【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域的制造工艺,具体地说,涉及一种湿法蚀刻制程中 。
技术介绍
在半导体湿法蚀刻制程中,湿法蚀刻的处理液常常是由^5克酸(H2S04)和氢 氟酸(HF)按照一定比例混合形成的溶液。硫酸和氢氟酸的混合形成的处理液 对硼硅玻璃(BSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)和二氧化硅(Si02)具有较好的蚀 刻选择比。二氧化硅化为热氧化形成的氧化物,蚀刻的化学反应式是(1 );硼 硅玻璃或硼磷硅玻璃为化学气相沉积方式形成的氧化物,蚀刻的化学反应式是 (2)。Si02+2HF2+2H3O^SiF4+4H20 ( 1 )B203+6HF^2BF3+3H20 ( 2 )多种因素影响,如蚀刻机台当机、取置晶圓的机械手臂出现故障等等,均 可以使蚀刻机台处于异常状态。当蚀刻机台处于异常状态时,被蚀刻晶圓就无 法在预定的时间内取出,被蚀刻层如硼硅玻璃或硼磷硅玻璃蚀刻完成后,反应 液内的氬氟酸就会与被蚀刻层下面的半导体衬底表层的二氧化硅反应,造成过 蚀刻。目前业界解决过蚀刻问题的方法是向反应槽内加入去离子水稀释反应液中 氢氟酸的浓度,以达到延缓蚀刻速率的目的。但是,实际应用中发现,加入去 离子水后,反应槽内的硫酸与去离子水混合反应释放出大量的热量,使处理液 的温度上升,导致氢氟酸与去离子混合反应释放出更多的活性离子HF2—。依据 反应式(1)可知,采用现有并没有较好的解决过蚀刻的问题。因此,需要提供一种新的过蚀刻处理方法以克服上述缺陷。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种在湿法蚀刻制程中可有效保护晶圓不受 损坏的过蚀刻处理方法。为解决上述技术问题,本专利技术 ...
【技术保护点】
一种过蚀刻的处理方法,其特征在于,该处理方法包括如下步骤: a.提供蚀刻机台,其包括硫酸存储槽、氢氟酸存储槽、反应槽、数条连通所述存储槽和反应槽的管道以及警报器; b.将硫酸存储槽、氢氟酸存储槽中的浓硫酸和氢氟酸通过管道输入反应槽内混合形成处理液; c.将待处理晶圆放入反应槽的处理液内,进行湿法蚀刻; d.警报器发出警报后,向反应槽内加入浓硫酸,将氢氟酸浓度稀释至安全浓度。
【技术特征摘要】
1.一种过蚀刻的处理方法,其特征在于,该处理方法包括如下步骤a.提供蚀刻机台,其包括硫酸存储槽、氢氟酸存储槽、反应槽、数条连通所述存储槽和反应槽的管道以及警报器;b.将硫酸存储槽、氢氟酸存储槽中的浓硫酸和氢氟酸通过管道输入反应槽内混合形成处理液;c.将待处理晶圆放入反应槽的处理液内,进行湿法蚀刻;d.警报器发出警报后,向反应槽内加入浓硫酸,将氢氟酸浓度稀释至安全浓度。2. ...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆骞,常延武,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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