液晶显示装置及其阵列基板制造方法及图纸

本发明专利技术提供了液晶显示装置及其阵列基板。根据本发明专利技术，阵列基板包括多条扫描线、多条数据线以及由这些扫描线与数据线交叉排列所限定的像素。像素包括：第一子像素电极；第二子像素电极，与第一子像素电极电性隔离；第一开关元件，用于对第一子像素电极进行控制；和第二开关元件，用于对第二子像素电极进行控制。阵列基板被构造成使得：在第一开关元件对第一子像素电极进行的控制不能正常进行时，第二开关元件能够代替第一开关元件控制第一子像素电极的至少一部分。根据本发明专利技术，能够对像素的点缺陷进行完全的修补，可以大大提高液晶显示装置及阵列基板的成品率，而几乎不会增加生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示装置以及液晶显示装置的阵列基板。
技术介绍
液晶显示装置(LCD)具有轻、薄、低耗电等优点，被广泛应用于计 算机、移动电话及个人数字助理等现代化信息设备。为了在液晶显示装置 中实现广视角，现已开发出了多种技术，例如带有广视角膜(wide viewing film)的扭转向列型液晶(TN)显示器、共平面切换式(IPS)液 晶显示器、边际电场切换式(FFS)液晶显示器以及多域垂直配向式 (MVA)液晶显示器等。多域垂直配向式液晶显示器在彩色滤光基板或薄膜晶体管阵列基板上 设有配向凸起物或狭缝，它们可以使得液晶分子呈多方向排列，得到多个 不同的配向域(Domain)。因此多域垂直配向式液晶显示器有利于实现广 视角显示。美国专利No.6，922,183公开了一种多域垂直配向式液晶显示器，图1 为这种多域垂直配向式液晶显示器的像素结构。注意，为了清楚地描述该 结构，图中省略了彩色滤光片基板。如图1所示，在这种液晶显示器的像 素结构中， 一个像素被分成两个子像素， 一个像素的像素电极P(m,n)也被 分成两个子像素电极，即第一子像素电极SPl(m,n)和第二子像素电极 SP2(m,n)，两个子像素电极SPl(m,n)与SP2(m,n)之间由狭缝124电性隔 离。第一子像素电极SPl(m,n)和第二子像素电极SP2(m,n)由两个开关元件 分别进行控制，这两个开关元件例如第一薄膜晶体管(TFT) Sl(m，n)及第 二薄膜晶体管S2(m,n)。第一薄膜晶体管Sl(m,n)及第二薄膜晶体管 S2(m,n)的栅极分别与扫描线SL(m)及SL(m+l)电性连接，第一薄膜晶体管 Sl(m,n)及第二薄膜晶体管S2(m,n)的源极分别和数据线DLl(n)及DL2(n)电性连接，第一薄膜晶体管Sl(m,n)及第二薄膜晶体管S2(m,n)的漏极分别与 第一子像素电极SPl(m，n)及第二子像素电极SP2(m，n)连接。图2为图1的像素结构沿剖面线i-r所取的剖面图。如图2所示，该 像素结构包括第一基板102、第二基板122及液晶分子126。黑矩阵104 及彩色滤光层106形成于第一基板102的一个表面上，第一绝缘层108覆 盖了黑矩阵104及彩色滤光层106。公共电极IIO形成于第一绝缘层108 上，在公共电极IIO上设有多个凸起131，配向膜112覆盖了公共电极110 及这些凸起131。另外，扫描线SL(m)及SL(m+l)形成于第二基板122与公共电极110 相对的那个表面上，栅极绝缘层120覆盖扫描线SL(m)及SL(m+l)，数据 线DL(n)(图2中未示出)形成于栅极绝缘层120上，钝化层118覆盖数 据线DL(n)。第一子像素电极SPl(m,n)及第二子像素电极SP2(m,n)形成于 钝化层118上，在扫描线SL(m)及SL(m+l)上方相应地设有多个间隙130， 用于分隔相邻两个像素的像素电极，且第一子像素电极SPl(m,n)及第二子 像素电极SP2(m,n)之间还设有狭缝124，用于将第一子像素电极及第二子 像素电极电性隔离。配向膜116覆盖第一子像素电极SPl(m,n)及第二子像 素电极SP2(m,n)。液晶分子126被密封于第一基板102及第二基板122之 间。相反极性的数据信号分别通过第一薄膜晶体管Sl(m,n)及第二薄膜晶 体管S2(m,n)，输入至第一子像素电极SPl(m,n)及第二子像素电极 SP2(m，n)，可驱动整个像素。施加于公共电极110上的电压作为公共电压 Vcom，大于公共电压Vcom的电压定义为正极性电压，且小于公共电压 Vcom的电压定义为负极性电压。在选择了该像素，并且第一薄膜晶体管 Sl(m,n)及第二薄膜晶体管S2(m,n)导通时，具有正极性电压+V及负极性电 压-V的数据信号分别被输入至第一子像素电极SPl(m,n)及第二子像素电极 SP2(m，n)中。另外，正极性电压+V及公共电压Vcom之间的电压差和负极 性电压-V及公共电压Vcom之间的电压差大体相等，从而在两个子像素中 显示相同的灰阶值(grey level)。当具有不同极性的电压被施加于第一子像素电极SPl(m，n)及第二子像素电极SP2(m,n)上时，由于间隙130、狭缝124以及凸起131的作用，液 晶分子126形成两个具有相反视觉特性的显示域，从而得到了具有广视角 的多域垂直配向式液晶显示器。在液晶显示装置的制作过程中，经常发生因TFT失效、短路等原因引 起的点缺陷。上述像素由两个子像素组成，当其中一个子像素因为例如 TFT失效、短路等原因而发生点缺陷时，由于另外一个子像素仍然可以正 常工作，所以不至于整个像素完全失效，或者说，点缺陷可以得到一定程 度的部分修复。但是在此情况下，整个像素不能起到正常显示作用， 因此这种修复无法对点缺陷进行完全的修补。除了此处所述的MVA 液晶显示器之外，像素由多个子像素组成的其他类型液晶显示器也具有类 似缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供了一种液晶显示装置的阵列基板，包括多条扫描线、多条 数据线以及由这些扫描线与数据线交叉排列所限定的像素。像素包括第 一子像素电极；第二子像素电极，与第一子像素电极电性隔离；第一开关 元件，用于对第一子像素电极进行控制；和第二开关元件，用于对第二子 像素电极进行控制。阵列基板被构造成使得在第一开关元件对第一子像 素电极进行的控制不能正常进行时，第二开关元件能够代替第一开关元件 控制第 一子像素电极的至少一部分。本专利技术还提供了一种液晶显示装置，包括上述阵列基板。 本专利技术还提供了一种对液晶显示装置的缺陷进行修补的方法。液晶显 示装置包括阵列基板，阵列基板包括多条扫描线、多条数据线以及由这些 扫描线与数据线交叉排列所限定的像素。像素包括第一子像素电极；第二子像素电极，与第一子像素电极电性隔离；第一开关元件，用于对第一 子像素电极进行控制；和第二开关元件，用于对第二子像素电极进行控 制。所述方法包括在第一开关元件对第一子像素电极进行的控制不能正 常进行时，同时地或以任意顺序地执行下述步骤a)使第一开关元件不 能控制第一子像素电极的至少一部分；以及b)使第二开关元件能够控制第一子像素电极的所述至少一部分。根据本专利技术，因为能够对像素的点缺陷进行完全的修补，所以可以大 大提高液晶显示装置及阵列基板的成品率，同时几乎不会给生产成本造成 任何增加。附图说明图1示出了现有技术的多域垂直配向式液晶显示器的像素结构。图2为图1的像素结构沿剖面线I-I'所取的剖面图。图3示出了根据本专利技术一种实施例的像素结构示意图。图4A—B为图3中薄膜晶体管的局部放大图。图5为图3中沿n-n'线的剖视图。图6示出了在根据本专利技术实施例的像素结构中，对子像素的缺陷进行 修补的一种示例性方案。图7为图6中沿in-nr线的剖视图。图8示出了利用根据本专利技术实施例的像素结构来修补点缺陷的另一种方案。图9示出了根据本专利技术另一种实施例的像素结构示意图。 图10示出了根据本专利技术另一种实施例的像素结构示意图。 图11示出了根据本专利技术另一种实施例的像素结构示意图。 图12示出了根据本专利技术另一种实施例的像素结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置的阵列基板，包括多条扫描线、多条数据线以及由所述扫描线与所述数据线交叉排列所限定的像素，所述像素包括：第一子像素电极；第二子像素电极，与所述第一子像素电极电性隔离；第一开关元件，用于对所述第一子像素电极进行控制；和第二开关元件，用于对所述第二子像素电极进行控制，其中，所述阵列基板被构造成使得：在所述第一开关元件对所述第一子像素电极进行的控制不能正常进行时，所述第二开关元件能够代替所述第一开关元件控制所述第一子像素电极的至少一部分。

【技术特征摘要】
1. 一种液晶显示装置的阵列基板，包括多条扫描线、多条数据线以及由所述扫描线与所述数据线交叉排列所限定的像素，所述像素包括第一子像素电极；第二子像素电极，与所述第一子像素电极电性隔离；第一开关元件，用于对所述第一子像素电极进行控制；和第二开关元件，用于对所述第二子像素电极进行控制，其中，所述阵列基板被构造成使得在所述第一开关元件对所述第一子像素电极进行的控制不能正常进行时，所述第二开关元件能够代替所述第一开关元件控制所述第一子像素电极的至少一部分。2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一开关元件包括第 一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一子像素电极电性连 接；所述第二开关元件包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极 与所述第二子像素电极电性连接；所述像素包括连接部件；在所述第一薄 膜晶体管对所述第一子像素电极进行的控制不能正常进行时，所述第二薄 膜晶体管的漏极和/或所述第二子像素电极通过所述连接部件与所述第一子 像素电极的至少一部分电性连接。3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述连接部件包括所述第 一薄膜晶体管的漏极延伸出的第一延伸部分，所述第一延伸部分与所述第二子像素电极隔着绝缘层而重叠。4. 根据权利要求2或3所述的阵列基板，其中，所述连接部件包括所 述第二薄膜晶体管的漏极延伸出的第二延伸部分，所述第二延伸部分与所 述第一子像素电极隔着绝缘层而重叠。5. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述连接部件由导体制 成，所述连接部件、所述第一子像素电极和所述第二子像素电极隔着绝缘 层彼此重叠。6. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述连接部件由导体制 成，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述连接部件的一部分隔着绝缘层而重叠，所述第二子像素电极与所述连接部件的另一部分隔着绝缘层而重叠。7. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述连接部件由导体制 成，所述连接部件的一部分与所述第一子像素电极隔着绝缘层而重叠，所 述连接部件的另一部分通过通孔与所述第二子像素电极电性连接。8. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接所述扫描线中不同的扫描线。9. 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管与所 述第二薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟德镇，邱郁雯，廖家德，乔艳冰，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]