【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高生产率的薄膜结晶过程 交叉参考相关申请 SLS是脉冲激光结晶过程的处理过程，它能在衬底上产生 有大的和均匀晶粒的高质量多晶膜，这些衬底包括不耐热的衬底，诸 如玻璃和塑料。示例性的SLS处理过程和系统，在共同拥有的美国专 利U.S. Patent Nos.6，322，625、 6,368,945、 6，555，449、和6,573,531中 说明，这里引用这些专利的全部内容，供参考。在线光束SLS中，高的长宽比光束的长度，最好至少约 单个显示器的大小，例如，液晶或OLED显示器、或其大批，或者最 好约为生产多个显示器的衬底大小。这是有好处的，因为它降低或消 除膜被辐照区之间任何边界的出现。当需要在膜上多次扫描时，可能 引起的任何缀合现象， 一般在给定的液晶或OLED显示器内，将是看 不见的。光束长度可以适合用于蜂窝电话显示器的衬底，如用于蜂窝 电话的 2英寸对角线，并直到用于膝上型电脑的10-16英寸对角线 (有2:3、 3:4长宽比或其他常用的比值)。 —种替代的辐照约定，本文称之为均勻晶粒顺序横向凝 固或均匀SLS，可以用于制备均匀的结晶膜，该均匀结晶膜以横 向伸长的晶体的重复列为特征。该结晶过程约定，涉及以大于横向生 长长度的量，例如S>LGL，但小于横向生长长度的两倍，如5<2 LGL把膜推进，这里S是脉冲之间的平移距离。均匀晶体的生长参 照图7A-7D说明。这样，在均匀的SLS中，以少数量的脉冲，如两个脉冲 辐照膜并使之熔融，该两个脉冲的横向重叠一个比定向膜更大的受 限制的范围。熔融区内形成的晶体，最好横向生长并有类似取向，然 后在膜的...
【技术保护点】
一种处理膜的方法，该方法包括：（ａ）定义要在膜内结晶的多个分隔的区，所述膜置于衬底上并能用激光熔融；（ｂ）产生一系列激光脉冲，具有流量，足以使被辐照区中的膜在其整个厚度中熔融，每一脉冲形成有长度和宽度的线光束；（ｃ）在第一次扫描中，以一系列激光脉冲按选择的速度连续地扫描该膜，使每一脉冲辐照并熔融对应的分隔区的第一部分，其中该第一部分冷却后，形成一个或多个横向生长的晶体；和（ｄ）在第二次扫描中，以一系列激光脉冲按选择的速度连续地扫描该膜，使每一脉冲辐照并熔融对应的分隔区的第二部分，其中，在每一分隔区中，该第一和第二部分部分地重叠，且其中该第二部分冷却后，形成一个或多个横向生长的晶体，这些晶体相对于第一部分的一个或多个横向生长的晶体伸延。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-8-16 60/708,4471. 一种处理膜的方法，该方法包括(a)定义要在膜内结晶的多个分隔的区，所述膜置于衬底上并能用激光熔融；(b)产生一系列激光脉冲，具有流量，足以使被辐照区中的膜在其整个厚度中熔融，每一脉冲形成有长度和宽度的线光束；(c)在第一次扫描中，以一系列激光脉冲按选择的速度连续地扫描该膜，使每一脉冲辐照并熔融对应的分隔区的第一部分，其中该第一部分冷却后，形成一个或多个横向生长的晶体；和(d)在第二次扫描中，以一系列激光脉冲按选择的速度连续地扫描该膜，使每一脉冲辐照并熔融对应的分隔区的第二部分，其中，在每一分隔区中，该第一和第二部分部分地重叠，且其中该第二部分冷却后，形成一个或多个横向生长的晶体，这些晶体相对于第一部分的一个或多个横向生长的晶体伸延。2. 按照权利要求1的方法，还包括使扫描方向在第一次扫描和 第二次扫描之间反向。3. 按照权利要求1的方法，还包括连续地多次相对于激光脉冲 系列扫描该膜并且每一扫描辐照部分地重叠于先前已辐照部分的那 个区的每一分隔区的一部分。4. 按照权利要求3的方法，还包括使扫描方向在每一扫描之间反向。5. 按照权利要求l的方法，还包括在至少一个分隔区中，制作 至少一个薄膜晶体管。6. 按照权利要求l的方法，还包括在多个分隔区中，制作多个 薄膜晶体管。7. 按照权利要求l的方法，其中，多个分隔区的定义包括对 每一分隔区，定义至少如同较后要在该区中制作的装置一样大的宽 度。8. 按照权利要求l的方法，其中，多个分隔区的定义包括对 每一分隔区，定义至少如同较后要在该区中制作的薄膜晶体管宽度一 样大的宽度。9. 按照权利要求1的方法，包括使每一分隔区的第一和第二部 分，以一定量重叠，该重叠量小于该第一部分的一个或多个横向生长 晶体的横向生长长度。10. 按照权利要求l的方法，包括使每一分隔区的第一和第二部 分，以一定量重叠，该重叠量不大于该第一部分的一个或多个横向生 长晶体的横向生长长度的90%。11. 按照权利要求l的方法，包括使每一分隔区的第一和第二部 分，以一定量重叠，该重叠量大于该第一部分的一个或多个横向生长 晶体的横向生长长度，但小于该横向生长长度的约两倍。12. 按照权利要求l的方法，包括使每一分隔区的第一和第二部 分，以一定量重叠，该重叠量大于该第一部分的一个或多个横向生长 晶体的横向生长长度的110%，但小于该横向生长长度的约1卯％。13. 按照权利要求l的方法，包括使每一分隔区的第一和第二部 分，以一定量重叠，该重叠量的选择，是要向该分隔区提供一組预定 的结晶性质。14. 按照权利要求13的方法，其中该组预定结晶性质，适合用 于像素TFT的通道区。15. 按照权利要求1的方法，其中的分隔区是被无定形膜分开的。16. 按照权利要求l的方法，其中的分隔区是被多晶膜分开的。17. 按照权利要求l的方法，其中线光束具有的长度对宽度的长 宽比，至少为50。18. 按照权利要求l的方法，其中线光束具有的长度对宽度的长 宽比，可高达2xl05。19. 按照权利要求l的方法，其中线光束的长度，至少有衬底长 度的一半那样长。20. 按照权利要求l的方法，其中线光束的长度，至少有衬底长度一样长。21. 按照权利要求l的方法，其中线光束的长度，在约10cm到 100 cm之间。22. 按照权利要求l的方法，包括用掩模、狭缝、和直边之一， 使脉沖系列的每一脉冲整形为线光束。23. 按照权利要求l的方法，包括用聚焦光学装置，使脉冲系列 的每一脉冲整形为线光束。24. 按照权利要求1的方法，其中线光束的流量沿它长度的变化， 约小于5%。25. 按照权利要求l的方法，其中的膜包括硅。26. —种处理膜的方法，该方法包括(a) 定义要在膜内结晶的至少第一和第二区；(b) 产生一系列激光脉冲，这些激光脉冲具有的流量，足以使 被辐照区中的膜在其整个厚度中熔融，每一脉沖形成具有长度和宽度 的线光束；(c )以该系列脉冲的第一激光脉冲辐照并熔融该第一区的第一 部分，所述第一区的第一部分冷却后，形成一个或多个横向生长的晶体；(d) 以该系列脉沖的第二激光脉冲辐照并熔融该第二区的第一 部分，所述第二区的第一部分冷却后，形成一个或多个横向生长的晶 体；(e) 以该系列脉沖的第三激光脉冲，辐照并熔融该多个区的第 二区的第二部分，所述第二区的第二部分与第二区的第一部分重叠， 并在冷却后，形成一个或多个横向生长的晶体；和(f) 以该系列脉冲的第四激光脉冲，辐照并熔融该多个区的第 一区的第二部分，所述笫一区的第二部分与第一区的第一部分重叠， 并在冷却后，形成一个或多个横向生长的晶体。27. 按照权利要求26的方法，其中第一定义区的第二部分中的 一个或多个横向生长的晶体，是第一定义区的第一部分中的一个或多个横向生长晶体的伸长。28. 按照权利要求26的方法，还包括至少在第一和第二区之一 中，制作至少一个薄膜晶体管。29. 按照权利要求26的方法，还包括对第一和第二区的每一区， 定义至少如同较后要在该区中制作的装置一样大的宽度。30. 按照权利要求26的方法，还包括对第一和第二区的每一区， 定义至少如同较后要在该区中制作的薄膜晶体管宽度一样大的宽度。31. 按照权利要求26的方法，包括使第一和第二区的每一区的 第一和第二部分，以一定量重叠，该重叠量小于该第一部分的一个或多个晶体的横向生长长度。32. 按照权利要求26的方法，包括使第一和第二区的每一区的 第一和第二部分，以一定量重叠，该重叠量不大于该第一部分的一个 或多个晶体的横向生长长度的90%。33. 按照权利要求26的方法，包括使第一和第二区的每一区的 第一和第二部分，以一定量重叠，该重叠量大于该第一部分的一个或 多个晶体的横向生长长度，但小于该横向生长长度的约两倍。34. 按照权利要求26的方法，包括使第一和第二区的每一区的 第一和第二部分，以一定量重叠，该重叠量大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：JS艾姆，
申请(专利权)人：纽约市哥伦比亚大学事事会，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。