用于给基片进行表面处理的装置和方法制造方法及图纸

技术编号:3169309 阅读:169 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
用于对硅晶片进行表面处理的装置,具有用于运输硅晶片的运输辊子以及至少一个设置用于以液态的处理介质沿由运输辊子确定的运输平面湿润硅晶片表面的输送装置,其中,构造所述输送装置用于将处理介质施加到布置在运输平面内的面朝下的硅晶片表面上。设置多个用于从输送装置周围抽吸气态和/或雾状分布的处理介质的抽吸管,其中沿垂直方向在运输平面下方布置这些抽吸管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于给基片进行表面处理的装置,该装置具有至 少一个用于运输尤其由硅材料制成的基片的运输机构和至少一个设置 用于以液态的、气态的或喷雾状的处理介质在由运输机构确定的运输 平面中湿润基片表面的输送机构。本专利技术同样涉及一种用于以处理介 质湿润尤其由硅材料制成的基片的基片表面的方法。
技术介绍
由DE 102 25 848 Al公开了 一种用于除去面状的基片的上侧的涂 层的装置和方法。在此,用喷嘴将溶剂从上面倾斜地喷到基片上。基 片位于输送波(Transportwelle )上并且由该输送波进行输送。基片至 少以 一 个侧面的端部伸出输送波,使得从基片流出的包含溶解的涂层 成分的溶剂通过基片的突出部分从运输机构旁边流过。由此应该阻止 弄脏运输机构。用溶剂进行的涂层剥蚀用于在蚀刻过程前除去光敏的 涂层,从而确保只有基片的膝光的并且显影的表面区域设有对蚀刻过 程起作用的保护层。因此已经通过对光敏涂层的曝光和显影进行了涂 层的结构化。在用于表面处理的其它过程中,尤其在用于涂层剥蚀的过程中可 以以处理介质湿润基片的各个表面,其中涂层剥蚀在基片例如硅片或 者硅板上进行,该硅片或者硅板被称作晶片并且尤其用于半导体元件 和太阳能电池的生产。应该如此进行湿润,使得不具有上述那种保护 层或者具有其它涂层的其余基片表面不被施加的处理介质作用,从而 只在以处理介质湿润的基片表面上发生涂层剥蚀。这一点用已知的装 置不能得到保证。
技术实现思路
本专利技术的任务是提供一种实现基片的选择性的表面处理的装置和 方法。该任务根据本专利技术的第一方面通过具有权利要求1所述特征的装 置得到解决,在该装置中构造用于将处理介质施加到布置在运输平面 内的面朝下的基片表面上的输送机构,并且设置至少一个用于从输送机构周围抽吸气态和/或雾状分布的处理介质的抽吸机构,其中沿垂直 方向在运输平面下方布置所述至少一个抽吸机构。本专利技术的有利的以 及优选的设计方案是其它权利要求的主题并且在下面进行详细解释。 该装置和方法部分共同解释,其中这些解释以及相应的特征仍就独立 地适用于该装置和方法。通过明确的引用说明书的内容来表述权利要 求。面朝下的基片表面基本上是平坦的并且如此进行定向,即基片表 面的表面法线至少基本上竖直地沿垂直方向延伸。面朝下的基片表面 布置在运输平面内,并且是有待用处理介质湿润的表面。其它面朝下 的不在运输平面内的基片表面应该与此相反不用处理介质湿润。运输平面是有待运输的基片接触运输机构的平面,并且基本上水 平定向或者与水平方向呈锐角。根据运输机构的布置可以将运输平面 构造成弯曲的运输表面,其中至少基本上水平地定向运输表面段。用于以处理介质湿润面朝下的基片表面而设置在运输平面内的输送装置例如可以构造成焊接波(Liitwelle )类型的液体波。也就是说, 通过细长的弧形轮廓的棱边抽吸液态的处理介质,从而产生向上突起 的液体波,该液体波在波峰点中接触运输平面。也可以考虑将输送装置构造成喷雾装置,该喷雾装置可以发出基 本上沿垂直方向指向上的喷束。根据基片的轮廓也可以用喷雾装置实 现面朝下的基片表面的选择性的湿润。在本专利技术的一种优选的实施方式中将处理介质直接机械接触地施 加在例如构造成辊子或者输送带的输送装置和面朝下的基片表面之 间。为此目的,该输送装置具有适合于湿润基片表面的表面结构,并 且必要时由计量装置供给处理介质。该输送装置可以构造成被驱动的 或者可运动的。以此,可以实现输送装置的外表面在基片表面上用于 传递处理介质的滚轧过程,优选地沿输送方向运动的基片和输送装置 的接触运输平面的外表面具有相同的表面速度。不依赖于基片的面朝下的表面的湿润的类型,在输送装置的区域 内会出现汽化的和/或雾化的处理介质,该处理介质会以不希望的方式 沉积在基片的其它非面朝下的表面上。为了阻止这些可能不受保护的 表面由处理介质引起的损坏,设置抽吸机构,该抽吸机构从输送装置 周围抽吸蒸汽状的和/或雾状的处理介质并且以此阻止沉积在其它基片表面上。所述至少一个抽吸机构布置在运输平面下方,从而可以引起 基本上垂直指向下的空气流并且以此阻止汽化的和/或雾化的处理介质 向上上升到运输平面上方。典型的处理介质如氢氟酸、盐酸、硝酸或 钾碱液的水溶液形成气体或者雾,该气体或者雾比空气重并且可以通 过运输机构和基片之间发生的相对运动首先上升到运输平面上方。运输平面基本上水平定向或者与水平方向呈锐角。根据运输机构 的布置,运输平面可以是弯曲的运输表面,其中优选基本上水平定向 运输表面段。抽吸机构基于低压的使用,相对于输送装置周围的正常 压力优选地如此选择该低压,即可以形成至少几乎无涡旋的、尤其层 状的沿垂直方向向下的空气流。在本专利技术的设计方案中,将所述至少一个抽吸机构布置在中间空 间中,该中间空间由至少两个相邻布置的运输机构和运输平面限界。 以此可以实现用于给基片进行表面处理的装置的紧凑的构造。运输机 构之间的中间空间实现了通过抽吸机构吸取的并且基本上沿垂直方向 流下来的空气的有利的流动。通过在运输机构之间安置抽吸机构也可 以将多余的处理介质直接在出现的地方可靠地抽出并且以此远离运输 平面上方的区域,多余的处理介质通过已经用处理介质湿润的基片表 面和运输机构之间的相对运动、尤其是滚轧运动转换成气态的和/或雾 化的状态。在本专利技术的另一种设计方案中,将抽吸机构构造成纵向延伸的空 心体,尤其构造成管,并且该抽吸机构具有至少一个抽吸口。以此可 以实现抽吸机构的简单并且廉价的构造。该抽吸机构尤其可以构造成 封闭的或者开槽的管横截面,其中在封闭的管横截面中设置一个或者 多个抽吸口。在开槽的空心体中,沿纵向中轴线延伸的槽形成了抽吸 口。作为空心体,尤其考虑塑料管或金属管,这种塑料管或金属管例 如无缝地制造并且事后设置抽吸口 。在本专利技术的另一种设计方案中,抽吸机构布置在以处理介质填充 的处理池的区域内。以此可以实现该抽吸才凡构也可以获取气态的和/或 雾化的处理介质,该处理介质可以位于用作处理介质储存容器的处理 池上方。以此可以阻止从处理池中出来的气态的和/或雾化的处理介质 上升到运输平面上方,从而避免处理介质沉积在基片的面朝上的表面 上。在本专利技术的另一种设计方案中,将抽吸机构布置在处理池中,即 该抽吸机构在尤其没有构造抽吸口的下侧上可以至少部分地由处理介 质进行湿润。以此可以实现用于表面处理的装置的特别紧凑的构造。 容纳在处理池中的处理介质通过输送装置输向有待湿润的基片表面。 为了能够确保处理介质的有利于装置的紧凑构造的短的输送路程,如 此布置用于处理介质的处理池,即处理介质的液面只是略微位于运输 平面下方。抽吸机构应该具有足够的空心横截面,该空心横截面确保 以微小的到中等的流速进行抽吸用于维持在运输平面上方的区域内涡 旋少的流动。因此,优选构造成纵向延伸的空心体的抽吸机构布置在 处理池和运输平面之间,使得该抽吸机构至少部分地浸入处理介质中 并且以此不阻碍处理介质的所希望的短的路程。在本专利技术的另一种设计方案中,至少部分布置在处理池边缘上的 用于在边缘侧抽吸气态和/或雾状分布的处理介质的抽吸井配属于处理 池。以此,可以阻止在处理池边缘上的气态或雾状分布的处理介质上 升到运输平面上方并且损坏面朝上本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于给基片(2)进行表面处理的装置(1),所述装置具有至少一个用于运输尤其由硅材料制成的基片(2)的运输机构(3,3a)和至少一个用于以液态的处理介质(10)在由运输机构(3,3a)确定的运输平面(5)中湿润基片表面(4)的输送机构(3a),其特征在于,构造所述输送机构(3a)用于将处理介质(10)施加到布置在运输平面(5)内的面朝下的基片表面(4)上,并且设置至少一个用于从输送机构(3a)周围抽吸气态和/或雾状分布的处理介质(10)的抽吸机构(11),其中沿垂直方向在运输平面(5)下方布置所述至少一个抽吸机构(11)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2005-12-16 102005062527.41.用于给基片(2)进行表面处理的装置(1),所述装置具有至少一个用于运输尤其由硅材料制成的基片(2)的运输机构(3,3a)和至少一个用于以液态的处理介质(10)在由运输机构(3,3a)确定的运输平面(5)中湿润基片表面(4)的输送机构(3a),其特征在于,构造所述输送机构(3a)用于将处理介质(10)施加到布置在运输平面(5)内的面朝下的基片表面(4)上,并且设置至少一个用于从输送机构(3a)周围抽吸气态和/或雾状分布的处理介质(10)的抽吸机构(11),其中沿垂直方向在运输平面(5)下方布置所述至少一个抽吸机构(11)。2. 按权利要求l所述的装置,其特征在于,将所述至少一个抽吸 机构(11 )布置在一个中间空间中,该中间空间由至少两个相邻布置 的运输机构(11)和运输平面(5)限界。3. 按权利要求1或2所述的装置,其特征在于,将所述抽吸机构 (11 )构造成纵向延伸的空心体,尤其构造成管,并且该抽吸机构具有至少一个抽吸口 (12)。4. 按上述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,所述抽吸 机构(11)布置在以处理介质(10)填充的处理池(9)的区域内。5. 按权利要求5所述的装置,其特征在于,将所述抽吸机构(ll) 布置在处理池(9)中,使得该抽吸机构在尤其没有构造抽吸口 (12) 的下侧上可以至少部分地由处理介质(10)进行湿润。6. 按权利要求5或6所述的装置,其特征在于,为所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:H卡普勒
申请(专利权)人:吉布尔施密德有限责任公司
类型:发明
国别省市:DE[德国]

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