器件识别方法、器件制造方法以及电子器件技术

本发明专利技术提供电子器件的器件识别方法，是识别具有电子器件实际工作时工作的实际工作电路；以及设有多个测试用元件，在测试电子器件时工作的测试用电路的电子器件的器件识别方法；该方法具有：特性测量步骤，其测试多个测试用元件的电特性；识别信息存储步骤，其作为电子器件的识别信息存储各个测试用元件的电特性；识别信息取得步骤，其为了识别所需的电子器件，测量该电子器件中包含的多个测试用元件的电特性，取得该电子器件的识别信息；匹配步骤，其将识别信息取得步骤取得的前述识别信息与识别信息存储步骤存储的识别信息进行比较，当识别信息一致的情况下，判定为同一电子器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体电路等的电子器件、识别电子器件的器件识别方法，以及制造电 子器件的器件制造方法。本专利技术尤其涉及设置了 TEG (Test Element Group)等的测试 用电路的电子器件以及与该电子器件有关的器件识别方法及器件制造方法。
技术介绍
多年来，在制造半导体电路等的电子器件时，均是在一块晶片上形成多个电子器件， 将该晶片切割成各个电子器件。因此，在切断晶片之后，难以识别出各个电子器件是在 哪块晶片的哪个位置上形成的。因此，当电子器件中产生不良、故障等情况下，难以分 析其原因。针对此问题，众所周知的有给电子器件附加识别信息的技术。例如在各个电子器件 的表面上赋予光学识别码的方法，以及使识别信息电气性存储在各个电子器件中的方法 等。相关专利文献等，因目前并不掌握，因而省略其表述。然而，现用的识别方法除电子器件中正常设置的电路之外，还需要设置保持该识别 信息的手段，从而恶化了电子器件的面积效率和制造效率等。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够解决上述课题的电子器件识别方法、电子器 件制造方法以及电子器件，该目的可通过组合权利要求范围内的独立权利要求中所述的 特征实现。从属权利要求规定了本专利技术的更为有利的具体实施例。
技术实现思路
为了解决上述课题，本专利技术的第l方案提供一种器件识别方法，是识别配置有电子 器件实际工作时工作的实际工作电路，以及设有多个测试用元件，在测试电子器件时工 作的测试用电路的电子器件的器件识别方法，该方法具有特性测量步骤，其测试多个 测试用元件的电特性；识别信息存储步骤，其作为电子器件的识别信息存储各个测试用 元件的电特性；识别信息取得步骤，其为了识别所需的电子器件，测试该电子器件中包含的多个测试用元件的电特性，取得该电子器件的识别信息；匹配步骤，其将识别信息 取得步骤取得的识别信息与识别信息存储步骤存储的识别信息进行比较，当识别信息一 致的情况下，判定为同一电子器件。特性测量步骤可在一个晶片上形成多个电子器件的状态下测试测试用元件的电特 性；识别信息取得步骤在晶片被切割，各个电子器件分离的状态下测试测试用元件的电 特性。在识别信息存储步骤内，可把表示各个测试用元件的电特性是否比预先规定的第1 基准值大的信息作为识别信息存储；可在识别信息存储步骤内，把表示各个测试用元件 的电特性是否比不同于第1基准值的第2基准值大的信息作为识别信息取得。器件识别方法还可具有评价步骤，是在匹配步骤内识别信息一致的情况下，根据特 性测量步骤内测试出的电特性和识别信息取得步骤内测试出的电特性的差分评价前述 电子器件的劣化。本专利技术的第2方案提供一种器件制造方法，是制造配置有电子器件实际工作时工作 的实际工作电路，以及设有多个测试用元件，在测试电子器件时工作的测试用电路的电 子器件的制造方法，该制造方法具有实际电路形成步骤，其在晶片上形成各个电子器 件的实际工作电路；第l测试用电路形成步骤，其在把晶片切割成各个电子器件时的切 割线上形成第l测试电路；第2测试用电路形成步骤，在晶片的与切割线不同的区域内 形成第2测试用电路；特性测量步骤，其测量各个测试用电路中包含的测试用元件的电 特性；识别信息存储步骤，其把特性测量步骤中测量出的电特性中，第2测试用电路中 包含的测试用元件的电特性作为对应的电子器件的识别信息存储；切割步骤，其把晶片 切割为各个电子器件。识别信息存储步骤可把各个电子器件的识别信息与该电子器件的晶片上的位置逐 一对应后存储。在本专利技术的第3方案提供一种电子器件，其具有电子器件实际工作时工作的实际 工作电路；测试电子器件时工作的第3测试用电路以及第2测试用电路；电子器件实际 工作时，通过维持不给第2测试用电路外加电源电压的状态，给实际工作电路及第3测 试用电路外加电源电压，在识别电子器件时，给第2测试用电路外加电源电压的电源部。电源部可给实际工作电路以及第3测试用电路外加大致相同的电源电压。第3测试 用电路和第2测试用电路可具有大致相同的电路构成。第2测试用电路可具有电气性并联设置的多个测试用元件；选择部，其在测试电子器件时，将各个测试用元件依次控制为导通状态；识别信息输出部，其将选择部依次 控制为导通状态的测试用元件的各自的端电压作为电子器件的识别信息输出。第3测试用电路可具有电气性并联设置的多个测试用元件；选择部，其在测试电 子器件时，将各个测试用元件依次控制为导通状态；特性输出部，其依次输出选择部依 次控制为导通状态的测试用元件的端子电压；状态维持部，其在电子器件实际工作时， 将多个测试用元件维持在导通状态。上述专利技术概要并未全部列举出本专利技术的必要特征，这些特征群的局部组合又可构成 专利技术。专利技术效果若采用本专利技术，可取得识别电子器件的信息。此外，由于可将为评价电子器件的特 性而设置的测试用元件的电特性作为识别信息存储，因而无需另行设置赋予电子器件识 别信息的专用构成即可提高电子器件的面积效率、制造效率。附图说明图1是本专利技术的实施方式涉及的测量装置ioo的构成示意图。图2是在晶片500上形成的电子器件510的示意图。 图3是测试用电路300的构成示意图。图4是测试各个测试用元件314的阈值电压，生成电子器件510的识别信息的器件 识别方法的流程图。图5是识别信息存储部20存储的电子器件510的识别信息示意图。 图6是评价各个电子器件510的劣化的评价方法的流程图。 图7是特性测量部16生成识别信息的方法示意图。图7 (a)示出在同一块晶片500上形成多个电子器件510的状态下生成识别信息的 情况。图7 (b)示出晶片500被切割，在各个电子器件510分离的状态下生成识别信息的 情况。图8是测试各个测试用元件314的电流电压特性，生成电子器件510的识别信息的 器件识别方法的流程图。图9是测试各个测试用元件314的PN结漏电流，生成电子器件510的识别信息的 器件识别方法的流程图。图10是测试用电路300中包含的各个单元310构成的另一示意图。 图11是测试各个测试用元件372的栅极漏电流，生成电子器件510的识别信息的 器件识别方法的流程图。图12是单元310构成的另一示意图。图13是制造电子器件510的器件制造方法的说明图。图14是电子器件510构成的另一示意图。附图标记IO.测试头，12.ADC， 14.控制部，16.特性测量部，20.识别信息存储部，22.—致 检出部，IOO.测量装置，300.测试用电路，302.列方向选择部，304.行方向选择部， 306.列方向选择晶体管，310.元件，312.开关用晶体管，314.测试用元件，316.行方向 选择晶体管，318.电流源，320.输出部，371.栅极电压控制部，372.测试用元件， 374.第1开关，376.第2开关，378、 380.复位用晶体管，382.电压外加部，384.顧OS 晶体管，386.PM0S晶体管，388.积分电容，390.输出用晶体管，392.列方向选择晶体管， 394.应力外加部，395.晶体管，396.列方向选择晶体管，397.晶体管，500.晶片， 510.电子器件，520.实际工作电路，530.电源部。具体实施方式下面通过专利技术的实施方式说明本专利技术，但以下的实施方式并不限定权利要求范围涉 及的专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件识别方法，是识别具有在电子器件实际工作时工作的实际工作电路，和设置了多个测试元件、在测试所述电子器件时工作的测试用电路的电子器件的器件识别方法，其特征在于包括如下步骤：　　　　测量所述多个测试用元件的电气特性的特性测量步骤；　　　　将每个所述测试用元件的电气特性作为所述电子器件识别信息存储的识别信息存储步骤；　　　　为了识别所期望的所述电子器件，测量包含在该电子器件中的所述多个测试元件的电气特性，取得该电子器件的所述识别信息的识别信息取得步骤；以及　　　　将所述识别信息取得步骤所取得的所述识别信息与所述识别信息存储步骤所存储的所述识别信息进行比较，当所述识别信息一致时，判定为同一所述电子器件的匹配步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1、一种器件识别方法，是识别具有在电子器件实际工作时工作的实际工作电路，和设置了多个测试元件、在测试所述电子器件时工作的测试用电路的电子器件的器件识别方法，其特征在于包括如下步骤测量所述多个测试用元件的电气特性的特性测量步骤；将每个所述测试用元件的电气特性作为所述电子器件识别信息存储的识别信息存储步骤；为了识别所期望的所述电子器件，测量包含在该电子器件中的所述多个测试元件的电气特性，取得该电子器件的所述识别信息的识别信息取得步骤；以及将所述识别信息取得步骤所取得的所述识别信息与所述识别信息存储步骤所存储的所述识别信息进行比较，当所述识别信息一致时，判定为同一所述电子器件的匹配步骤。2、 根据权利要求1所述的器件识别方法，其特征在于所述特性测量步骤，以在同一个晶片上形成多个所述电子器件的状态，测量所述测试用元件的电气特性；所述识别信息取得步骤，以切断所述晶片，每个所述电子器件为分离的状态，测量所述测试用元件的电气特性。3、 根据权利要求l所述的器件识别方法，其特征在于在所述识别信息存储步骤，存储表示每个所述测试用元件的所述电气特性是否比预 先确定了的第l基准值大的信息作为所述识别信息；在所述识别信息存储步骤，获取表示每个所述测试用元件的所述电气特性是否比与所述第1基准值不同的第2基准值大的信息作为所述识别信息。4、 根据权利要求3所述器件识别方法，其特征在于还包括评价步骤，在所述匹配步骤所述识别信息一致的情况下，根据在所述特性测 量步骤测量的所述电气特性与在所述识别信息取得步骤测得的所述电特性的差分，评价 所述电子器件的劣化。5、 一种装置制造方法，是制造具有在电子器件实际工作时工作的实际工作电路，以及设置了多个测试元件、在测试所述电子器件时工作的测试用电路的电子器件的器件制造方法，其特征在于所述方法包括如下步骤晶片上分别形成电子器件的所述实际工作电路的实际电路形成步骤； 在将所述晶片切断成每个所述电子器件时的切割线上，形成第l所述测试用电路的第l测试用电路形成步...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈安俊幸，须川成利，寺本章伸，
申请(专利权)人：爱德万测试株式会社，国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：JP[日本]