显示基板,显示基板制造方法和具有显示基板的显示设备技术

本发明专利技术公开显示基板，显示基板制造方法和具有显示基板的显示设备。显示基板包括栅极线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和挡光层。数据线与栅极线绝缘并且与栅极线交叉。薄膜晶体管连接到栅极线和数据线。薄膜晶体管形成在像素中。像素电极形成在像素中并连接到薄膜晶体管。挡光层由与数据线相同的层形成，其中挡光层与数据线的侧边相邻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能够提高开口率(aperture ratio)和防止垂直线点 缺陷(vertical line spot defect)的显示基板，制造该显示基板的方 法，和具有该显示基板的显示设备。
技术介绍
液晶显示设备包括第一显示基板、第二显示基板和液晶层。第一显示 基板包括薄膜晶体管和像素电极。第二显示基板包括滤色片和公共电极。 液晶层设置在第一和第二显示基板之间。第一显示基板还包括连接到薄膜晶体管的栅极线和数据线，栅极线和 数据线形成在多个像素中的每个像素中以便独立地驱动像素。第一 显示基板还包括挡光层，挡光层邻近数据线的两侧设置以便挡光。挡光层 处于电浮动状态(electrical floating state)。为了提高开口率，数据线和挡光层之间的距离被最小化。然而，在传 统的曝光装置中，数据线和挡光层之间的距离已经被减小到大约5 ii m。 因此，数据线和挡光层不由相同的金属层形成。当数据线和挡光层由不同层形成时，数据线和挡光层可彼此不对准。 因此，形成在数据线的左和右侧上的寄生电容(parasitic capacitances) 彼此不同，因此导致像素电压不正常，结果可产生垂直线点缺陷。因此，有必要提供能够提高开口率和防止垂直线点缺陷的显示基板。
技术实现思路
根据本专利技术的实例性实施例的显示基板包括栅极线、数据线、 薄膜晶体管、像素电极和挡光层。数据线与栅极线绝缘并且与栅极线交叉。 薄膜晶体管连接到栅极线和数据线，并且形成在像素中。像素电极形成在 像素中，并且连接到薄膜晶体管。挡光层由与数据线相同的层形成，其中挡光层与数据线的侧边相邻。薄膜晶体管包括栅电极、源极和漏极。栅电极连接到栅极线。 源极连接到数据线。漏极与源极隔离并且电连接到像素电极。挡光层可与数据线、源极和漏极电隔离，以便保持浮动状态。可选地， 挡光层可连接到漏极。挡光层和数据线之间的距离为大约3.0 um 4. 0 ii m。 像素电极的边缘部分与挡光层重叠。显示基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层。第一绝缘层形成在第一金 属图案和第二金属图案之间，所述第一金属图案具有栅极线和栅电极，所 述第二金属图案具有数据线、源极、漏极和挡光层。第二绝缘层形成在 像素电极与具有数据线、源极、漏极和挡光层的第二金属图案之间，并且 具有形成的接触孔。所述像素电极通过该接触孔电连接到漏极。在根据本专利技术的实例性实施例的显示基板的制造方法中，栅极线形成 在基板上。第一绝缘层形成在上面形成有栅极线的基板上。金属层形成在 第一绝缘层上。数据线和挡光层由所述金属层形成。数据线与栅极线交叉。 挡光层邻近数据线的侧边设置。第二绝缘层形成在上面形成有数据线和 挡光层的基板上。像素电极形成在上面形成有第二绝缘层的基板上。数据线和挡光层如下地形成。光刻胶图案形成在金属层上。 光刻胶图案的与数据线和挡光层对应的部分厚于与数据线和挡光层之间 的区域对应的部分。回蚀光刻胶图案以便暴露数据线和挡光层之间的区 域。通过使用作为蚀刻停止层的回蚀的光刻胶图案，形成数据线和挡光层。 光刻胶图案通过狭缝掩模或灰阶掩模形成。在形成栅极线的过程中，可形成连接到栅极线的栅电极。在形成 数据线和挡光层的过程中，可形成源极和漏极。源极连接到数据线。漏极 与源极隔离开并且电连接到像素电极。挡光层可与数据线、源极和漏极 电隔离。可选地，挡光层可连接到漏极。根据本专利技术的实例性实施例的显示设备包括第一显示基板，第二显示 基板和液晶层。所述第一显示基板包括栅极线、数据线、薄膜晶体管、像 素电极和挡光层。数据线与栅极线绝缘并且与栅极线交叉。薄膜晶体管连 接到栅极线和数据线，并且形成在像素中。像素电极形成在像素中，并且连接到薄膜晶体管。挡光层由与数据线相同的层形成，其中挡光层邻近数 据线的侧边设置。所述第二显示基板与所述第一显示基板相对。所述第二 显示基板包括形成在像素之间的黑色矩阵。黑色矩阵覆盖数据线和挡光 层。所述液晶层设置在第一显示基板和第二显示基板之间。附图说明通过参考附图、对本专利技术的实例性实施例的详细说明，本专利技术的上述 和其它特征将变得更清楚。图l是显示根据本专利技术的实例性实施例的显示设备的第一显示基板的一部分的布置图；图2是图1中显示的沿线I-I'的显示设备的剖视图； 图3是显示根据本专利技术的实例性实施例的显示设备的第一显示基板的一部分的布置图；图4， 6， 8和13是图1和2中显示的第一显示基板的布置图，显示根据本专利技术的实例性实施例的第一显示基板的制造过程；图5是图4中显示的第一显示基板的一部分的剖视图； 图7是图6中显示的第一显示基板的一部分的剖视图； 图9， 10， 11和12是图8中显示的第一显示基板的一部分的剖视图，显示根据本专利技术的实例性实施例的第一显示基板的制造过程；和 图14是图13中显示的第一显示基板的一部分的剖视图。具体实施方式下面，参考附图来更详细地说明本专利技术的实例性实施例。然而，本发 明可以许多不同形式体现，而不局限于本文所提及的实施例。可以理解的是，当元件或层被称为在另一个元件或层上(on)、连 接到(connected to)另一个元件或层、或耦联到(co叩led to)另 一个元件或层时，它能够直接在其它元件或层上、直接连接到其它元件或 层、或直接耦联到其它元件或层，或者也可以存在插入元件或层。图1是显示根据本专利技术的实例性实施例的显示设备的第一显示基板的 一部分的布置图。图2是图1中显示的沿线I-I'的显示设备的剖视图。参考图1和图2，显示设备IOO包括第一显示基板200、第二显示基 板300和液晶层400。第二显示基板300与第一显示基板200相对。液 晶层400设置在第一显示基板200和第二显示基板300之间。第一显示基板200包括栅极线210、数据线220、薄膜晶体管230、 像素电极240和挡光层250，以便独立驱动以矩阵形状布置的像素P。栅极线210形成在第一透明基板211上。例如，第一透明基板211 可包括玻璃材料或塑料材料。例如，栅极线210可在第一方向上延伸。第一绝缘层212可形成在第一透明基板211上，在第一透明基板211 上形成有栅极线210。第一绝缘层212保护栅极线210。栅极线210被 第一绝缘层212所绝缘隔离。例如，第一绝缘层212可包括氮化硅(SiNx) 或氧化硅(SiOx)。数据线220形成在第一绝缘层212上。第一绝缘层212使数据线 220与栅极线210绝缘隔离。数据线220在与第一方向交叉的第二方向 上延伸。例如，第二方向可大致与第一方向垂直。至少一个薄膜晶体管230可形成在每个像素P中以便独立地驱动像 素P。薄膜晶体管230连接到栅极线210和数据线220以便分别接收栅 极信号(gate signal)和像素电压。薄膜晶体管230被栅极信号打开。 像素电压施加到每个像素P。薄膜晶体管230包括栅电极231、源极232和漏极233。栅电极231 由与栅极线210相同的层形成并且连接到栅极线210。源极232由与数 据线220相同的层形成并且连接到数据线220。漏极233与源极232间 隔开。漏极233电连接到形成在每个像素P中的像素电极240。薄膜晶体管230可还包括有源图案(active pattern) 234。有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，包括：栅极线；与栅极线绝缘的数据线，所述数据线与所述栅极线交叉；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管连接到栅极线和数据线，并且形成在像素中；像素电极，所述像素电极形成在像素中，并且连接到薄膜晶体管；和　挡光层，所述挡光层由与数据线 相同的层形成，其中挡光层与数据线的侧边相邻。

【技术特征摘要】
KR 2007-6-4 10-2007-00542771.一种显示基板，包括栅极线；与栅极线绝缘的数据线，所述数据线与所述栅极线交叉；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管连接到栅极线和数据线，并且形成在像素中；像素电极，所述像素电极形成在像素中，并且连接到薄膜晶体管；和挡光层，所述挡光层由与数据线相同的层形成，其中挡光层与数据线的侧边相邻。2. 根据权利要求l的显示基板，其中所述薄膜晶体管包括 连接到栅极线的栅电极；连接到数据线的源极；和漏极，所述漏极与源极隔离，并且电连接到像素电极。3. 根据权利要求2的显示基板，其中所述挡光层与数据线、源极和漏极 电隔离，以便保持浮动状态。4. 根据权利要求2的显示基板，其中所述挡光层连接到漏极。5. 根据权利要求l的显示基板，其中挡光层和数据线之间的距离为3.0 (im至4.0 ,。6. 根据权利要求l的显示基板，其中像素电极的边缘部分与挡光层重叠。7. 根据权利要求2的显示基板，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在第一金属图案和第二金属图案之 间，所述第一金属图案具有栅极线和栅电极，所述第二金属图案具有数据线、源极、漏极和挡光层；和第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在像素电极与具有数据线、源极、 漏极和挡光层的第二金属图案之间，所述第二绝缘层具有接触孔，所述 像素电极通过该接触孔电连接到漏极。8.根据权利要求7的显示基板，其中所述薄膜晶体管还包括在 第一绝缘层与源极和漏极之间形成的有源图案。9. 一种制造显示基板的方法，包括如下步骤 在基板上形成栅极线；在上面形成有所述栅极线的所述基板上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成金属层；由所述金属层形成数据线和挡光层，所述数据线与栅极线交叉，所 述挡光层邻近数据线的侧边设置；在上面形成有所述数据线和所述挡光层的所述基板上形成 第二绝缘层；以及在上面形成有所述第二绝缘层的所述基板上形成像素电极。10. 根据权利要求9的方法，其中形成数据线和挡光层的步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：李京镇，金景旭，金爀珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]