【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体封装件的组装接合技术,特别是涉及一种避免基板翘曲引起的焊接缺陷的半导体封装接合构造,可运用于高密度3D堆叠 的架构(Package- 0n- Package module, POP)。
技术介绍
当前随着半导体封装件的薄化发展趋势,在经过表面接合的回焊处理 之时,半导体封装件的基板变得更容易翘曲,而导致发生冷焊、空焊或假焊等焊接缺陷。特别是半导体封装堆叠的接合构造(Package-On-Package device, POP)中,焊接缺陷更是接合过程中的一大问题。为了符合先进的 微小化电子产品需求,复数个半导体封装件可以纵向3D堆叠,以符合小型 表面接合面积与高密度元件设置的要求,然而微间距的端子与端子之间的 焊接关更容易受到基板翘曲而被破坏,从而产生电性断路的现象。富士通(Fujitsu)公司在美国专利第6476503号以及Tessera (泰斯拉) 公司在美国专利公开第2006/0138647号,各提出一种可以应用于封装堆叠 的微接触架构。请参阅图1所示,是现有习知的半导体封装接合构造的截 面示意图。现有习知的半导体封装接合构造IOO,主要包含一第一半导体封 装件110、 一第二半导体封装件120以及焊料130,其中上述的第一半导体封装件110,其是堆叠在该第二半导体封装件120之 上,并且以焊料130连接两半导体封装件即第一半导体封装件110与第二半 导体封装件120。该第一半导体封装件llO具有一第一基板lll、 一设置于 第一基板lll的一上表面lllA的第一晶片112以及复数个形成于该第一基 板111的一下表面111B ...
【技术保护点】
一种半导体封装接合构造,其特征在于其包含: 至少一第一半导体封装件,其包含一第一基板、一第一晶片、复数个第一外接端子与复数个第二外接端子,其中该些第一外接端子与该些第二外接端子是设置于该第一基板的一下表面; 一封装载体,其包含复数个第一连接端点与复数个第二连接端点;以及 复数个焊料,其接合该些第一外接端子至该些第一连接端点以及接合该些第二外接端子至该些第二连接端点; 其中,该第一基板定义有一中心线,该些第一外接端子至该中心线的距离是小于该些第二外接端子至该中心线的距离; 其中,该些第一外接端子与该些第二外接端子是包含不等高的凸块,用以缩小由该第一基板的翘曲引起该些第一外接端子与该些第一连接端点之间以及该些第二外接端子与该些第二连接端点之间的焊料间隙差异。
【技术特征摘要】
1、一种半导体封装接合构造,其特征在于其包含至少一第一半导体封装件,其包含一第一基板、一第一晶片、复数个第一外接端子与复数个第二外接端子,其中该些第一外接端子与该些第二外接端子是设置于该第一基板的一下表面;一封装载体,其包含复数个第一连接端点与复数个第二连接端点;以及复数个焊料,其接合该些第一外接端子至该些第一连接端点以及接合该些第二外接端子至该些第二连接端点;其中,该第一基板定义有一中心线,该些第一外接端子至该中心线的距离是小于该些第二外接端子至该中心线的距离;其中,该些第一外接端子与该些第二外接端子是包含不等高的凸块,用以缩小由该第一基板的翘曲引起该些第一外接端子与该些第一连接端点之间以及该些第二外接端子与该些第二连接端点之间的焊料间隙差异。2、 根据权利要求1所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中当该 第一基板的周边是远离该封装载体而往上翘起时,该些第二外接端子是具有更高于该些第一外接端子的补偿高度。3、 根据权利要求1所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中当该 第一基板的周边是接近该封装载体而往下翘起时,该些第一外接端子是具 有更高于该些第二外接端子的补偿高度。4、 根据权利要求1所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中所述 的第 一晶片设置于该第 一基板的 一上表面。5、 根据权利要求1所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中所述 的第 一基板具有 一 沿着该中心线的.第 一槽孔,以显露该第 一 晶片的复数个 焊垫。6、 根据权利要求5所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中所述 的第 一半导体封装件更包含复数个第一焊线,该第一基板是具有一第一槽 孔,该些第一焊线是通过该第一槽孔而电性连接该第一晶片与该第一基板。7、 根据权利要求6所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中所述 的第一半导体封装件更包含一第一封胶体,其形成于该第一槽孔,以密封 该些第一焊线。8、 根据权利要求7所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中所述 的第一封胶体是不覆盖该第一晶片。9、 根据权利要求1所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中所述 的封装载体是为 一 印刷电路板。10、 根据权利要求1所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中所述 的封装载体是为一第二半导体封装件,其另包含一第二基板、 一第二晶片 及复数个第三外接端子,其中该些第三外接端子设置于该第二基板的一下 表面,该些第 一连接端点与该些第二连接端点设置于该第二基板的 一上表面。11、 根据权利要求10所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中所述的第二晶片是设置于该第二基板的一上表面,且不覆盖该些第一连接端 点与该些第二连蜂端点。12、 根据权利要求IO所述的丰导体封装接合构造,其特征在于其中所 述的第二半导体封装件是大致相同于该第 一半导体封装件,而包含有复数 个第二焊线与 一第二封胶体。13、 根据权利要求1所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中所 述的该些第一外接端子与该些第二外接端子是为柱状凸块或结线凸块。14、 根据权利要求1所述的半导体封装接合构造,其特征在于其中所 述的该些第 一外接端子与该些第二外接端子具有半锥形截面。15、 一种半导体封装接合构造,...
【专利技术属性】
技术研发人员:范文正,
申请(专利权)人:力成科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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