一种含螺环呋喃并咔唑结构的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光显示技术领域，具体公开了一种含螺环呋喃并咔唑结构的化合物，同时还公开了其在有机电致发光器件中的应用。本发明专利技术提供的含螺环呋喃并咔唑结构的化合物具有如通式(Ⅰ)所示的结构，可以应用在有机电致发光领域，尤其是可以作为有机电致发光器件空穴传输层用空穴传输材料使用。本发明专利技术提供的该结构化合物应用于OLED器件中，能够降低驱动电压，提高器件发光效率。提高器件发光效率。提高器件发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种含螺环呋喃并咔唑结构的化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光显示用材料
，具体公开了一种含螺环呋喃并咔唑结构的化合物，同时还公开了其在有机电致发光器件中的应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光二极管(OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。最初由邓青云教授于1979年在实验室中发现，至今已经有40余年的发展历程。由于OLED具有自身发光、轻薄省电、高对比度、视角宽、响应速度快、颜色丰富等一系列优点，常被用于显示和照明领域，并且未来有望替代现有的液晶显示和荧光照明，应用前景十分广阔，也引起了众多研究者的关注。为了提高发光器件的发光效率和延长使用寿命，目前对发光器件的开发和研究日益活跃。
[0003]用于制备OLED的材料一般包含电极材料、发光材料及辅助材料。其中辅助材料主要包含载流子传输材料、载流子注入材料和载流子阻挡材料。不同的辅助材料在器件中所起的作用不同，因此对不同的辅助材料通常具有不同的性能要求。
[0004]以空穴传输材料为例，其主要作用是传输空穴、提高空穴在器件中的传输效率，并将电子阻挡在发光层，实现载流子的最大复合。因此，OLED用空穴传输材料一般要满足以下性能要求：
[0005](1)具有高的空穴迁移率；
[0006](2)分子的三线态能级高于发光层的激发能量；
[0007](3)具有良好的成膜性，能够形成无缺陷的均一且无定形薄膜；
[0008](4)具有较高的熔点和玻璃化转换温度；
[0009](5)具有适当的HOMO能级，能够保证空穴在各个界面之间的有效注入与传输。
[0010]目前越来越多的显示器厂家纷纷投入研发，大大推动了OLED的产业化进程。但是现有的有机电致发光材料在发光性能方面还有很大改进余地，业界亟需开发新的有机电致发光材料。
[0011]本专利技术旨在提供一种稳定高效的空穴传输材料，以降低驱动电压，提高器件发光效率，这将具有重要的实际应用价值。

技术实现思路

[0012]本专利技术的目的在于提供一种稳定高效的有机空穴传输材料，应用于OLED器件中，可以降低驱动电压，提高器件发光效率。
[0013]具体而言，第一方面，本专利技术提供了一种含螺环呋喃并咔唑结构的化合物，所述化合物具有如通式(Ⅰ)所示的结构：
[0014][0015]其中：
[0016]R1～R3各自独立地代表H、卤素、氨基、烷胺基、取代或未取代的C1～C
20
的链状烷烃基、取代或未取代的C3～C
20
的环烷烃基、取代或未取代的C3～C
60
的芳基胺基或杂芳基胺基、取代或未取代的C3～C
60
的芳基或杂芳基；R1～R3各自代表的基团可以相同，也可以不同；
[0017]m、n和p分别独立地选自1至4的整数；优选地，m、n和p分别独立地选自1或2；更优选地，m、n和p均为1；
[0018]R4、R5各自独立地代表H、卤素、氨基、取代或未取代的C1～C
20
的链状烷烃基、取代或未取代的C3～C
20
的环烷烃基、取代或未取代的C3～C
60
的芳基胺基或杂芳基胺基、取代或未取代的C3～C
60
的芳基或杂芳基；R4、R5各自代表的基团可以相同，也可以不同；
[0019]q、r分别独立地选自1至4的整数；优选地，q、r分别独立地选自1或2；更优选地，q、r均为1；
[0020]R1～R5代表的基团上存在取代基时，所述取代基分别独立地选自C1～C
20
的链状烷烃基、C3～C
20
的环烷烃基、C1～C
10
的烷氧基、C1～C
10
的硫代烷氧基、C6～C
30
的芳基氨基、C3～C
30
的杂芳基氨基、C6～C
30
的芳基和C3～C
30
的杂芳基。
[0021]作为本专利技术一种优选的实施方案，所述取代或未取代的C3～C
60
的芳基胺基或杂芳基胺基为R1～R5中至少有一个基团为优选R1～R3中至少有一个基团为
[0022]所述Ar1、Ar2各自独立地代表含苯环、C3～C6的环烷烃环或芳杂环的基团，所述Ar1、Ar2可以相同，也可以不同；
[0023]所述Ar1、Ar2可以独立存在，也可以与相邻的苯环或杂环进行稠合，或者位置相邻的两个可以连接成环，或者通过成环；所述R、R
′
和R
″
各自独立地选自氢、C1～C8的烷基、C5～C
10
的环烷基、取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C3～C
30
的杂环芳基中的任一种。
[0024]作为本专利技术一种优选的实施方案，所述取代或未取代的C3～C
60
的芳基胺基或杂芳基胺基中Ar1、Ar2独立存在时，所述Ar1、Ar2各自独立地代表取代或未取代的C3～C6的环烷烃基、取代或未取代的芳烃基、取代或未取代的C4～C6的杂芳基、取代或未取代的多苯代脂烃基、取代或未取代的稠环芳烃基、取代或未取代的稠杂环芳烃基、取代或未取代的联芳烃基、取代或未取代的螺二芴基；
[0025]含有取代基时，所述取代基任意选自氘原子、直链或支链烷基、环烷烃基、芳基、氨基、烷胺基、芳胺基、杂芳基、单环芳基、苯并基、吡啶并基、菲并基、萘并基、吲哚并基(如N
‑
苯代吲哚并基)、苯并噻吩并基、苯并呋喃并基，所述取代基的个数选自1～7的整数。
[0026]进一步优选地，所述取代或未取代的C3～C
60
的芳基胺基或杂芳基胺基中Ar1、Ar2独立存在时，所述Ar1、Ar2各自独立地代表取代或未取代的苯基、取代或未取代的C3～C6的环烷烃环、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基或二苯并噻吩基、取代或未取代的C4～C6的杂芳环基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的苊烯基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苯并(a)蒽基、取代或未取代的苯并(b)荧蒽基、取代或未取代的苯并(k)荧蒽基、取代或未取代的苯并(a)芘基、取代或未取代的占吨基、取代或未取代的吖啶基；
[0027]当上述基团被取代时，取代基任意选自氘原子、C1‑5的直链或含支链的烷基、C3‑6的环烷烃基、苯基、二苯基胺基、苯并基、吡啶并基、菲并基、萘并基、吲哚并基(如N
‑
苯代吲哚并基)、苯并噻吩并基、苯并呋喃并基，所述取代基的个数选自1～3的整数。进一步优选所述取代基的个数为1或2。
[0028]作为本专利技术一种优选的实施方案，所述取代或未取代的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含螺环呋喃并咔唑结构的化合物，其特征在于，具有如通式(Ⅰ)所示的结构：其中：R1～R3各自独立地代表H、卤素、氨基、烷胺基、取代或未取代的C1～C
20
的链状烷烃基、取代或未取代的C3～C
20
的环烷烃基、取代或未取代的C3～C
60
的芳基胺基或杂芳基胺基、取代或未取代的C3～C
60
的芳基或杂芳基；R1～R3各自代表的基团可以相同，也可以不同；m、n和p分别独立地选自1至4的整数；优选地，m、n和p分别独立地选自1或2；更优选地，m、n和p均为1；R4、R5各自独立地代表H、卤素、氨基、取代或未取代的C1～C
20
的链状烷烃基、取代或未取代的C3～C
20
的环烷烃基、取代或未取代的C3～C
60
的芳基胺基或杂芳基胺基、取代或未取代的C3～C
60
的芳基或杂芳基；R4、R5各自代表的基团可以相同，也可以不同；q、r分别独立地选自1至4的整数；优选地，q、r分别独立地选自1或2；更优选地，q、r均为1；R1～R5代表的基团上存在取代基时，所述取代基分别独立地选自C1～C
20
的链状烷烃基、C3～C
20
的环烷烃基、C1～C
10
的烷氧基、C1～C
10
的硫代烷氧基、C6～C
30
的芳基氨基、C3～C
30
的杂芳基氨基、C6～C
30
的芳基和C3～C
30
的杂芳基。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述取代或未取代的C3～C
60
的芳基胺基或杂芳基胺基为R1～R5中至少有一个基团为优选R1～R3中至少有一个基团为所述Ar1、Ar2各自独立地代表含苯环、C3～C6的环烷烃环或芳杂环的基团，所述Ar1、Ar2可以相同，也可以不同；所述Ar1、Ar2可以独立存在，也可以与相邻的苯环或杂环进行稠合，或者位置相邻的两个可以连接成环，或者通过成环；所述R、R
′
和R
″
各自独立地选自氢、C1～C8的烷基、C5～C
10
的环烷基、取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C3～C
30
的杂环芳基中的任一种。3.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，所述取代或未取代的C3～C
60
的芳基胺基或杂芳基胺基中Ar1、Ar2独立存在时，所述Ar1、Ar2各自独立地代表取代或未取代的C3～C6的环烷烃基、取代或未取代的芳烃基、取代或未取代的C4～C6的杂芳基、取代或未取代的多苯
代脂烃基、取代或未取代的稠环芳烃基、取代或未取代的稠杂环芳烃基、取代或未取代的联芳烃基、取代或未取代的螺二芴基；含...

【专利技术属性】
技术研发人员：向陆军，张小玲，曹占广，杭德余，陈婷，程丹丹，班全志，段陆萌，
申请(专利权)人：北京云基科技有限公司，
类型：发明
国别省市：