控制蚀刻偏差的系统及方法技术方案

本发明专利技术提供一种控制蚀刻偏差的系统，其包括一个制造工程系统，用于精确控制整个图案化制程尺寸；其中，该系统还包括一个光罩数据系统，其与制造工程系统相连接，光罩数据系统用于获取光罩透光率，并将获取的透光率数据传输给制造工程系统；制造工程系统会自动辨识该光罩透光率的范围，并计算出最佳的光刻制程尺寸大小。本发明专利技术还提供一种控制蚀刻偏差的方法。本发明专利技术利用了光罩透光率和蚀刻偏差之间的线形对应关系，制造工程系统从光罩数据系统获取光罩透光率，就可以获取对应的蚀刻偏差，从而计算出最佳的光刻制程尺寸大小；本发明专利技术利用制造工程系统与光罩数据系统间的连接与反馈，能精确控制整个图案化制程的最终尺寸，有效提高了生产效率，节约了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体的蚀刻制程，尤其涉及一种。技术背景ADI CD ( Critical Dimension)是光刻显影后特定图形尺寸的大小，AEI CD 是蚀刻后介质层尺寸的大小。Etchbias是蚀刻偏差，其是根据AEI CD与ADI CD 的差值得到。在实际的蚀刻制程中，蚀刻偏差是影响蚀刻的一个重要参数。当工厂进行一个新产品生产时，通常无法事先估算精确的ADI CD数值以获 取所需的AEICD数值，为了将AEICD控制在一个预定的范围，通常预先根据 经验值估算ADICD的取值，采用测试晶圓进行预生产。根据测试晶圆生产出的 刻蚀偏差再调整ADICD的取值，很明显，这种方法通常需要进行很多次实验才 能确定一个恰当的ADI CD取值，生产效率很低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种控制蚀刻偏差的系统，用于精确控制整个图案 化制程尺寸。为实现上述目的，本专利技术提供的一种控制蚀刻偏差的系统，其包括一个制 造工程系统，用于精确控制整个图案化制程尺寸；其中，该系统还包括一个光 罩数据系统，其与制造工程系统相连接，光罩数据系统用于获取光罩透光率， 并将获取的透光率数据传输给制造工程系统；制造工程系统会自动辨识该光罩 透光率的范围，并计算出最佳的光刻制程尺寸大小。本专利技术还提供一种控制蚀刻偏差的方法，其中，该方法包括如下步骤a.获 取光罩透光率；b.根据光罩透光率得到蚀刻偏差值。与现有技术相比，本专利技术利用了光罩透光率和烛刻偏差之间的线形对应关 系，制造工程系统从光罩数据系统获取光罩透光率，就可以获取对应的蚀刻偏差值，从而计算出最佳的光刻制程尺寸大小；本专利技术利用制造工程系统与光罩 数据系统间的连接与反馈，能精确控制整个图案化制程的最终尺寸，无需采用测 试晶圆进行实验，有效提高了生产效率，节约了生产成本。附图说明通过以下对本专利技术一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其技术的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为 图1为晶圆完成蚀刻制程后的剖视示意图。具体实施方式请参阅图l，在蚀刻制程完成后，晶圆l上覆盖的一层金属介质层3，在金 属介质层3上覆盖了 一层光阻5。本专利技术利用了蚀刻偏差(Etch bias)与光罩透光率(Mask transmission rate) 之间的关系以及蚀刻偏差是AEICD与ADICD的差值。其中，ADI CD (Critical Dimension)是光刻显影后特定图形尺寸的大小，AEI CD是蚀刻后介质层尺寸 的大小。在本专利技术的实施例中，以0.13jum的制程为例，但本专利技术也适用于其 他制程。请参阅表1,其列举了蚀刻偏差与光罩透光率(Mask transmission rate)基 本成线形关系。在此情况下，假定制程所需AEI CD的目标值为0.2 n m，就可 以从这个线性关系推算出ADI CD的最佳值。表1<table>table see original document page 4</column></row><table><table>table see original document page 5</column></row><table>本专利技术利用制造工程系统(MES, Manufacturing Engineering System)控制蚀 刻偏差系统。本专利技术控制蚀刻偏差的系统的特点在于制造工程系统与光罩数据 系统相连接，制造工程系统用于精确控制整个图案化制程尺寸，光罩数据系统 用于获取光罩透光率，并将获取的光罩透光率的数据传输给制造工程系统。制造工程系统已经存储了表1所列的所有数据，当接收到光罩透光率后， 制造工程系统会自动辨识该光罩透光率的范围，并计算出对应的ADI CD最佳 值，根据该ADI CD的耳又值控制蚀刻制程所造成的偏差。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制蚀刻偏差的系统，其包括一个制造工程系统，用于精确控制整个图案化制程尺寸；其特征在于：该系统还包括一个光罩数据系统，其与制造工程系统相连接，光罩数据系统用于获取光罩透光率，并将获取的透光率数据传输给制造工程系统；制造工程系统会自动辨识该光罩透光率的范围，并计算出最佳的光刻制程尺寸大小。

【技术特征摘要】
1. 一种控制蚀刻偏差的系统，其包括一个制造工程系统，用于精确控制整个图案化制程尺寸；其特征在于该系统还包括一个光罩数据系统，其与制造工程系统相连接，光罩数据系统用于获取光罩透光率，并将获取的透光率数据传输给制造工程系统；制造工程系统会自动辨识该光罩透光率的范围，并计算出最佳的光刻制程尺寸大小。2、 如权利要求1所述的控制蚀刻偏差的系统，其特征在于光罩透光率和蚀刻 偏差之间的线形对应关系，制造工程系统从光罩数据系统获^^光罩透光率，就 可以获取对应的刻蚀偏差，从而计算出最佳的光刻制程尺寸大小。3、 如权利要求2所述的控制蚀刻偏差的系统，其特征在于所述蚀刻偏差...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾坤赐，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]