扫描曝光机校准度检测方法技术

一种扫描曝光机校准度检测方法，包括下列步骤：选定作为标准的扫描曝光机，并调整所述的标准扫描曝光机的传输系统的精度；使用所述的标准扫描曝光机在晶片上定义出预定的标记图形，并经刻蚀工艺加工后在晶片上形成立体标记图形；用待测扫描曝光机模拟加工所述的刻有标记的晶片；根据所述的待测扫描曝光机输出的加工结果报告中的偏差值与预定的偏差允许范围判断待测扫描曝光机的校准度。本发明专利技术解决了多台扫描曝光机校准不一致时的检测问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用扫描曝光机进行晶片加工的领域，尤其涉及一种扫描曝 光才几4交准度4企测方法。背景4支术用来加工集成电路用的晶片， 一般分为十几层，有些要分为二十几层， 因为各层的结构不同，所以通常每层都是经过不同的扫描曝光机加工到晶片 上的。如果不同的扫描曝光机的对准不一致，则同一晶片的不同层之间就会 存在偏差，如果这个偏差超出了规定的标准范围，则生产加工出来的晶片的 各层之间也会有很大的偏差，这样的晶片就无法用来进行后续加工，就是不 合格产品。要解决晶片不同层之间的对准偏差问题，就要尽量使所有机台的对准都 一致。因此，业界一直不断地致力于不同的扫描曝光机之间的绝对对准标准 不同的问题，但绝对标准很难确定，因为不同机台内部的标准不同。因此用 于检测不同扫描曝光机的校准标准和方法也很难确定。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，克服了现有技 术的不足，通过检测不同扫描曝光机之间的相对偏差，解决检测多台扫描曝 光机对准不一致的问题。本专利技术是通过以下技术方法实现的一种，包括下列步骤选定作为标准的扫描 曝光机，并调整所述的标准扫描曝光机的传输系统的精度；使用所述的标准 扫描曝光机在晶片上定义出预定的标记图形，并经刻蚀工艺加工后在晶片上 形成立体标记图形；用待测扫描曝光机模拟加工所述的刻有标记的晶片；根 据所述的待测扫描曝光机输出的加工结果报告中的偏差值与预定的偏差允许 范围判断待测扫描曝光机的校准度。所述的中，所述的晶片应为5片或5片以上。 所述的加工结果^I艮告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值 以及角度偏差值。所述的加工结果报告中的偏差值应为平均值。所述的标记 的形状可以是矩形、圓形、三角形或椭圓形。所述的标记的图形的最大长度 不应超过半径的三分之一。所述的标记应刻蚀在所述的晶片的三分之二半径 和圓周之间。所述的扫描曝光才几校准度;f企测方法，所述的标记应为2个或2个以上。 所述的标记之间的距离之和应为最大。所述的加工结果报告中的偏差值包括X 方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加工结果报告中的 偏差值应为平均值。所述的标记的形状可以是矩形、圆形、三角形或椭圓形。 所述的标记的图形的最大长度不应超过半径的三分之一。所述的标记应刻蚀 在所述的晶片的三分之二半径和圓周之间。本专利技术的以一台作为标准的扫描曝光机加工 的若千晶片为参照，通过在待测机器上模拟加工时得出的数据来判断待测机 器相对于标准扫描曝光机的对准度，解决了多台扫描曝光机对准不一致时的 检测问题。附图说明图1是本专利技术的流程图；图2是有刻蚀标记的晶片的示意图；图3是使用本专利技术方法判断多台扫描曝光机校准度的示意图；具体实施方式请参阅图1，图1为本专利技术的流程图，包括下 列步骤选定作为标准的扫描曝光机，调整所述的标准扫描曝光机的传输系 统的精度；使用所述的标准扫描曝光机在晶片上定义出预定的标记图形，并 经刻蚀工艺加工后在晶片上形成立体标记图形；用待测扫描曝光机模拟加工 所述的刻有标记的晶片；将所述的待测扫描曝光机输出的加工结果报告中的 偏差值与预定的偏差允许范围对比，判断待测扫描曝光机的校准度。所述的加工结果报告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值 以及角度偏差值。所述的加工结果t艮告中的偏差值应为平均值。所述的标记 的形状可以是矩形、圆形、三角形或椭圆形。所述的标记的图形的最大长度 不应超过半径的三分之一。所述的标记应刻蚀在所述的晶片的三分之二半径 和圆周之间。实验数据表明用于检测的晶片为1片时，检测精度为80%;晶片为2片 时，检测精度为93%;晶片为3片时，检测精度为95%;晶片为4片时，检 测精度为96%;晶片为5片时，检测精度为98%。 一般认为检测精度为98% 以上，符合高精度对准标准。因此，在本专利技术的一个较佳实施例中，使用本专利技术方法时，用于检测的 刻蚀标记的晶片为5片或5片以上，此时检测精度为98%以上。其中所述的 加工结果报告中的偏差值包括X方向的偏差值、丫方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加工结果报告中的偏差值应为平均值。所迷的标记的形状可以 是矩形、圓形、三角形或椭圓形。所述的标记的图形的最大长度不应超过半 径的三分之一。所述的标记应刻蚀在所述的晶片的三分之二半径和圓周之间。请参阅图2，图2为有刻蚀标记的晶片的示意图。其中晶片2上的标记 1可为一个或多个。为了提高精度，在本专利技术的另 一个较佳实施例中，使用本专利技术方法时， 用于检测的晶片上刻蚀的标记为2个或2个以上。其中，所述的标记之间的 距离之和最好为最大，即相邻标记之间的距离相等。所述的加工结果报告中 的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加 工结果报告中的偏差值应为平均值。所述的标记的形状可以是矩形、圆形、 三角形或椭圓形。所述的标记的图形的最大长度不应超过半径的三分之一。 所述的标记应刻蚀在所述的晶片的三分之二半径和圓周之间。在上述实施例中，如果用于检测的晶片为5片或5片以上，则其检测精 度会更高。请参阅图3,图3为使用本专利技术方法判断多台扫描曝光机校准度的示意 图。图上的每个点对应一台扫描曝光机^^莫拟加工晶片时输出的偏差值，即待 测扫描曝光机相对于标准扫描曝光机的对准偏差。图3中0值对应的线为无 偏差线，如果扫描曝光机对应的偏差值的点位于O点上，说明没有相对偏差， 完全对准。与0值线相邻的上下两条线为预警线，即预定的偏差允许值；如 果扫描曝光机对应的偏差值的点位于两条预警线之间，即在预定的偏差允许 范围内，则符合对准标准。与预警线相邻的，位于预警范围外的上下两条线 为不符合标准线，如果扫描曝光机对应的偏差值的点位于预警线与不符合标 准线之间时，其对准基本符合标准，但对该台扫描曝光机的检测频率应提高， 防止偏差超过标准值。如果扫描曝光机对应的偏差值的点位于不符合标准线上，或不符合标准线以外时，则该台扫描曝光机已不符合对准标准，应对其 进行手工一交对。以上介绍的仅仅是基于本专利技术的几个较佳实施例，并不能以此来限定本 专利技术的范围。任何对本专利技术的装置作本
内熟知的部件的替换、组合、 分立，以及对本专利技术实施步骤作本
内熟知的等同改变或替换均不超 出本专利技术的揭露以及保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扫描曝光机校准度检测方法，其特征在于包括下列步骤：选定作为标准的扫描曝光机，并调整所述的标准扫描曝光机的传输系统的精度；使用所述的标准扫描曝光机在晶片上定义出预定的标记图形，并经刻蚀工艺加工后在晶片上形成立体标记图形；用待测扫描曝光机模拟加工所述的刻有标记的晶片；根据所述的待测扫描曝光机输出的加工结果报告中的偏差值与预定的偏差允许范围判断待测扫描曝光机的校准度。

【技术特征摘要】
1. 一种扫描曝光机校准度检测方法，其特征在于包括下列步骤选定作为标准的扫描曝光机，并调整所述的标准扫描曝光机的传输系统的精度；使用所述的标准扫描曝光机在晶片上定义出预定的标记图形，并经刻蚀工艺加工后在晶片上形成立体标记图形；用待测扫描曝光机模拟加工所述的刻有标记的晶片；根据所述的待测扫描曝光机输出的加工结果报告中的偏差值与预定的偏差允许范围判断待测扫描曝光机的校准度。2、 如权利要求1所述的扫描曝光机校准度^r测方法，其特征在于所述 的晶片应为5片或5片以上。3、 如权利要求1或2所述的扫描曝光机校准度检测方法，其特征在于 所述的加工结果报告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及 角度偏差值。4、 如权利要求1或2所述的扫描曝光机校准度检测方法，其特征在于 所述的加工结果报告中的偏差值应为平均值。5、 如权利要求1或2所述的扫描曝光机校准度检测方法，其特征在于 所述的标记的形状可以是矩形、圆形、三角形或椭圓形。6、 如权利要求1或2所述的扫描曝光机校准度检测方法，其特征在于 所述的标记的图形的最大长度...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金坡，车越，邹超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]