一种有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件，包括基片，以及依次形成在基片上的阳极、发光层，在发光层上形成的电子注入层和在电子注入层上形成的阴极，其特征在于所述电子注入层通过如下方法制备：将活泼金属化合物与金属银、钴、金、镱、钼、铜或锡在真空条件下共蒸，分解得到活泼金属与银、钴、金、镱、钼、铜或锡的掺杂体。采用此种方法制备的活泼金属，与导电性良好的金属掺杂制备电子注入层，能够进一步提高器件的性能，而且通过选择高导电率及光透过的金属材料，可以实现顶发光及透明阴极器件的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机电致发光器件，尤其涉及一种改善了电子注入层的有机 电致发光器件。
技术介绍
早在五十年代，Bernanose. A等人就开始了有机电致发光器件(0LED)的研究。 最初研究的材料是蒽单晶片.由于存在单晶片厚度太厚的问题(10-20um)，所需 的驱动电压很高(几百伏)。1987年美国Eastman Kodak公司的邓青云(C. W. Tang) 和Vanslyke报道了结构为IT0/Diamine/Alq3/Mg:Ag的有机小分子电致发光器 件。器件在10伏的工作电压下亮度达1000cd/m2，外量子效率达到1.0%，弓|起 了科学家们的广泛关注。人们看到了有机电致发光器件应用于显示的可能性。从 此揭开了有机小分子及聚合物电致发光研究及产业化的序幕。 OLED器件的高效率、长寿命、高亮度等性能指标是其实现产业化的基础。 Ca、 Mg等)可以有效的降低电子到有机层的注入势垒，增加电子的注入。但此 类活泼函数金属的制备及存储比较困难，且影响器件的制备工艺。还有一种方法 就是通过引入电子注入材料的方法来提高器件的电子注入效率。如目前产品使用 的LiF。但该材料本身为绝缘材料，电子注入层的优化厚度很薄，不利于工艺控 制。且材料具有毒性，对操作人员及环境存在污染。 在之前的实验中申请人研究了蒸镀活泼金属氮化物或碳酸盐获得活泼金属， 作为电子注入层的方法，后续的实验研究发现，采用此种方法制备的活泼金属， 与导电性良好的金属掺杂制备电子注入层，能够进一步提高器件的性能，而且通 过选择高导电率及光透过的金属材料，可以实现顶发光及透明阴极器件的制备专利
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电子注入能力优异、毒性小、寿命长、成膜温度 低、膜厚要求宽的有机电致发光器件。为实现上述专利技术目的，本专利技术人对碱金属氮化物，碱金属碳酸盐，尤其是 Li3N和Cs2C03作为电子注入层掺杂金属银的的制备工艺和器件性能进行了深入 的研究，本专利技术的技术方案如下一种有机电致发光器件，包括基片，以及依次形成在基片上的阳极、发光层， 在发光层上形成的电子注入层和在电子注入层上形成的阴极，其特征在于所述电 子注入层通过如下方法制备将活泼金属化合物与金属银、钴、金、镱、钼、铜 或锡在真空条件下共蒸，分解得到活泼金属与银、钴、金、镱、钼、铜或锡的掺 杂体。在上述有机电致发光器件中，活泼金属化合物为碱金属的氮化物或碱金属的 碳酸盐。在上述有机电致发光器件中，碱金属的氮化物为Li3N、 Na3N和KsN。 在上述有机电致发光器件中，碱金属的碳酸盐为Cs2C03、Li2C03和Na2C03。 在上述有机电致发光器件中，碱金属氮化物掺杂金属银的重量百分比为 0.1%~99%。在上述有机电致发光器件中，碱金属的碳酸盐掺杂金属银的重量百分比为 0.1%~99%。在上述有机电致发光器件中，碱金属氮化物的厚度为0.1nm 100nm。 在上述有机电致发光器件中，碱金属碳酸盐的厚度为0.1nm 100nm。 在上述有机电致发光器件中，阳极和发光层之间还包括空穴注入层和/或空 穴传输层。在上述有机电致发光器件中，发光层和电子注入层之间还包括电子传输层。 在上述有机电致发光器件中，所述金属优选为银。上述有机电致发光器件的制备方法，其特征在于电子注入层的制备方法如 下将活泼金属化合物与金属银、钴、金、镱、钼、铜或锡在真空条件下共蒸， 分解得到活泼金属与银、钴、金、镱、钼、铜或锡的掺杂体，其中活泼金属化合 物为碱金属的氮化物或碱金属的碳酸盐，碱金属的氮化物为Li3N、 Na3N和K3N， 碱金属的碳酸盐为Cs2C03、 Li2C03和Na2C03，所述金属优选为银。附图说明图1本专利技术有机电致发光器件的结构图图2本专利技术实施例1中OLED器件的效率-电流密度曲线图 图3本专利技术实施例3中OLED器件的效率-电流密度曲线图具体实施例方式下面通过具体实施例详述本专利技术参照图1为本专利技术有机电致发光器件的基本结构图，其中基板01上依次设 置阳极02，空穴传输层03，发光层04，电子传输层05，电子注入层06及阴极 07。实施例1 器件结构ITO/NPB (40nm) /Alq3 (50nm) /Ag: 5%Li (Li3N分解)(10nm) /Ag (90nm) 制备方法如下① 利用较高温度的洗涤剂超声和去离子水超声的方法对已经刻蚀好固定图 形的ITO玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干；② 把上述处理好的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至lxlO—Spa，在上述阳 极层膜上继续蒸镀空穴传输层(NPB)，该层成膜速率为0.1nm/s，膜厚为40nm;③ 在空穴注入层上蒸镀Alq3作为发光层及电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s， 总膜厚为50nm;④ 在电子传输层上蒸镀Li3N与Ag的掾杂体，在蒸镀过程中Li3N分解得到 Li,与Ag形成合金作为器件的电子注入层，其中Li的重量百分比为5M，膜厚 为10nm。⑤ 在上述电子注入层上继续蒸镀Ag层作为器件的阴极层，Ag层的蒸镀速 率为1.0nm/s，厚度为90nm。实施例2器件结构ITO/NPB (40nm) /Alq3 (50nm) /Ag: 10% Li(Li3N分解)(10nm) /Ag (90nm) 制备步骤如同实施例1，只是在步骤④中蒸镀Li3N获得Li的重量百分比为 10%。实施例3器件结构ITO/NPB (40nm) / Alq3 (50nm) /Ag: 20% Li (Li3N分解)(10nm) /Ag (90nra) 制备步骤如同实施例1，只是在步骤④中蒸镀Li3N获得Li的重量百分比为 20%。对比例1器件结构ITO/NPB(40nm)/ Alq3(50nm) /Ag(lOOnm)制备步骤同实施例1，只是省去了步骤④中电子注入层的制备。对比例2器件结构ITO/NPB(40nm)/ Alq3(50nm)/LiF (0. 5nm) /AglOOnm)制备步骤同实施例1,只是步骤④中在电子传输层上蒸镀LiF作为电子注入层。对比例3 器件结构-ITO/NPB (40nm) / Alq3 (50nm) / Li(Li3N分解)(0. 5 nm) /Ag (90nm) 制备步骤同实施例1，只是步骤④中在电子传输层上蒸镀仅蒸镀Li3N作为电子注入层。上面实施例1-3和对比例1-3的OLED器件结构性能如下表1所示: <table>table see original document page 7</column></row><table>图2是本专利技术实施例1-3和对比例1-3的OLED器件效率-电流密度曲线图，结合表1和图2可以看出当电子注入层为Li3N掺杂金属Ag的结构时，器件的 电流效率明显高于对比例1中没有电子注入层和对比例2中电子注入层为LiF的 结构，并且也高于对比例3中电子注入层仅为Li(Li3N分解)的未掺杂结构，并 且当Li(Li3N分解)的重量百分比比为20%时，OLED器件的效率最高。实施例4器件结构-ITO/NPB (40nm) / Alq3 (50nm) /Ag: 20% Li (Li3N分解)(5nm) /Ag (90nm) 制备步骤同实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括基片，以及依次形成在基片上的阳极、发光层，在发光层上形成的电子注入层和在电子注入层上形成的阴极，其特征在于所述电子注入层通过如下方法制备：将活泼金属化合物与金属银、钴、金、镱、钼、铜或锡在真空条件下共蒸，分解得到活泼金属与金属银、钴、金、镱、钼、铜或锡的掺杂体。

【技术特征摘要】
1、一种有机电致发光器件，包括基片，以及依次形成在基片上的阳极、发光层，在发光层上形成的电子注入层和在电子注入层上形成的阴极，其特征在于所述电子注入层通过如下方法制备将活泼金属化合物与金属银、钴、金、镱、钼、铜或锡在真空条件下共蒸，分解得到活泼金属与金属银、钴、金、镱、钼、铜或锡的掺杂体。2、 根据权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于所述活泼金属化合物为碱 金属的氮化物或碱金属的碳酸盐。3、 根据权利要求2的有机电致发光器件，其特征在于所述碱金属的氮化物为 Li3N、 Na;iN和K3N。4、 根据权利要求2的有机电致发光器件，其特征在于所述碱金属的碳酸盐为 Cs2C03、 Li2CO a2C03。5、 根据权利要求2的有机电致发光器件，其特征在于所述碱金属的氮化物掺杂 金属银、钴、金、镱、钼、铜或锡的重量百分比为0.1%~99%。6、 根据权利要求2的有机电致发光器件，其特征在于所述碱金属的碳酸盐掺杂 金属银、钴、金、镱、钼、铜或锡的重量百分比为0.1%~99%。7、 根据权利要求2的有机电致发光器件，其特征在于所述碱金属的氮化物的厚 度为0.1nm~ 100nm。8、 根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇，张国辉，段炼，李扬，刘倩，
申请(专利权)人：清华大学，北京维信诺科技有限公司，昆山维信诺显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]