制造配线基板的方法、制造半导体器件的方法及配线基板技术

本发明专利技术公开一种制造配线基板的方法、一种制造半导体器件的方法以及一种配线基板。半导体器件（１００）具有这样的结构，即：半导体芯片（１１０）以倒装芯片的形式安装在配线基板（１２０）上。配线基板（１２０）具有多层结构，其中，多个配线层和多个绝缘层层叠在一起，并且绝缘层层叠为第一层（１２２）、第二层（１２４）、第三层（１２６）和第四层（１２８）。第二电极片（１３２）在第一绝缘层（１２１）和第二绝缘层（１２３）之间的边界面上形成为在径向（平面方向）上比第一电极片（１３０）的外径更宽。形成为比第一电极片（１３０）更宽的第二电极片（１３２）设置在第一电极片（１３０）和导通部（１３４）之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造配线基板的方法、制造半导体器件的方法以及 配线基板，更具体地涉及制造构造为提高多层基板的电极片形成部分 的可靠性的配线基板的方法，制造半导体器件的方法以及配线基板。
技术介绍
例如，作为形成用于连接裸芯片和基板或者连接封装基板和母板的BGA(球栅阵列)的球状物的方法，己知这样一种制造方法在基板上形成多个电极，然后形成具有与电极连通的孔的阻焊层并通过 热处理(回流)熔化焊球，以在将焊球加装在孔的开口上的状态下将 熔化的焊球结合在孔中的电极上，并且在阻焊层的表面上形成焊料凸 点作为凸出部。另一方面，用于在縮减尺寸和增加裸芯片中的集成度的情况下 将裸芯片安装在多层基板上的封装件的研究已经取得进展(例如参见曰本专利No. 3635219 (JP-A-2000-323613公开文献))。图1示出了常规配线基板的结构的实例。对于图1所示基板的 结构来说，以这样的方式层叠各个层，即用第一绝缘层12覆盖电 极片10的外周，并用第二绝缘层13覆盖电极片10的上表面。从电 极片10的上表面的中心向上延伸的导通部14穿透第二绝缘层13并 与上部的配线部16连接。电极片IO具有金层17和镍层18层叠在一 起的结构，并以这样的方式来设置，即金层17的表面从第一绝缘 层12露出并且导通部14与镍层18连接。此外，在一些情况下，通过焊料凸点将半导体芯片安装在电极 片10上，在另一些情况下，结合有焊球或管脚。这样，在具有多层结构的配线基板中，电极片io用作裸芯片加装片或外部连接片。然而，在图l所示配线基板中，电极片10的外周比较光滑。因此，对第一绝缘层12的附着力较小。当通过回流处理进行加热时， 由于第一绝缘层12和电极片IO之间的热膨胀差异而引起的热应力， 在设置为与电极片10的外周接触的边界部分中产生分层，从而第一 绝缘层12的一部分会断开。此外，在第一绝缘层12的设置为与电极片10的角部(B部分) 外周接触的部分由于通过回流处理进行的加热而断开的情况下，存在 这样的问题，即从电极片10的角部(A部分)朝向第二绝缘层13 产生裂纹20。此外，在裂纹20扩大的情况下，存在这样的可能性，即设置 在第二绝缘层13上的配线部16会被截断。
技术实现思路
因此，考虑到上述情况，本专利技术的目的在于提供可以解决上述 问题的制造配线基板的方法、制造半导体器件的方法及配线基板。 为了解决上述问题，本专利技术具有下列手段。根据本专利技术的第一方面，提供一种制造配线基板的方法，该方法包括以下步骤第一步骤，在支撑基板上形成第一电极片；第二步骤，在所述支撑基板的表面上层叠第一绝缘层，所述第一绝缘层包围所述第一电极片的外周；第三步骤，在所述第一电极片的表面和所述第一绝缘层的表面 上形成第二电极片，所述第二电极片在平面方向上比所述第一电极片 的外周更宽；第四步骤，在所述第二电极片和所述第一绝缘层的表面上层叠 第二绝缘层；第五步骤，在所述第二绝缘层的表面上形成配线层，所述配线 层与所述第二电极片电连接；以及第六步骤，去除所述支撑基板以露出所述第一电极片。这样可 以解决上述问题。根据本专利技术的第二方面，提供根据第一方面的方法，其中，所述第二步骤包括这样的步骤在层叠所述第一绝缘层之前粗 糙化所述第一电极片的表面。这样可以解决上述问题。根据本专利技术的第三方面，提供一种根据第一或第二方面的方法，其中，所述支撑基板由金属形成，所述第一步骤包括这样的步骤在所述支撑基板和所述第一电 极片之间形成与所述支撑基板类型相同的金属层，并且所述第六步骤包括这样的步骤去除所述支撑基板，去除所述 金属层以及利用所述第一电极片的端面形成凹部。这样可以解决上述 问题。根据本专利技术的第四方面，提供一种使用根据本专利技术的第一至第 三方面中的任一方面的制造配线基板的方法制造半导体器件的方法， 包括以下步骤通过焊料凸点将半导体芯片安装在所述第一电极片上。这样可 以解决上述问题。 —根据本专利技术的第五方面，提供一种配线基板，该配线基板包括 第一电极片；第一绝缘层，其包围所述第一电极片的外周；第二绝缘层，其层叠在所述第一电极片和所述第一绝缘层的表面上，其中，在所述第一电极片和所述第二绝缘层之间设置有第二电 极片，所述第二电极片在平面方向上比所述第一电极片的外周更宽。 这样可以解决上述问题。根据本专利技术，从第一电极片的表面到第一绝缘层的表面形成在 平面方向上比第一电极片的外周更宽的第二电极片。因此，可以防止 比第一电极片更宽的第二电极片从第一电极片的外周角部到第二绝 缘层产生裂纹。附图说明图1是示出常规配线基板的结构的实例的视图。图2是示出根据本专利技术的配线基板的第一实施例适用的半导体 器件的纵向剖视图。图3A是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第l部分) 的视图。图3B是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第2部分) 的视图。图3C是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第3部分) 的视图。图3D是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第4部分) 的视图。图3E是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第5部分) 的视图。图3F是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第6部分) 的视图。图3G是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第7部分) 的视图。图3H是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第8部分) 的视图。图3I是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第9部分) 的视图。图3J是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第10部 分)的视图。图3K是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第11部 分)的视图。图3L是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第12部 分)的视图。图3M是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第13部 分)的视图。图3N是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第14部 分)的视图。图30是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第15部 分)的视图。图3P是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第16部 分)的视图。图3Q是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第17部 分)的视图。图3R是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第18部 分)的视图。图3S是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第19部 分)的视图。图3T是说明根据第一实施例的制造配线基板的方法(第20部 分)的视图。图4是示出第一实施例的变型的视图。图5是示出配线基板的第二实施例适用的半导体器件的纵向剖视图。图6A是说明根据第二实施例的制造配线基板的方法(第1部分) 的视图。图6B是说明根据第二实施例的制造配线基板的方法(第2部分) 的视图。图6C是说明根据第二实施例的制造配线基板的方法(第3部分) 的视图。图6D是说明根据第二实施例的制造配线基板的方法(第4部分) 的视图。图6E是说明根据第二实施例的制造配线基板的方法(第5部分) 的视图。图6F是说明根据第二实施例的制造配线基板的方法(第6部分) 的视图。图6G是说明根据第二实施例的制造配线基板的方法(第7部分) 的视图。图6H是说明根据第二实施例的制造配线基板的方法(第8部分)的视图。图61是说明根据第二实施例的制造配线基板的方法(第9部分) 的视图。图6J是说明根据第二实施例的制造配线基板的方法(第10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造配线基板的方法，包括以下步骤：第一步骤，在支撑基板上形成第一电极片；第二步骤，在所述支撑基板的表面上层叠第一绝缘层，所述第一绝缘层包围所述第一电极片的外周；第三步骤，在所述第一电极片的表面和所述第一绝缘层的表面上形成第二电极片，所述第二电极片在平面方向上比所述第一电极片的外周更宽；第四步骤，在所述第二电极片和所述第一绝缘层的表面上层叠第二绝缘层；第五步骤，在所述第二绝缘层的表面上形成配线层，所述配线层与所述第二电极片电连接；以及第六步骤，去除所述支撑基板以露出所述第一电极片。

【技术特征摘要】
JP 2007-3-29 2007-0890191.一种制造配线基板的方法，包括以下步骤第一步骤，在支撑基板上形成第一电极片；第二步骤，在所述支撑基板的表面上层叠第一绝缘层，所述第一绝缘层包围所述第一电极片的外周；第三步骤，在所述第一电极片的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林和弘，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]