【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种图像传感器的制造工艺方法，尤其涉及一种降低图像 传感器入射光噪声的方法。
技术介绍
在图像传感器领域，CCD (电荷藕合器件) 一直处于主导地位。但是 由于其制造工艺与CMOS工艺无法兼容，信号处理电路无法与CCD集成在 同一芯片上，给CCD在制造成本和系统解决方案上带来了无法克服的局 限。近年来，CMOS图像传感器(有源像素)技术迅速发展。CMOS图像传 感器的制造工艺与信号处理芯片的CMOS电路制造工艺完全兼容，因此可 以很方便的将图像传感器与信号处理集成在同一芯片上，不仅降低了系统 成本，而且使系统的功耗降低，系统集成方案更加简单，并更加微型化。目前，无论是电荷耦合器件还是CMOS的图像传感器，都使用金属连 线作为电路的互连结构。其中采用金属铝占主导地位，铝连线的实现依靠 干法刻蚀完成。但是由干法刻蚀形成的铝连线是上部较小，下部较大的剖 面结构，铝线的光滑侧壁，在传感器的应用中有很强的光反射现象，如图 1所示，入射光通过铝线上方的微透镜和滤色层， 一部分入射光聚焦光束 到达多晶硅衬底的感光区，而部分入射散射光到达铝线的光滑侧壁，形成 很强的反射光，从而造成图像品质的下降。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种降低图像传感器入射光噪声的 方法，采用该方法能改善图像传感器的光学性能，提高图像质量。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种降低图像传感器入射光噪声的 方法，采用在图像传感器芯片的金属连线的侧壁加上防反射介质层以降低 金属连线侧壁光反射，具体由如下步骤实现制造图像传感器集成电路时，在完成金属连线的刻蚀工序后，(1) ...
【技术保护点】
一种降低图像传感器入射光噪声的方法，其特征在于，采用在图像传感器芯片的金属连线的侧壁加上防反射介质层以降低金属连线侧壁光反射，具体由如下步骤实现：制造图像传感器集成电路时，在完成金属连线的刻蚀工序后，（１）在硅片上淀积防反射 介质层；（２）用干法刻蚀的方法去除硅片表面的防反射介质层，而保留淀积在金属连线侧壁的防反射介质层。
【技术特征摘要】
1. 一种降低图像传感器入射光噪声的方法，其特征在于，采用在图像传感器芯片的金属连线的侧壁加上防反射介质层以降低金属连线侧壁光反射，具体由如下步骤实现制造图像传感器集成电路时，在完成金属连线的刻蚀工序后，(1)在硅片上淀积防反射介质层；(2)用干法刻蚀的方法去除硅片表面的防反射介质层，而保留淀积在金属连线侧壁的防反射介质层。2、 如权利要求1所述的降低图像传感器入射光噪...
【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，李文强，赵立新，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，格科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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