一种ＴＦＴ　ＬＣＤ阵列基板结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＴＦＴ　ＬＣＤ阵列基板结构，包括：一基板；一栅极扫描线，形成在基板之上；一栅极绝缘层，形成在栅极扫描线及栅极和基板之上；一数据扫描线，形成在栅极绝缘层之上；一钝化层，形成在栅极绝缘层或数据扫描线之上；其中栅极扫描线或／和数据扫描线在基板的切割区域断开，断开位置的两端上的钝化层和栅极绝缘层上形成有过孔或沟槽，一像素电极材料引线通过该过孔或沟槽将断开的栅极扫描线或／和数据扫描线连接起来。本发明专利技术同时公开了ＴＦＴ　ＬＣＤ阵列基板结构的制造方法。本发明专利技术通过透明像素电极材料引线对栅极扫描线或／和数据扫描线在基板切割处进行连接，避免在切割工艺时造成的绝缘层破裂，杜绝金属腐蚀现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)，尤其涉及薄膜晶体管液 晶显示器阵列基板在周边电路引线(Lead PAD)区域的结构及其制造方法。
技术介绍
在平板显示技术中，TFT LCD具有功耗低、制造成本相对较低和无辐射 的特点，因此在平板显示器市场占据了主导地位。TFT LCD器件是由阵列玻 璃基板和彩膜玻璃基板对盒而形成的。在其对盒部分的外围，引出Lead PAD 区域。其主要作用是在TFT基板制作工艺进行中，加入测试信号进行电学特 性检测。并且，在成盒(cell )切割工艺进行时将其切断。如图1、图la和 图lb所示，是目前主流的非晶硅TFT (薄膜晶体管)在数据扫描线Lead PAD 区域的设计结构及其在A-A和B-B部位的截面图。图2、图2a和图2b所示， 是目前主流的非晶硅TFT (薄膜晶体管)在栅极扫描线Lead PAD区域的设计 结构其在A-A和B-B部位的截面图。如图l所示，该数据扫描线Lead PAD结 构包括 一组数据扫描线1、三个或多个数据扫描线过孔3和像素电极材料 引线2,其中标号6指示为TFT基板切割处。如图la所示，数据扫描线1覆 盖在栅极绝缘层7上，钝化层8覆盖在上述各部分上。像素电极材料引线2 通过数据扫描线过孔3与数据扫描线1相连接。如图2所示，该栅极扫描线 线Lead PAD结构包括 一组栅极扫描线4、三个或多个栅极扫描线过孔5和 像素电极材料引线2，其中标号6指示为TFT基板切割处。如图2a所示，栅 极绝缘层7覆盖在栅极扫描线4上，钝化层8覆盖在上述各部分上。像素电 极材料引线2通过栅极绝缘层7和钝化层8的栅极扫描线过孔5与栅极扫描 线4相连接。5-Mask (光刻)工艺是目前制作TFT的典型工艺技术。其主要工艺步骤 分为五步1、 形成栅极及栅极扫描线；2、 形成栅极绝缘层和非晶硅半导体层；3、 形成源电极、漏电极及数据扫描线；4、 形成钝化保护层；5、 形成像素电极。每一步骤都包括薄膜沉积、曝光和图案形成、以及腐蚀三个主要工艺。 如上所述的是一种典型的5-Mask技术。通过改变Mask设计和工艺流程，也 有其它的5-Mask工艺技术。上述现有技术由于在Lead PAD区域采用 一体的无间断引线设计结构，在 TFT基板进行切割工艺时，会对金属及绝缘层造成破坏，产生细小裂紋。所 以在使用过程中随着水蒸汽等的渗透，会出现金属腐蚀现象。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术的缺陷，提供一种TFT LCD阵列基板 结构及其制造方法，使在Lead PAD区域的金属线通过过孔及透明像素电极材 料引线进行分段式连接，避免在切割工艺进行时造成的绝缘层破裂，杜绝金 属腐蚀现象。为了实现上述目的，本专利技术提供一种TFT LCD阵列基板结构，包括 一基板；一栅极扫描线，形成在所述基板之上；一栅极绝缘层，形成在所述栅极扫描线及栅极和基板之上；一数据扫描线，形成在所述栅极绝缘层之上；一钝化层，形成在所述栅极绝缘层或数据扫描线之上；其中，所述栅极扫描线或/和数据扫描线在所述基板的切割区域断开。上述方案中，所述栅极扫描线或/和数据扫描线断开位置的两端上的钝化 层和栅极绝缘层上形成有过孔或沟槽， 一像素电极材料引线通过该过孔或沟 槽将所述断开的栅极扫描线/和数据扫描线连接起来。所述栅极扫描线或数据 扫描线为铝、铬、鴒、钽、钛、钼及铝镍等之一或任意组合构成的单层或复 合层结构。所述栅极绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅或氧化铝等。所述钝 化层的材料为氮化硅、二氧化硅或氧化铝等。所述像素电极材料引线的材料 为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。为了实现上述目的，本专利技术同时提供一种TFT LCD阵列基板结构的制造 方法，包4舌步骤1，在基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成 栅极扫描线及其栅极，其中形成的栅极扫描线在基板切割区域断开；步骤2，在完成步骤1的基板上连续沉积栅极绝缘层薄膜，通过光刻工 艺和干法刻蚀工艺，在所述栅极上形成栅极绝缘层；步骤3，在完成步骤2的基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐 蚀工艺，形成数据扫描线；步骤4,在完成步骤2的基板上沉积钝化层薄膜，通过光刻工艺和干法 刻蚀工艺，形成钝化层，并在所述断开的栅极扫描线两端上的钝化层和栅极 绝缘层形成有过孔或沟槽；步骤5，在完成步骤4的基板上沉积像素电极层，通过光刻工艺和化学 腐蚀工艺，形成像素电极，并形成像素电极材料引线，使其通过所述步骤4 中形成的过孔和沟槽将所述断开栅极扫描线连接起来。上述方案中，所述步骤2中形成的数据扫描线在基板切割区域断开；所 述步骤4中形成钝化层时同时在断开的数据扫描线两端上钝化层上形成过孔 或沟槽，并在所述步骤5中形成像素电极的同时，形成像素电极材料引线， 使其通过所述数据扫描线两端过孔和沟槽将所述断开数据扫描线连接起来。为了实现上述目的，本专利技术同时提供一种TFT LCD阵列基板结构的制造方法，包4舌步骤1,在基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成 栅极扫描线及其栅极；步骤2,在完成步骤1的基板上连续沉积栅极绝缘层薄膜，通过光刻工 艺和干法刻蚀工艺，在所述栅极上形成栅极绝缘层；步骤3,在完成步骤2的基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐 蚀工艺，形成数据扫描线，其中形成的数据扫描线在基板切割区域断开；步骤4，在完成步骤2的基板上沉积钝化层薄膜，通过光刻工艺和干法 刻蚀工艺，形成钝化层，并在所述断开的数据扫描线两端上的钝化层上形成 有过孔或沟槽；步骤5，在完成步骤4的基板上沉积像素电极层，通过光刻工艺和化学 腐蚀工艺，形成像素电极，并形成像素电极材料引线，使其通过所述步骤4 中形成的过孔和沟槽将所述断开数据扫描线连接起来的。同现有技术相比，本专利技术通过使用过孔及透明像素电极材料51线对栅极 扫描线或/和数据扫描线在基板切割处进行连接，最大程度上避免了在切割工 艺进行时造成的绝缘层破裂从而导致金属被腐蚀；另外，本专利技术过孔两端的 金属线完全被绝缘层或钝化层所包围，从而根本上杜绝电化学腐蚀的发生。附图说明图1是现有技术中的TFT LCD器件在Lead PAD区域数据扫描线的基板 结构俯^L图la是图1中A-A部分横截面图； 图lb是图1中B-B部分横截面图2是现有技术中的TFT LCD器件在Lead PAD区域栅极扫描线的基板 结构俯视图2a是图1中A-A部分横截面图2b是图1中B-B部分横截面图3是本专利技术的TFT LCD器件在Lead PAD区域数据扫描线的基板结构 俯视图3a是图3中A-A部分横截面图； 图3b是图3中B-B部分横截面图； 图3c是图3中C-C部分横截面图； 图3d是图3中D-D部分横截面图4是本专利技术的TFT LCD器件在Lead PAD区域栅极扫描线的基板结构 俯视图4a是图4中A-A部分横截面图； 图4b是图4中B-B部分横截面图； 图4c是图4中C-C部分横截面图； 图4d是图4中D-D部分横截面图。图中标记1、数据扫描线；2、像素电极材料引线；3、数据扫描线过 孔；4、栅极扫描线；5、栅极扫描线过孔；6、 TFT基板切割处；7、栅极绝 缘层；8、钝化层。具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行进一 步更为详细地说明。 如图3所示，为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＴＦＴ　ＬＣＤ阵列基板结构，其特征在于，包括：　一基板；　一栅极扫描线，形成在所述基板之上；　一栅极绝缘层，形成在所述栅极扫描线及栅极和基板之上；　一数据扫描线，形成在所述栅极绝缘层之上；　一钝化层，形成在所述栅极绝缘层或数据扫描线之上；　其中，所述栅极扫描线或／和数据扫描线在所述基板的切割区域断开。

【技术特征摘要】
1、一种TFT LCD阵列基板结构，其特征在于，包括一基板；一栅极扫描线，形成在所述基板之上；一栅极绝缘层，形成在所述栅极扫描线及栅极和基板之上；一数据扫描线，形成在所述栅极绝缘层之上；一钝化层，形成在所述栅极绝缘层或数据扫描线之上；其中，所述栅极扫描线或/和数据扫描线在所述基板的切割区域断开。2、 根据权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于所述栅极扫描线 断开位置的两端上的钝化层和栅极绝缘层上形成有过孔或沟槽， 一像素电极 材料？ 1线通过该过孔或沟槽将所述断开的栅极扫描线连接起来。3、 根据权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于所述数据扫描线 断开位置的两端上的钝化层上形成有过孔或沟槽， 一像素电极材料引线通过 该过孔或沟槽将所述断开的数据扫描线连接起来。4、 根据权利要求1至3任一所述的阵列基板结构，其特征在于所述栅 极扫描线或数据扫描线为铝、铬、鴒、钽、钛、钼及铝镍之一或任意组合构 成的单层或复合层结构。5、 根据权利要求1至3任一所述的阵列基板结构，其特征在于所述栅 极绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅或氧化铝。6、 根据权利要求1至3任一所述的阵列基板结构，其特征在于所述钝 化层的材料为氮化硅、二氧化硅或氧化铝。7、 根据权利要求1至3任一所述的阵列基板结构，其特征在于所述像 素电极材料引线的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。8、 一种TFT LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括步骤1，在基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成 栅极扫描线及其栅极，其中形成的栅极扫描线在基板切割区域断开；步骤2,在完成步骤1的基板上连续沉积栅极绝缘层薄膜，通过光刻工 艺和干法刻蚀工艺，在所述栅极上形成栅极绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：张弥，古迎，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]