【技术实现步骤摘要】
一种像素驱动电路、其驱动方法及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
,特别涉及一种像素驱动电路、其驱动方法及显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示技术的发展,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示装置向着高集成度和低成本的方向发展。为了降低显示装置的功耗,在显示静态画面时可以采用较低刷新频率(比如10Hz)来驱动显示装置。然而,在全部采用低温多晶硅(Low Temperature Poly
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silicon,LTPS)型晶体管的像素电路进行驱动时,由于多晶硅有源层的迁移率较高,漏电流较大,加之,人眼对低频闪烁非常敏感,从而导致低频闪屏(Flicker)。
[0003]可见,如何改善低频时的闪屏(Flicker)成为急需解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供了一种像素驱动电路、其驱动方法及显示装置,用于改善低频时的闪屏,提高显示效果。
[0005]第一方面,本专利技术实施例提供了一种像素驱动电路,包括:数据写入电路、驱动晶体管、第一电容、补偿电路和发光器件;其中:
[0006]所述数据写入电路与所述驱动晶体管的第一极耦接,所述数据写入电路包括依次连接的类型相反的第一晶体管和第二晶体管,其中,在所述第一晶体管和所述第二晶体管均导通时,与所述数据写入电路耦接的数据信号端提供的数据信号加载至所述驱动晶体管的第一极;
[0007]所述第一电容耦接于第一电源端和所述驱动晶体管的栅极 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:数据写入电路、驱动晶体管、第一电容、补偿电路和发光器件;其中:所述数据写入电路与所述驱动晶体管的第一极耦接,所述数据写入电路包括依次连接的类型相反的第一晶体管和第二晶体管,其中,在所述第一晶体管和所述第二晶体管均导通时,与所述数据写入电路耦接的数据信号端提供的数据信号加载至所述驱动晶体管的第一极;所述第一电容耦接于第一电源端和所述驱动晶体管的栅极之间;所述补偿电路耦接于所述驱动晶体管的栅极和第二极之间,用于将所述驱动晶体管的阈值电压以及所述数据信号写入所述第一电容;所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件的第一极耦接,用于在所述第一电容维持所写入的信号的电压下稳定输出驱动电流,控制所述发光器件发光。2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路还包括第一复位电路、第二复位电路、第一发光控制电路和第二发光控制电路,其中:所述第一复位电路与所述驱动晶体管的栅极耦接,用于在第一复位控制端的控制下,将第一初始化信号端提供的第一初始化信号加载至所述驱动晶体管的栅极;所述第二复位电路与所述发光器件的第一极耦接,用于在第二复位控制端的控制下,将第二初始化信号端提供的第二初始化信号加载至所述发光器件的第一极;所述第一发光控制电路耦接于所述第一电源端和所述驱动晶体管的第一极之间,用于在发光控制端的控制下,将所述第一电源端提供的第一电位信号加载至所述驱动晶体管的第一极;所述第二发光控制电路耦接于所述发光器件的第一极和所述驱动晶体管的第二极之间,用于在所述发光控制端的控制下导通。3.如权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管的第一极与所述数据信号端耦接,所述第一晶体管的栅极与第一扫描控制端耦接,所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极耦接,所述第二晶体管的栅极与第二扫描控制端耦接,所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接,其中,在所述第一扫描控制端加载的第一扫描信号的控制下,所述第一晶体管导通,在所述第二扫描控制端加载的第二扫描信号的控制下,所述第二晶体管导通。4.如权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一复位电路包括第三晶体管,所述第三晶体管的栅极与所述第一复位控制端耦接,所述第三晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述第三晶体管的第二极与所述第一初始化信号端耦接;所述第二复位电路包括第四晶体管,所述第四晶体管的栅极与所述第二复位控制端耦接,所述第四晶体管的第一极与所述发光器件的第一极耦接,所述第四晶体管的第二极与所述第二初始化信号端耦接;所述第一发光控制电路包括第五晶体管,所述第五晶体管的栅极与所述发光控制端耦接,所述第五晶体管的第一极与所述第一电源端耦接,所述第五晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接;所述第二发光控制电路包括第六晶体管,所述第六晶体管的栅极与所述发光控制端耦接,所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接,所述第六晶体管的第二极
与所述发光器件的第一极耦接;所述补偿电路包括第七晶体管,所述第七晶体管的栅极与所述第二扫描控制端或所述第一扫描控制端耦接,所述第七晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述第七晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极耦接。5.如权利要求4所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管为P型晶体管,所述第二晶体管为N型晶体管,所述第三晶体管和所述第七晶体管均为N型晶体管,所述驱动晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管均...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄耀,承天一,李孟,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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