【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域的检测分析技术,具体地说,涉及一种封装芯片焊 接金球的去除方法。
技术介绍
对封装后的芯片检测通常是抽样检测,所以当部分芯片使用过程出现问题 时,客户就会将这些问题芯片退回,要求进行失败原因检测分析。在进行检测 分析时,首先需要将封装表面的塑封体去除,然后将焊接金球去除后才能进行 电路检测分析。目前业界的通常做法是采用煮沸的硝酸将塑封,去掉,然后再用王水将焊 接金球去掉。通过测试发现,金球的边缘部分和中心部分的蚀刻速度有很大差 别,边缘部分需要十分钟的时间蚀刻掉,而中心部分需要约一分钟就可以完全 蚀刻掉。因此需要约十分钟的蚀刻步骤才能将金球全部去除干净。但是,长时 间的蚀刻步骤,很容易破坏金球中心部分对应的下层金属互连线,进而严重影响后续的电赠4企测分析。有鉴于此,需要提供一种新的以改善上述问题。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题在于提供一种可较好保护芯片金属互连线的焊接金 ^U々去除方法。为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种,其包括 a.提供封装后的芯片,其包括最外层的塑封体以及靠近焊接金球的端面;b.对 芯片的端面进行研磨抛光步骤,研磨掉端面的部分塑封体以及部分焊接金球; c.进行蚀刻步骤,将剩余焊接金球蚀刻掉。所述步骤b在打磨机上进行,其中打磨机具有研磨盘以及可拆卸地安装在研磨盘上的砂纸;进一步地,步骤b分为数个分步骤进行,且采用砂纸的颗粒 以及设置的研磨盘转速依次减小;进一步地,第一分步骤选择颗粒为30um的砂 纸,设置研磨盘的转速为70r/m,对芯片端面进行研磨抛光,直至看到金球;然 后进行第二分步骤,更换颗粒为1 ...
【技术保护点】
一种焊接金球的去除方法,其特征在于,该去除方法包括如下步骤:a.提供封装后的芯片,其包括最外层的塑封体以及靠近焊接金球的端面;b.对芯片的端面进行研磨抛光步骤,研磨掉端面的部分塑封体以及部分焊接金球;c.进行蚀刻步骤,将剩余焊接金球蚀刻掉。
【技术特征摘要】
1.一种焊接金球的去除方法,其特征在于,该去除方法包括如下步骤a.提供封装后的芯片,其包括最外层的塑封体以及靠近焊接金球的端面;b.对芯片的端面进行研磨抛光步骤,研磨掉端面的部分塑封体以及部分焊接金球;c.进行蚀刻步骤,将剩余焊接金球蚀刻掉。2. 如权利要求1所述的焊接金球的去除方法,其特征在于步骤b在打磨机上 进行,其中打磨机具有研磨盘以及可拆卸地安装在研磨盘上的砂纸。3. 如权利要求2所述的焊接金球的去除方法,其特征在于步骤b分为数个分 步骤进行,且采用砂纸的颗粒以及设置的研磨盘转速依次减小。4. 如权利要求3所述的焊接金球的去除方法,其特征在于步骤b分为三个分 步进行第一分步骤选择颗粒为30um的妙、纸,设置研磨盘的转速为,70r/m,对 芯片端面进行研磨抛光,直至看到焊接金球;然后进行第二分步骤,更换颗...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘淑君,冯海英,宋洁,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。