半导体金属硅化物的监测结构制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体金属硅化物的监测结构，本发明专利技术的金属硅化物的监测结构包括位于金属硅化物内的复数个通孔，与通孔连接的金属线。采用本发明专利技术的半导体金属硅化物的监测结构可以监测半导体有源区的有源电阻、漏电流等，从而保证金属硅化物的形成质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体的监测结构，特别涉及半导体的金属硅化物质量的 监测结构。
技术介绍
在现代超大规模集成电路芯片中，半导体器件的高集成度导致减小导电引 线(例如栅极电极或位极)的宽度，随着导电引线宽度的减小，它们的相应电阻增大。例如，导电引线的宽度减小到1/N,它们的电阻增加N倍，电阻的增大 导致半导体器件的运行速度下降。对于用作半导体器件的栅极或位线， 一般采用掺杂的多晶硅线，但是这种 掺杂的多晶硅线呈现30-70欧姆/平方厘米的高表面电阻以及每个触点约为 30-70欧姆/平方厘米的高接触电阻。为了降低如此高的表面和接触电阻，已经提出 一种在两根多晶硅线之间形 成一金属硅化物。例如当硅化钽或硅化鴒形成于两根多晶硅线之间时，可以将 表面电阻降低至5欧姆/平方厘米而接触电阻降低至3欧姆/平方厘米，所以相 应地延长了半导体的运行时间。 一般的金属硅化物制造过程包括下列步骤先 沉积一金属层，例如钽或鴒，然后进行一热制程，使先前沉积的金属层与接触 到的硅基底或多晶硅栅极反应成金属硅化物。但是上述金属硅化物形成质量的好坏对半导体器件的性能有决定性的影 响，比如当夹在两根多晶硅线之间的有源区金属硅化物形成不好时，测出的有 源电阻值就会相当大且半导体的运行速度下降，所以有必要设置一监测结构參 监测金属硅化物形成的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体金属硅化物的监测结构，通过该监测结 构通过监测金属硅化物的有源电阻、漏电流等从而保证半导体金属硅化物的质量。为了达到所述的目的，本专利技术提供了一种半导体金属硅化物的监测结构， 其中，包括位于金属硅化物内的复数个通孔，与通孔连接的金属线。在上述的半导体金属硅化物的监测结构中，所述的金属硅化物组成有源区。 在上述的半导体金属硅化物的监测结构中，所述的有源区位于两根多晶硅 线之间。在上述的半导体金属硅化物的监测结构中，所述的两根多晶硅线之间的距 离采用最小设计原则。在上述的半导体金属硅化物的监测结构中，所述的多晶硅线和有源区有一 定的重叠。在上述的半导体金属硅化物的监测结构中，所述的有源区底部具有通孔。 在上述的半导体金属硅化物的监测结构中，所述的有源区上部具有通孔。 在上述的半导体金属硅化物的监测结构中，所述的金属线具有与通孔连接 的对应通孔。夸专利技术由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果可以监测金属硅化物的有源电阻、漏电流等，从而保证半导体金属硅化物的形成质量，而且结构简单，操作方便。 附图说明本专利技术的半导体金属硅化物的监测结构由以下的实施例及附图给出。图1为实施例1的半导体金属硅化物的监测结构的示意图； 图2为实施例2的半导体金属硅化物的监测结构的示意具体实施例方式以下将对本专利技术的半导体金属硅化物的监测结构作进一步的详细描述。 在图l中，有源区2夹在两根多晶硅线la、 lb之间，两根多晶硅线la、 lb 之间的距离采用最小设计原则，多晶硅线la、 lb和有源区2有一定的重叠，有 源区2由金属硅化物组成。有源区2的两端与金属硅化物的监测结构连接，也 就是有源区2利用复数个通孔化、4b、 4c、化将金属硅化物与两条金属线3a、3b连接，再将金属线3a、 3b与外部的测试装置(未示出)比如万能电表连接， 通过测试装置可测出夹在金属线3a、 3b之间的有源电阻值。当夹在两根多晶硅 线la、 lb之间的有源区2金属硅化物形成不好时，测出的有源电阻值就会相当 大。图2中，有源区12夹在两根多晶硅线lla、 llb之间，两根多晶硅线lla、 llb放置在有源区12的两边，多晶硅线lla、 lib的边缘到有源区12边缘的距 离采用最小设计原则，有源区12由金属硅化物组成。.金属硅化物的监测结构如 下有源区12的底部和与该底部该相邻的上部具有复数个通孔14a、 14b、 14c、 15a、 15b、 15c,金属线17a具有与上述复数个通孔14a、 14b、 14c、 15a、 15b、 15c相对应连4妄的通孔13a、 13b、 13c、 16a、 16b、 16c，将金属线17a的两端与外部的测试装置(未示出)监测有源拐角区域的漏电;;危。由浅沟隔离区产生的应力和两根多晶硅线产生的应力对于金属硅化物的形成具有很大的影响，尤 其在有源拐角区域，应力更加显著，容易使金属硅化物穿通N+注入区，产生短 路现象且产生漏电流。采用此监测结构来监测N+和P型4十底之间的漏电流， 可以监控金属硅化物是否穿通N+注入区。外部的测试装置测试有源区12的任 意底部和与该底部该相邻的上部的复数个通孔与金属线17a、 17b对应连接的通 孔之间的电流，即可测出底部和与该底部该相邻的上部之间的漏电;克。采用本专利技术的监测结构，可全面地监测半导体金属硅化物的质量，包括有 源电阻、漏电流等，对存在质量的半导体金属硅化物可以淘汰或者通过修补方 法进行修补完善或者在制造工艺中进行改善以形成合格的半导体金属硅化物。以上介绍的仅仅是基于本专利技术的较佳实施例，并不能以此来限定本专利技术的 范围。任何对本专利技术的监测结构作本
内熟知的步骤的替换、组合、分 立，以及对本专利技术实施步骤作本
内熟知的等同改变或替换均不超出本 专利技术的揭露以及保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体金属硅化物的监测结构，其特征在于，包括位于金属硅化物内的复数个通孔，与通孔连接的金属线。

【技术特征摘要】
1、一种半导体金属硅化物的监测结构，其特征在于，包括位于金属硅化物内的复数个通孔，与通孔连接的金属线。2、 如权利要求l所述的半导体金属硅化物的监测结构，其特征在于所述 的金属硅化物组成有源区。3、 如权利要求2所述的半导体金属硅化物的监测结构，其特征在于所述 的有源区位于两根多晶硅线之间。4、 如权利要求3所述的半导体金属硅化物的监测结构，其特征在于所述 的两根多晶硅线之间的距离采用最小...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹立，何军，黄圣扬，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]