示基板的方法，包括：
[0019]在衬底上形成遮光薄膜；
[0020]在所述遮光薄膜上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括第一区和与所述第一区的两侧分别连接的第二区和第三区，所述第二区和所述第三区的厚度沿远离所述第一区的方向逐渐增加；
[0021]对覆盖有所述第一掩膜层的所述遮光薄膜进行刻蚀，使所述遮光薄膜的未被所述第一掩膜层覆盖的部分完全刻蚀掉，所述遮光薄膜的被所述第一掩膜层覆盖的部分被刻蚀成所述遮光层；
[0022]在所述遮光层的远离所述衬底一侧沉积缓冲薄膜并形成缓冲层；
[0023]在所述缓冲层的远离所述衬底一侧沉积半导体薄膜，采用构图工艺对所述半导体薄膜进行图案化处理并形成半导体薄膜图案，对所述半导体薄膜图案的配置为与所述源极和所述漏极连接的区域进行导体化处理并形成所述有源层。
[0024]可选地，所述第一区的厚度为a，0<a≤0.3um，所述第二区和所述第三区的最小厚度大于等于所述第一区的厚度，所述第二区和所述第三区的最大厚度为b，1um≤b≤1.5um。
[0025]可选地，所述遮光层的材料包括钼金属或者钼合金。
[0026]可选地，所述对覆盖有所述第一掩膜层的所述遮光薄膜进行刻蚀的过程中，所采用的刻蚀气体为六氟化硫和氧气的混合气体，所述第一掩膜层的灰化速度与所述遮光薄膜的灰化速度的比值大于等于1/3。
[0027]本公开实施例的薄膜晶体管，有源层的源极区设有第一斜坡部，漏极区设有第二斜坡部，源极通过第一过孔与第一斜坡部搭接，漏极通过第二过孔与第二斜坡部搭接，这样，通过设置第一斜坡部和第二斜坡部，可以增大源极区与源极的接触面积以及增大漏极区与漏极的接触面积，从而可降低源极区与源极的接触电阻以及降低漏极区与漏极的接触
电阻，有利于降低采用有所述薄膜晶体管的显示基板的功耗。
[0028]本公开实施例的显示基板的制备方法，在遮光薄膜上形成第一掩膜层，通过将第一掩膜层的不同区域设置为不同厚度，并在后续对覆盖有第一掩膜层的遮光薄膜进行刻蚀过程中使第一掩膜层和遮光薄膜一同被刻蚀，最终使得刻蚀形成的遮光层的远离衬底的表面具有第一坡面和第二坡面，这样，使得后续沉积的半导体薄膜的对应于第一坡面和第二坡面的位置可自然地形成第一斜坡部和第二斜坡部。
附图说明
[0029]附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
[0030]图1为一些示例性实施例的薄膜晶体管的结构示意图；
[0031]图2a为一些示例性实施例的显示基板的结构示意图；
[0032]图2b为一些示例性实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于：包括设置在衬底上的栅极、有源层、设于所述有源层的远离所述衬底一侧的层间绝缘层，以及设于所述层间绝缘层的远离所述衬底一侧的源极和漏极；所述有源层包括沟道区，以及位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述源极区设有第一斜坡部，所述漏极区设有第二斜坡部；所述源极通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与所述第一斜坡部搭接，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔与所述第二斜坡部搭接。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述第一斜坡部的远离所述衬底的表面为斜面或曲面；或/和，所述第二斜坡部的远离所述衬底的表面为斜面或曲面。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述第一过孔在靠近所述第一斜坡部的位置处孔径变大，并将所述第一斜坡部的远离所述衬底的表面至少部分地暴露；所述第二过孔在靠近所述第二斜坡部的位置处孔径变大，并将所述第二斜坡部的远离所述衬底的表面至少部分地暴露。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述第一过孔还贯穿所述第一斜坡部，所述第二过孔还贯穿所述第二斜坡部。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管还包括第一栅绝缘层；所述有源层、所述第一栅绝缘层、所述栅极和所述层间绝缘层依次叠设于所述衬底上；所述栅极在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影相同。6.一种显示基板，其特征在于：包括权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管。7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于：所述显示基板还包括依次叠设于所述衬底上的遮光层和缓冲层，所述薄膜晶体管设于所述缓冲层的远离所述衬底一侧；所述遮光层在所述衬底上的正投影包含所述有源层在所述衬底上的正投影，所述遮光层的远离所述衬底的表面设有第一坡面和第二坡面，所述第一斜坡部在所述衬底上的正投影与所述第一坡面在所述衬底上的正投影存在交叠区域，所述第二斜坡部在所述衬底上的正投影与所述第二坡面在所述衬底上的正投影存在交叠区域。8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于：所述第一坡面为斜面或曲面；或/和，所述第二坡面为斜面或曲面。9.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于：所述遮光层的远离所述衬底的表面还设有连接所述第一坡面和所述第二坡面的连接面，所述连接面在所述衬底上的正投影包含所述沟道区在所述衬底上的正投影。10.如权利要求9所述的显示基板，其特征在于：所述遮光层在所述第一坡面处的厚度在沿远离所述连接面的方向上逐渐增大，所述遮光层在所述第二坡面处的厚度在沿远离所述连...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，王海东，郭春升，杨越，苏同上，张扬，栾兴龙，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：