本发明专利技术公开了一种低温冷平台与室温外壳之间的引线结构及方法，它适用于对红外探测器芯片的杜瓦封装。本发明专利技术的引线结构包括红外探测器的安装衬底１、引线电路２、冷平台３、引线环４、杜瓦外壳５和低热导率的金属引线６。通过在安装衬底、引线电路、引线环、金属引线制备和连接上引入特定的处理方法，来实现了低温冷平台与室温外壳之间的引线结构，本发明专利技术实现了低温冷平台与室温外壳之间高通用、高气密的电学和真空连接，有利于微型红外探测器杜瓦组件的寄生热负载降低和长真空寿命的获得，同时引线连接点可承受高速率变化的高低温冲击，具有较高的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外探测器微型杜瓦的封装技术，具体指一种红外探测器微型 杜瓦的低温冷平台与室温外壳之间的引线结构及方法。技术背景红外探测器在航天、航空红外领域有着广泛的应用。随着波长向长波扩展 和探测灵敏度的提高，红外探测器必须在深低温下才能工作。由于机械制冷具 有结构紧凑、体积小、重量轻、制冷量大、制冷时间短、制冷温度可控范围大 等优点，目前该类探测器在空间应用中大多采用机械制冷方式，这样也使得其 应用时大多采用杜瓦封装，形成红外探测器杜瓦组件。它的技术指标中有低的 热负载和长的真空寿命。从国内外的介绍看，红外探测器微型杜瓦的低温冷平台与室温外壳之间的 引线方法，主要有如下几种-(1)采用柔性聚酰亚胺薄膜引线带，与探测器基板设有安装固定机构，与外壳采用接插件和O型密封圈将信号线引出(参见文献James H. Rutter， Jr G. Scott Libonate， Gence Robillard et al， Performance of the PV/PC HgCdTe Focal Plane/Dewar Assembly for the Atmospheric Sounder Instrument (AIRS)， SPIE VOL. 3457(1998)，)它可以将大量的引线引出，但也存在如 下问题a)O型橡胶圈真空密封存在真空渗透和放气较大的不足，这对杜瓦组 件长的真空寿命不利；b)聚酰亚胺的放气率较金属材料高两个数量(文献中 没有提到对聚酰亚胺低放气率处理)，大面积的薄膜引线带放置在杜瓦内，同样对杜瓦组件长的真空寿命不利；c)薄膜引线带与探测器陶瓷基板和外壳互 联需要设置对接机构，使得杜瓦结构复杂；d)在外壳上布置了多个接插件增 加了杜瓦的重量。(2) 冷平台支撑柱的材料采用玻璃或塑料材料，在玻璃内预埋可伐丝(参 见专利US4565925 Detector dewar with all-Kovar leads, and method of making the same)或通过塑料表面部分金属化产生引线(参见专利EP0154947 Dewar Apparatus、 US4918312 Dewar Cold finger),其存在如下问题a)玻 璃或塑料放气率较金属材料高，这对杜瓦组件的真空寿命不利；b)无论是预 埋可伐材质的金属丝还是部分金属化形成引线，其在与冷平台和外壳之间连接 时都需要设置对接机构；c)这种引线方式需要较高的封装技术和成本。(3) 在杜瓦内增加一层电绝缘材料的中间件，在中间件上布置一些金属 丝，与探测器基板和外壳连接处都需要安装固定机构和其它引线焊接方法过渡(参见专利US4645931 Detector Dewar Assembly),其存在如下问题a)使 得杜瓦结构复杂化；b)将探测器芯片的信号线引出杜瓦，需要多次焊接连接， 降低了可靠性。(4) 传统的方法是通过电烙铁焊接金属引线，将冷平台上的探测器芯片信 号线直接穿过室温外壳引到杜瓦，在引线与外壳接触处采用胶接密封，该结构 的工艺相对简单，但要得到高的漏率和长的真空寿命较难。(5) 半导体体工艺中常用的引线工艺有超声键合和金丝球焊方法。但它们对金属引线材质种类都有限制， 一般多采用硅铝丝和金丝，并且它们对两焊点之间的相对位置有一定限制的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种红外探测器微型杜瓦的低温冷平台与室温外壳之间的引线结构及方法，来解决低温冷平台与室温外壳之间高通用、高气密电 连接问题，同时又有利红外探测器杜瓦组件寄生热负载的降低和长真空寿命的 获得。本专利技术的红外探测器微型杜瓦的低温冷平台与室温外壳之间的引线结构 如附图1所示，它主要包括红外探测器的安装衬底1、引线电路2、冷平台3、引线环4、杜瓦外壳5、低热导率的金属引线6。红外探测器的安装衬底1采用 蓝宝石或高抛光氮化铝或99氧化铝，通过磁控或离子溅射或蒸发Cr/Au或 Cr/Ni/Au工艺在安装衬底1表面形成金属层，再将设计好的电极图案通过光刻 和腐蚀的方法形成引线电路2;通过半球形铟头生成方法在引线电路2的外侧 引线端201上形成半球形铟头202后，将带引线电路2的安装衬底1通过胶接 固定在冷平台3上；引线环4由可伐合金材质的金属环401、绝缘材料玻璃珠 或陶瓷402 、可伐合金材质电极针脚或厚膜工艺形成的引线电路内侧引线端403 高气密烧结而成，通过半球形铟头生成方法在引线环4的电极针脚(图1中(a) 所示)或厚膜工艺形成的引线电路(图1中(b)所示)内侧引线端403上形成 半球形铟头404后，将引线环4通过激光焊接或氩弧焊接固定在室温外壳5上； 最后通过铟埋引线方法和金属引线6将安装衬底1上的引线电路2与引线环4 连接起来，金属引线6采用不同直径不同材质的低热导率的金属引线(如铂、 锰铜、康铜、金、镍等等)。本专利技术的引线环4可以由两种气密烧结获得，下面分别阐述其结构 1)玻璃与可伐合金烧结结构(见图1 (a)):在可伐合金材质的金属环401 根据需要预留若干个孔，在孔中插入可伐材质的电极针脚403，在金属环401 与电极针脚403之间填上玻璃珠402实现电学绝缘，再通过高气密烧结工艺获 得引线环4。2)陶瓷与可伐合金烧结结构(见图l (b)):两层陶瓷402的下面一层的 上表面上，通过厚膜工艺和金属浆料形成所需要的引线环4上的引线电路403， 在引线电路403上再放置一层陶瓷402,来实现两个可伐合金材质的金属环401 之间和引线环4上的引线电路403与金属环401之间的电学绝缘，再通过高气 密烧结工艺获得引线环4。本专利技术对安装衬底1上引线电路2和引线环4上可伐合金材质的电极针脚 或厚膜工艺形成的引线电路内侧引线端403的设计有如下原则1)引线电路2 的外侧引线端201和可伐电极针脚或厚膜工艺形成的引线电路内侧引线端403 的端面面积S要大于0. 25mm2; 2)引线电路2的所有外侧引线端子201要与引 线环4的电极针脚或厚膜工艺形成的引线电路的内侧引线端403 —一对应；本专利技术的半球形铟头生成方法如下1) 通过断电的热的电烙铁和松香在引线电路2的外侧引线端201上处理 上高度I约为0. 5mm-lmm半球形铟头202，然后将半球形铟头202用酒精和去 离子水依次清洗并烘干；2) 在引线环4高气密烧结而成后，在电极针脚或厚膜工艺形成的引线电 路的内侧引线端403上，按步骤1形成高度I约为0. 5mm-lmm半球形铟头404;本专利技术的铟埋引线方法如下1) 在显微镜下用手术刀先将半球形铟头202的中心切开一小槽，槽深不 小于0.3mm,将低热导率金属引线6的低温端601插入槽中后，用小0.5的针 将其埋入半球形铟头202中。操作中手不得接触金属引线6，用镊子夹持；2) 按步骤1将金属引线6的室温端602埋入半球形铟头404。 本专利技术有如下优点-1)本专利技术的结构简单，操作方便，无需专门设备；2) 本专利技术采用了高气密烧结得到的引线环，并将其通过激光焊接或氩弧 焊接连接到室温外壳上，漏率优于1X10—upa,l/s，克服了O型密封圈真空渗漏 和放气较大的不足；3) 本专利技术对金属引线的材料种类没有要求，可根据需要选用不同直径不 同材质的金属引线，具本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种红外探测器微型杜瓦的低温冷平台与室温外壳之间的引线结构，它由红外探测器的安装衬底（１）、引线电路（２）、冷平台（３）、引线环（４）、杜瓦外壳（５）、低热导率的金属引线（６）组成，其特征在于： Ａ．低温端的引线结构：带有引线电路（２）的安装衬底（１）胶接固定在杜瓦的冷平台（３）上，引线电路（２）的外侧引线端（２０１）上有半球形铟头（２０２）； Ｂ．室温端的引线结构：与杜瓦外壳（５）焊接相连的引线环（４）中的金属环（４０１）上排列有通过绝缘材料（４０２）绝缘的引线端（４０３），在引线端（４０３）上有半球形铟头（４０４）； Ｃ．低温端的引线电路（２）通过连接在半球形铟头（２０２）和半球形铟头（４０４）之间的金属引线（６）连接到室温端的引线环（４）上。
【技术特征摘要】
1.一种红外探测器微型杜瓦的低温冷平台与室温外壳之间的引线结构，它由红外探测器的安装衬底(1)、引线电路(2)、冷平台(3)、引线环(4)、杜瓦外壳(5)、低热导率的金属引线(6)组成，其特征在于A.低温端的引线结构带有引线电路(2)的安装衬底(1)胶接固定在杜瓦的冷平台(3)上，引线电路(2)的外侧引线端(201)上有半球形铟头(202)；B.室温端的引线结构与杜瓦外壳(5)焊接相连的引线环(4)中的金属环(401)上排列有通过绝缘材料(402)绝缘的引线端(403)，在引线端(403)上有半球形铟头(404)；C.低温端的引线电路(2)通过连接在半球形铟头(202)和半球形铟头(404)之间的金属引线(6)连接到室温端的引线环(4)上。2. 根据权利要求1所述的一种红外探测器微型杜瓦的低温冷平台与室温 外壳之间的引线结构，其特征在于所说的引线电路(2)的外侧引线端(201) 的端面面积大于0. 25mm2 。3. 根据权利要求1所述的一种红外探测器微型杜瓦的低温冷平台与室温 外壳之间的引线结构，其特征在于所说的引线环(4)的引线端(403)的端 面面积大于0. 25mm2 。4. 根据权利要求1所述的一种红外探测器微型杜瓦的低温冷平台与室温 外壳之间的引线结构，其特征在于所说的半球形铟头(202)通过断电的热 的电烙铁和松香在引线电路(2)的外侧引线端(201)上制成，它的高度在 0. 5咖-lmm之间。5. 根据权利要求1所述的一种红外探测器微型杜瓦的低温冷平台与室温外壳之间的引线结构，其特征在于所说的半球形铟头(404)通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：王小坤，朱三根，吴家荣，张亚妮，曾智江，龚海梅，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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