电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板技术

本发明专利技术提供一种电路连接结构体，其利用追加的表面处理而在耐热性树脂膜中导入化学上稳定的官能基从而改善粘接性，即使在高温高湿环境下，在耐热性树脂膜和电路粘接构件间也呈现良好的粘接性。在电路连接结构体１Ａ中，半导体基板２和电路构件３利用它们之间所夹持的电路粘接构件４进行粘接。另外，利用电路粘接构件４中的导电性粒子８，可使半导体基板２表面的第一电路电极５和电路构件３的第二电路电极７电连接。半导体基板２使用含有氮气、氨气等的气体，利用等离子处理而进行表面改性处理。因此，半导体基板２的耐热性树脂膜５和电路粘接构件４，即使在高温高湿环境下也可长期被牢固地粘接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种在液晶显示装置等中使用的电路连接结构体及其 制造方法以及龟路连接结构体用的半导体基板。更详细地说，是关于一 种利用电路粘接构件将半导体基板和电路构件进行粘接，且进行电连接 的电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板。
技术介绍
随着半导体芯片和电子部件的小型薄型化、液晶显示装置的高精细 化，它们所使用的电路和电极正在高密度、高精细化。这种微细电极的连接因为难以利用焊锡(solder)迸行连接，所以最近大多是采用使用粘 接剂的方法。作为使用粘接剂的连接方法，已知有例如在专利文献1中举出的 如下所述的方法，即利用使碳、镍、金属被覆塑料粒子等导电性粒子分 散在绝缘性粘接剂中的各向异性导电性的粘着剂或膜状物，通过加热加 压，在粘接剂的厚度方向得到电连接的ACF (=各向异性导电性薄膜，以 下称为ACF)方法；例如在专利文献2中举出的如下所述的方法，艮P， 不利用导电性粒子而在连接时进行压接，并利用电极面的微细凹凸的直 接接触来得到电连接的NCF (=非导电性薄膜，以下称为NCF)法。近年来，作为介入ACF的电极半导体基板用途，利用根据COG(Chip On Glass)方式或COF (Chip On Film)方式进行着液晶驱动用IC的安装。 在驱动用IC表面上，广泛地应用聚酰亚胺膜或聚苯并嗯唑膜等耐热性树 脂组合物。在耐热性树脂组合物和ACF、 NCF等粘接薄膜之间需要具有 优良的粘接性，特别是作为安装后的芯片，则需要对耐冷热循环试验或 高温高湿试验的可靠性高的粘接性。提高作为耐热性树脂的聚酰亚胺膜和ACF间的粘接性的方法包括， 在专利文献3中记载的有关通过对聚酰亚胺膜进行等离子处理而使粘接 性提高的技术。另外，在专利文献4中，也记载有有关通过对聚酰亚胺 膜进行低温等离子处理而使粘着性提高的技术。专利文献1:特开昭55 — 104007号公报专利文献2:特开昭60—262430号公报专利文献3:特开2003 — 73862号公报专利文献4:特开2003 — 163451号公报但是，在专利文献3中，具体所公开的处理气体的种类只有氧气， 而关于安装后的芯片，则完全没有有关对耐冷热循环试验和高温高湿试 验的可信性高的粘接性的记载。另外，在专利文献4中，具体所公开的 处理气体的种类只有氧气，而关于安装后的芯片，则完全没有有关对耐 冷热循环试验或高温高湿试验的可信性高的粘接性的记载。实际上，对 于氧气而言，存在无法实现该粘接性的长期的改善效果的问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决以上所述的以往问题的专利技术，其目的在于提供一 种不是在耐热性树脂组合物的表面上设置物理性的凹凸或者使表面呈疏 水性而防止吸湿劣化来改善粘接性，而是利用追加的表面处理在耐热性 树脂膜中导入化学上稳定的官能基来改善粘接性，且即使在高温高压下 使用中，也可以在耐热性树脂膜和电路粘接构件之间呈现优良的粘接性 的电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板。为了解决上述课题并达成目的，利用本专利技术的电路连接结构体的制造方法具有如下所述的特征，即，所述电路连接结构体的制造方法包括 使用含有从氮气、氨气及肼气体构成的组中选择的至少一种的氮系气体， 对在表面具有耐热性树脂膜及第一电路电极的半导体基板进行等离子处 理而进行表面改性处理的工序；使电路粘接构件介于所述被表面改性处理的半导体基板、和在表面具有与所述第一电路电极对置的第二电路电 极的电路构件之间，并以所述第一及第二电路电极对置的方式进行配置的工序；将所述半导体基板及所述电路构件进行压接，使所述半导体基板及所述电路构件进行粘接，且将对置的所述第一及第二电路电极彼此 进行电连接的压接工序。另外，本专利技术的电路连接结构体的制造方法的特征在于所述电路 粘接构件含有导电性粒子，且所述第一及第二电路电极经由所述导电性 粒子进行电连接。另外，本专利技术的电路连接结构体的制造方法的特征在于所述氮系 气体为进而含有氢或惰性气体的混合气体。另外，本专利技术的电路连接结构体的制造方法的特征在于所述氮系 气体的比率相对所述混合气体为20~100容积％。另外，本专利技术的电路连接结构体的制造方法的特征在于所述耐热 性树脂膜为由选自聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯并隨唑、聚苯 并咪唑及苯并环丁烯构成的组中的至少二种共聚物，或选自所述组中的 至少一种前体构成的膜。另外，本专利技术的电路连接结构体的制造方法的特征在于所述等离 子处理在0.5Pa到常压范围的压力下进行。另外，本专利技术的电路连接结构体的制造方法的特征在于所述半导 体基板为半导体元件。另外，本专利技术的电路连接结构体的制造方法的特征在于所述电路 构件为玻璃基板、金属基板或陶瓷基板。另外，本专利技术的电路连接结构体的制造方法的特征在于所述电路 粘接构件为粘接薄膜或粘接膏。另外，本专利技术的电路连接结构体的制造方法的特征在于所述粘接 薄膜或粘接膏含有环氧系树脂。另外，本专利技术的电路连接结构体的特征在于利用所述电路连接结 构体的制造方法进行制造。另外，本专利技术的电路连接结构体用的半导体基板的特征在于所述 半导体基板在表面具有耐热性树脂膜及第一电路电极，利用含有从氮气、 氨气及肼气体构成的组中选择的至少一种的氮系气体，并通过等离子处 理施行表面改性处理。根据本专利技术，由于对半导体基板进行等离子处理而进行表面改性处理，所以使半导体基板的表面上所形成的耐热性树脂膜、和电路粘接构 件即其中的含有环氧系树脂的粘接薄膜的粘着性提高，因此，起到即使 在高温高湿下也可长期维持良好的粘接性，能够制造具有高可信性的电 路连接结构体的效果。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式1中的电路连接结构体的概略剖面图。图2是表示使半导体基板和电路构件对置的状态的概略剖面图。 图3是表示在半导体基板和电路构件之间配置电路粘接构件(ACF)的状态的概略剖面图。图4是表示本专利技术的实施方式2中的电路连接结构体的概略剖面图。 图5是表示在半导体基板和电路构件之间配置电路粘接构件(NCF)的状态的概略剖面图。图中1A、 1B—电路连接结构体，2 —半导体基板，3 —电路构件，4一电路粘接构件，5 —耐热性树脂膜，6—第一电路电极，7—第二电路电极，8 —导电性粒子具体实施方式以下，根据图示详细地进行说明本专利技术的电路连接结构体及其制造 方法以及电路连接结构体用的半导体基板的实施方式。还有，本专利技术并 不被以下实施方式所限定。 (实施方式1)图1是表示本专利技术的实施方式1中的电路连接结构体的概略剖面图。 实施方式1对使用各向异性导电性薄膜(ACF)作为电路粘接构件4的情 况进行说明。在图1中，电路连接结构体1A是半导体基板2与电路构件 3夹持电路粘接构件4而构成。在半导体基板2的表面具有耐热性树脂膜5，且形成有多个第一电路 电极例如金电极。在电路构件3的表面形成有多个与第一电路电极6对 置的多个第二电路电极7。另外，将分别形成有这些第一及第二电路电极 6、 7的半导体基板2及电路构件3的面，作为它们的表面。半导体基板2和电路构件3是利用电路粘接构件4进行粘接。特另U 是，如后面所说明的，耐热性树脂膜5和电路粘接构件4被牢固地进行 粘接。另外，在电路粘接构件4中分散有导电性粒子8，利用介于第一电 路电极6和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路连接结构体的制造方法，其特征在于，包括：　　　　使用含有从氮气、氨气及肼气体构成的组中选择的至少一种气体的氮系气体，对表面具有耐热性树脂膜及第一电路电极的半导体基板进行等离子处理，从而进行表面改性处理的工序；　　　　使所述已进行表面改性处理的半导体基板、和在表面具有与所述第一电路电极对置的第二电路电极的电路构件隔着电路粘接构件，以所述第一及第二电路电极对置的方式进行配置的工序；以及　　　　将所述半导体基板及所述电路构件进行压接，使所述半导体基板及所述电路构件进行粘接，且将对置的所述第一及第二电路电极彼此进行电连接的压接工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-8-22 240204/20051.一种电路连接结构体的制造方法，其特征在于，包括使用含有从氮气、氨气及肼气体构成的组中选择的至少一种气体的氮系气体，对表面具有耐热性树脂膜及第一电路电极的半导体基板进行等离子处理，从而进行表面改性处理的工序；使所述已进行表面改性处理的半导体基板、和在表面具有与所述第一电路电极对置的第二电路电极的电路构件隔着电路粘接构件，以所述第一及第二电路电极对置的方式进行配置的工序；以及将所述半导体基板及所述电路构件进行压接，使所述半导体基板及所述电路构件进行粘接，且将对置的所述第一及第二电路电极彼此进行电连接的压接工序。2. 根据权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于， 所述电路粘接构件含有导电性粒子，且所述第一及第二电路电极经由所述导电性粒子进行电连接。3. 根据权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于， 所述氮系气体是还包含氢气或惰性气体的混合气体。4. 根据权利要求3所述的电路连接结构体的制造方法，其特征在于， 所述氮系气体的比率相对所述混合气体为20-100容积。％。5. 根据权利要求1所述的电路连接结构体的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：金谷雄一，田中俊明，板桥俊明，
申请(专利权)人：日立化成杜邦微系统股份有限公司，日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]