一种用于支撑衬底的衬底台，包括表面以及粗突节。粗突节中的每个粗突节包括突节顶部表面以及细突节。粗突节被设置在衬底台的表面上，细突节被设置在突节顶部表面上。当衬底台支撑衬底时，细突节与衬底接触。细突节与衬底接触。细突节与衬底接触。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】scatterometer)使用单色辐射束并测量散射辐射的强度作为角度的函数。
[0008]这种光学散射仪可以用于测量参数，诸如显影光敏抗蚀剂的临界尺寸或在图案化衬底中或在图案化衬底上形成的两层之间的套刻误差(OV)。可以通过比较束被衬底反射散射之前和之后的照射束的特性来确定衬底的特性。
[0009]期望在衬底台的表面上规定并维持摩擦学特性(例如，摩擦、硬度、磨损)。由于光刻以及计量工艺的精确需求，衬底台具有难以满足的表面水平公差。晶片(例如，半导体衬底)，相比于其表面区域的宽度(例如＞100mm)是相对较薄的(例如＜1mm厚)，对衬底台的不平坦特别敏感。此外，接触的超光滑表面可能会变得“粘”在一起，当衬底必须从衬底台被脱离时，这可能出现问题。期望开发用于衬底台的、允许增加耐磨性以及摩擦特性的结构和方法，其有助于在命令时接合和脱离衬底。
技术实现思路
[0010]在一些实施例中，用于支撑衬底的衬底台包括表面以及粗突节。粗突节中的每个粗突节包括突节顶部表面和细突节。粗突节被设置在衬底台的表面上。细突节被设置在突节顶部表面上并且被配置为当衬底台支撑衬底时接触衬底。
[0011]在一些实施例中，光刻装置包括照射系统、支撑件、投影系统以及衬底台。衬底台包括表面以及粗突节。粗突节中的每个粗突节包括突节顶部表面和细突节。粗突节被设置在衬底台的表面上。细突节被设置在突节顶部表面上并且被配置为当衬底台支撑衬底时接触衬底。照射系统被配置为产生辐射束。支撑件被配置为支撑图案形成装置以将图案赋予到所述束上。投影系统被配置为将经图案化的束投影到衬底上。
[0012]在一些实施例中，用于制造衬底台的方法包括支撑衬底台以接收制造工艺，以及在衬底台上制造粗突节和细突节。制造组突节和细突节包括在粗突节的突节顶部表面设置细突节。
[0013]下文参考附图详细描述本专利技术的其他特征和有益效果以及本专利技术的各种实施例的结构和操作。应注意，本专利技术不限于本文中描述的具体实施例。仅出于说明性目的在本文中示出此类实施例。基于本文中包含的教示，附加的实施例对于相关领域的技术人员将是显而易见的。
附图说明
[0014]并入本文中并形成说明书一部分的附图说明本专利技术，并且与描述一起进一步用于解释本专利技术的原理并且使相关领域的技术人员能够制造并且使用本专利技术。
[0015]图1A示出了根据一些实施例的反射光刻装置的示意图。
[0016]图1B示出了根据一些实施例透射光刻装置的示意图。
[0017]图2示出了根据一些实施例的反射光刻装置的更详细的示意图。
[0018]图3示出了根据一些实施例的光刻单元的示意图。
[0019]图4示出了根据一些实施例的衬底平台的示意图。
[0020]图5示出了根据一些实施例的衬底台的区域的横截面示意图。
[0021]图6示出了根据一些实施例的突节顶部表面接触面积与夹持压力的关系的图。
[0022]图7示出了根据一些实施例的衬底台区域的横截面的示意图。
[0023]图8示出了根据一些实施例的制造衬底台的方法步骤。
[0024]本专利技术的特征和有益效果从以下与附图结合的详细描述中变得更显而易见，其中相似参考符号贯穿全文标识对应元件。在附图中，相似的参考标号通常指示相同的、功能上类似的和/或结构上类似的元件。此外，通常，参考标号的最左边数位标识参考标号首次出现的附图。除非另有说明，否则贯穿本公开提供的附图不应被解释为按比例绘制附图。
具体实施方式
[0025]本说明书公开了结合本专利技术的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅举例说明本专利技术。本专利技术的范围不限于所公开的实施例。本专利技术由所附权利要求限定。
[0026]所描述的实施例以及本说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的参考指示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括该特定特征、结构或特性。此外，这些短语不一定指同一实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，结合其它实施例实现此类特征、结构或特性在所属领域的技术人员的知识范围内。
[0027]在此可以使用空间上相对的术语，例如“在
…
下(beneath)”、“在
…
之下(below)”、“下面的(lower)”、“在
…
上(above)”、“在
…
之上(on)”、“上面的(upper)”等，以便于描述如图所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。除了图中所示的定向之外，空间上相对的术语旨在包括使用或操作中的装置的不同定向。该装置可以以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，并且在此使用的空间相对描述词可以相应地进行解释。
[0028]如本文所用的术语“大约”指示可基于特定技术变化的给定数量的值。基于特定技术，术语“大约”可表示在例如该值的10％
‑
30％(例如，该值的
±
10％、
±
20％或
±
30％)内变化的给定数量的值。
[0029]然而，在更详细地描述这些实施例之前，提供其中可以实现本公开的实施例的示例环境是有益的。
[0030]示例光刻系统
[0031]图1A以及1B分别示出了光刻装置100以及光刻装置100
’
的示意性说明，本公开的实施例可以在其中实现。光刻装置100以及光刻装置100
’
的每一个包括以下：照射系统(照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如，深紫外或极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，被配置为支撑图案形成装置(例如、掩模(mask)、掩模版(reticle)或动态图案形成装置)MA并且连接到被配置为精确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；以及，衬底台(例如，晶片台)WT，被配置为保持衬底(例如，抗蚀剂涂布晶片)W并且连接到被配置为精确定位衬底W的第二定位器PW。光刻装置100和100
’
还具有投影系统PS，该投影系统PS被配置为将通过图案形成装置MA赋予到辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如包括一个或多个管芯)C上。在光刻装置100中，图案形成装置MA和投影系统PS为反射式的。在光刻装置100
’
中，图案形成装置MA和投影系统PS为透射式的。
[0032]照明系统IL可以包括不同类型的光学元件，诸如折射的(refractive)、反射的、折反射的(catadioptric)、磁性的、电磁的、静电的或其他类型的光学组件或它们的组合，用于引导、定型或控制辐射束B。
[0033]支撑结构MT以一种方式保持图案形成装置MA，该方式取决于图案形成装置MA相对
于参考框架的定向、光刻装置100和100
’
中的至少一个光刻装置的设计以及其他条件(诸如图案形成装置MA是否被保持于真空环境中)。支撑结构MT可以使用机械、真空、电磁或其他夹持技术来保持图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于支撑衬底的衬底台，所述衬底台包括：表面；以及粗突节，被设置在所述表面上，其中所述粗突节中的每个粗突节包括：突节顶部表面；以及细突节，被设置在所述突节顶部表面上，并且被配置为当所述衬底台支撑所述衬底时，接触所述衬底。2.根据权利要求1所述的衬底台，其中：所述细突节中的每个细突节包括接触表面，所述接触表面被配置为接触所述衬底；并且所述接触表面具有小于大约1nm RMS的表面粗糙度。3.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述粗突节中的每个粗突节具有大约100微米
‑
1000微米的宽度以及大约10微米到200微米的高度。4.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节中的每个细突节具有大约1微米到10微米的宽度。5.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节具有大约10nm
‑
50nm的高度。6.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节中的两个细突节之间的距离大约为50微米
‑
200微米。7.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节的接触区域的总表面面积相对于所述衬底台的总表面面积小于0.1％。8.根据权利要求1所述的衬底台，其中：所述粗突节中的每个粗突节还包括设置在所述突节顶部表面上的所述细突节之间的中间细突节；并且所述细突节的高度和所述中间细突节的高度不同。9.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述突节顶部表面包括被设置在所述细突节之间的粗糙区域。10....
【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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