双磁矩天线制造技术

本发明专利技术公开一种双磁矩天线，双磁矩天线包含第一基板、信号馈入线、主要双磁矩天线、辅助天线以及液晶层。第一基板包含第一表面及第二表面。信号馈入线设置于第一表面上，主要双磁矩天线与辅助天线设置于第二表面上，主要双磁矩天线与信号馈入线重叠，辅助天线与主要双磁矩天线串连设置且位于主要双磁矩天线朝向馈入线末端的方向上。液晶层设置于主要双磁矩天线及辅助天线上。线及辅助天线上。线及辅助天线上。

【技术实现步骤摘要】
双磁矩天线


[0001]本专利技术涉及一种双磁矩天线，尤其涉及一种提升正向辐射能量及降低背向辐射能量的双磁矩天线。

技术介绍

[0002]平面式天线采用电子式非机械转动波束扫描方式，具有稳定性高，波束增益随天线单元数增加而提升，以及体积小整合度高的优点。可应用在自动驾驶辅助系统的毫米波雷达、无人机视线外的自动导航、卫星定位导航系统、无线通信区域网络系统、生理特征远距监控、无线电力传输及第五代移动通信等各种领域当中。
[0003]平面式天线的天线单元，主要是利用在电极周围填充可调整介电系数的介质，例如液晶，利用电压控制液晶分子的转向，改变着介质的介电系数，进而改变共振电路中的电容值，使得共振频率有所不同。当天线单元通过电极给予液晶不同的控制电压，就可以让天线单元产生不同的共振频率响应，适当的调整天线操作频率，控制电磁波辐射强度，并通过阵列的方式排列天线单元，即可达到特定角度的波束扫描功能。
[0004]本专利技术通过设计一种双磁矩天线，针对现有技术的缺陷加以改善，进而增进产业上的实施利用。

技术实现思路

[0005]有鉴于上述公知技术的问题，本专利技术的目的在于提供一种双磁矩天线，使其能解决在能量传递过程中，馈入线末端所产生的能量泄漏的问题。
[0006]根据上述目的，本专利技术的实施例提出一种双磁矩天线，其包含第一基板、信号馈入线、主要双磁矩天线、辅助天线以及液晶层。其中第一基板包含第一表面及相对于第一表面的第二表面。信号馈入线设置于第一表面上。主要双磁矩天线设置于第二表面上，主要双磁矩天线与信号馈入线重叠以形成重叠区域，信号馈入线的馈入线末端与重叠区域具有末端距离。辅助天线设置于第二表面上，辅助天线与主要双磁矩天线串连设置且位于主要双磁矩天线朝向馈入线末端的方向上。液晶层设置于主要双磁矩天线及辅助天线上。
[0007]在本专利技术的实施例中，主要双磁矩天线可包含主要第一电极及主要第二电极，主要第一电极为环形电极，主要第二电极为矩形电极，主要第一电极部分重叠于主要第二电极。
[0008]在本专利技术的实施例中，辅助天线可为辅助双磁矩天线，辅助双磁矩天线包含辅助第一电极及辅助第二电极，辅助第一电极为环形电极，辅助第二电极为矩形电极，辅助第一电极部分重叠于辅助第二电极。
[0009]在本专利技术的实施例中，辅助天线可为辅助单磁矩天线，辅助单磁矩天线包含辅助第一电极及辅助第二电极，辅助第一电极为环形电极，辅助第二电极为矩形电极，辅助第一电极部分重叠于辅助第二电极。
[0010]在本专利技术的实施例中，辅助天线可为插槽补片(slot
‑
patch)天线，插槽补片天线
包含沟槽及补片电极，补片电极部分重叠于沟槽。
[0011]在本专利技术的实施例中，辅助天线的面积可等于主要双磁矩天线的面积。
[0012]在本专利技术的实施例中，辅助天线的面积可小于主要双磁矩天线的面积。
[0013]在本专利技术的实施例中，主要双磁矩天线与辅助天线的设置位置之间可具有串连距离，串连距离大于2/3的末端距离。
[0014]在本专利技术的实施例中，主要双磁矩天线与辅助天线的设置位置之间可具有串连距离，串连距离介于1/3的末端距离与2/3的末端距离之间。
[0015]在本专利技术的实施例中，主要双磁矩天线与辅助天线的设置位置之间可具有串连距离，串连距离小于2/3的末端距离。
[0016]本专利技术的另一实施例提出一种双磁矩天线，其包含第一基板、信号馈入线、主要双磁矩天线、辅助天线以及液晶层。其中第一基板包含第一表面及相对于第一表面的第二表面。信号馈入线设置于第一表面上。主要双磁矩天线设置于第二表面上，主要双磁矩天线与信号馈入线的馈入线末端重叠以形成重叠区域。液晶层设置于主要双磁矩天线上。
[0017]承上所述，依本专利技术实施例所公开的双磁矩天线，可在馈入线末端方向设置辅助天线，解决在末端产生泄漏波而影响天线正向能量场型的问题，也避免在天线单元形成矩阵时，背向的辐射使天线单元产生共振而影响天线频率。
附图说明
[0018]为使本专利技术的技术特征、内容与优点及其所能达成的功效更为显而易见，兹将本专利技术配合附图，并以实施例的表达形式详细说明如下：
[0019]图1为本专利技术实施例的双磁矩天线的示意图。
[0020]图2A及图2B为本专利技术实施例的主要双磁矩天线的示意图。
[0021]图3A为本专利技术第一实施例的辅助天线的示意图。
[0022]图3B为本专利技术第二实施例的辅助天线的示意图。
[0023]图4A为本专利技术第三实施例的辅助天线的示意图。
[0024]图4B为本专利技术第四实施例的辅助天线的示意图。
[0025]图5A为本专利技术第五实施例的辅助天线的示意图。
[0026]图5B为本专利技术第六实施例的辅助天线的示意图。
[0027]图6为为本专利技术另一实施例的双磁矩天线的示意图。
[0028]附图标记如下：
[0029]10,30,40,50,60:双磁矩天线
[0030]11,21,31,41,51,61:第一基板
[0031]11a,61a:第一表面
[0032]11b,61b:第二表面
[0033]12,22,32,42,52,62:信号馈入线
[0034]13,23,33,43,53,63:主要双磁矩天线
[0035]14,34,34A,44,44A,54,54A:辅助天线
[0036]15,25,35,45,55,65:液晶层
[0037]16,26,36,46,56,66:第二基板
[0038]24:电极层
[0039]24H:槽孔
[0040]24L:连接线路
[0041]27:第三基板
[0042]D1:第一设置区域
[0043]D2:第二设置区域
[0044]D3:第三设置区域
[0045]E:馈入线末端
[0046]E1:第一电极
[0047]E11:主要第一电极
[0048]E12,E13,E14,E15:辅助第一电极
[0049]E2:第二电极
[0050]E21:主要第二电极
[0051]E22,E23,E24,E25:辅助第二电极
[0052]OA:重叠区域
[0053]PCB:印刷电路板
具体实施方式
[0054]为利了解本专利技术的技术特征、内容与优点及其所能达成的功效，兹将本专利技术配合附图，并以实施例的表达形式详细说明如下，而其中所使用的附图，其主旨仅为示意及辅助说明书之用，未必为本专利技术实施后的真实比例与精准配置，故不应就所附的附图的比例与配置关系解读、局限本专利技术于实际实施上的权利范围，合先叙明。
[0055]在附图中，为了淸楚起见，放大了层、膜、面板、区域、导光件等的厚度或宽度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双磁矩天线，包含：一第一基板，包含一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面；一信号馈入线，设置于该第一表面上；一主要双磁矩天线，设置于该第二表面上，该主要双磁矩天线与该信号馈入线重叠以形成一重叠区域，该信号馈入线的一馈入线末端与该重叠区域具有一末端距离；一辅助天线，设置于该第二表面上，该辅助天线与该主要双磁矩天线串连设置且位于该主要双磁矩天线朝向该馈入线末端的方向上；以及一液晶层，设置于该主要双磁矩天线及该辅助天线上。2.如权利要求1所述的双磁矩天线，其中该主要双磁矩天线包含一主要第一电极及一主要第二电极，该主要第一电极为环形电极，该主要第二电极为矩形电极，该主要第一电极部分重叠于该主要第二电极。3.如权利要求2所述的双磁矩天线，其中该辅助天线为一辅助双磁矩天线，该辅助双磁矩天线包含一辅助第一电极及一辅助第二电极，该辅助第一电极为环形电极，该辅助第二电极为矩形电极，该辅助第一电极部分重叠于该辅助第二电极。4.如权利要求2所述的双磁矩天线，其中该辅助天线为一辅助单磁矩天线，该辅助单磁矩天线包含一辅助第一电极及一辅助第二电极，该辅助第一电极为环形电极，该辅助第二电极为矩形电极，该辅助第一电极部...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪敬榔，郭家玮，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：