本申请公开了一种偏振元件、发光二极管以及发光装置，该偏振元件包括透明基板、若干条金属线和保护层，若干条金属线以预设间距平行布置在透明基板的安装面上；每条金属线沿与安装面平行的方向延伸预定长度；保护层包括覆盖每条金属线顶部的第一部分保护层和覆盖每条金属线侧壁的第二部分保护层，所有金属线的第一部分保护层连成一体，相邻金属线的第二部分保护层之间留有间隙。本申请利用保护层覆盖金属线的顶部和侧壁，防止金属线因与外界环境接触而被氧化或者腐蚀，提高偏振元件的耐热性和可靠性，且使所有金属线顶部的第一部分保护层连成一体，相邻金属线侧壁处的第二部分保护层之间存在间隙，以进一步提高偏振元件的偏光性能。能。能。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】偏振元件、发光二极管以及发光装置
[0001]本申请涉及半导体相关
，尤其涉及一种偏振元件、发光二极管以及发光装置。
技术介绍
[0002]偏振元件是在基板上以比所使用波长短的周期平行地配置有金属线，相邻金属线之间包括有空气间隙，偏振元件由于具有高消光比、高透射率等优点广泛应用于显示投影领域。随着显示投影领域的高辉度化需求，对偏振元件的耐热性提出了更高要求，传统偏振元件包括基板、金属线阵列以及有机树脂层，有机树脂层覆盖金属线阵列并填埋金属线间的整个空气间隙，填埋在空气间隙处的有机树脂层会影响金属线的反射效果，使得偏振元件的偏光性能大幅降低。
技术实现思路
[0003]本申请的目的是提供一种偏振元件，其采用保护层覆盖金属线的顶部与侧壁，且使相邻金属线侧壁处的第二部分保护层之间存在间隙，在提高偏振元件的耐热性和可靠性的基础上，进一步提高偏振元件的偏光性能。
[0004]另一目的还在于提供一种发光二极管以及发光装置，该发光二极管以及发光装置包括上述偏振元件。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种偏振元件，其包括：
[0006]透明基板和若干条金属线，若干条金属线以预设间距平行布置在透明基板的安装面上；每条金属线沿与安装面平行的方向延伸预定长度；
[0007]保护层，包括第一部分保护层和第二部分保护层；第一部分保护层覆盖每条金属线的顶部，所有金属线的第一部分保护层连成一体；第二部分保护层覆盖每条金属线的侧壁，相邻金属线的第二部分保护层之间留有间隙。
[0008]在一种可能的实施方案中，第二部分保护层的厚度D1等于或者小于相邻金属线间的间距D2的40％。
[0009]在一种可能的实施方案中，第二部分保护层的厚度在金属线高度方向上逐渐增大。
[0010]在一种可能的实施方案中，第二部分保护层的厚度在金属线高度方向上先逐渐减小后逐渐增大。
[0011]在一种可能的实施方案中，第一部分保护层的厚度D3等于或者大于10nm，且小于或者等于500nm。
[0012]在一种可能的实施方案中，保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者氧化钛的一种或多种。
[0013]在一种可能的实施方案中，保护层包括原子层沉积层、高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。
[0014]在一种可能的实施方案中，保护层至少包括第一叠层和第二叠层；第一叠层为原子层沉积层；第二叠层为高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。
[0015]第二方面，本申请实施例提供一种发光二极管，其包括：
[0016]半导体堆叠层，具有一出光面，该出光面用于出射半导体堆叠层中发光层的至少部分光线；
[0017]偏振元件，设在出光面；偏振元件包括透明基板、若干条金属线和保护层，若干条金属线以预设间距平行布置在透明基板上；每条金属线沿与出光面平行的方向延伸预定长度；保护层包括第一部分保护层和第二部分保护层；第一部分保护层覆盖每条金属线的顶部，所有金属线的第一部分保护层连成一体；第二部分保护层覆盖每条金属线的侧壁，相邻金属线的第二部分保护层之间留有间隙。
[0018]在一种可能的实施方案中，偏振元件与出光面之间还包括有波长转换层、透明绝缘层或者透明导电层。
[0019]在一种可能的实施方案中，第二部分保护层的厚度D1等于或者小于相邻金属线间的间距D2的40％。
[0020]在一种可能的实施方案中，第二部分保护层的厚度在金属线高度方向上逐渐增大。
[0021]在一种可能的实施方案中，第二部分保护层的厚度在金属线高度方向上先逐渐减小后逐渐增大。
[0022]在一种可能的实施方案中，保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者氧化钛的一种或多种。
[0023]在一种可能的实施方案中，保护层至少包括第一叠层和第二叠层；第一叠层为原子层沉积层；第二叠层为高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。
[0024]第三方面，本申请实施例提供一种发光装置，其包括支架、设置在支架上的发光二极管以及用于封装发光二极管的封装层；发光二极管为上述实施例中的发光二极管。
[0025]与现有技术相比，本申请的有益效果至少如下：
[0026]1)利用保护层覆盖金属线的顶部和侧壁，防止金属线因与外界环境接触而被氧化或者腐蚀，提高偏振元件的耐热性和可靠性。保护层包括位于金属线顶部的第一部分保护层和位于金属线侧壁的第二部分保护层，使所有金属线顶部的第一部分保护层连成一体，相邻金属线侧壁处的第二部分保护层之间存在间隙，可进一步提高偏振元件的偏光性能。
[0027]2)保护层由无机材料制成，且金属线侧壁处的第二部分保护层的厚度在金属线高度方向呈梯度变化，以使相邻金属线间区域的折射率呈梯度变化，减小光线的反射损耗，提高偏振元件的出光效率。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0029]图1为根据本申请实施例示出的一种偏振元件的结构示意图；
[0030]图2为根据本申请实施例示出的一种偏振元件的结构示意图；
[0031]图3为根据本申请实施例示出的一种发光二极管的结构示意图；
[0032]图4为根据本申请实施例示出的一种发光二极管的结构示意图；
[0033]图5为根据本申请实施例示出的一种发光二极管的结构示意图；
[0034]图6为根据本申请实施例示出的一种发光二极管的结构示意图；
[0035]图7为根据本申请实施例示出的一种发光二极管的结构示意图；
[0036]图8为根据本申请实施例示出的一种发光二极管的结构示意图；
[0037]图9为根据本申请实施例示出的一种发光二极管的结构示意图；
[0038]图10为根据本申请实施例示出的一种发光二极管的结构示意图；
[0039]图11为根据本申请实施例示出的一种发光装置的结构示意图。
[0040]图12为根据本申请实施例示出的一种发光装置的结构示意图。
[0041]图示说明：
[0042]10偏振元件；11透明基板；12金属线；13保护层；131第一部分保护层；132第二部分保护层；14间隙；20半导体堆叠层；201第一类型半导体层；202发光层；203第二类型半导体层；21电流阻挡层；22透明导电层；23第一电极；24第二电极；25绝缘层；26第一焊盘；27第二焊盘；30透明衬底；40中间层；50金属层；S100支架；S200发光二极管；S300封装层。
具体实施方式
[0043]以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种偏振元件，其特征在于，包括：透明基板和若干条金属线，所述若干条金属线以预设间距平行布置在所述透明基板的安装面上；每条所述金属线沿与安装面平行的方向延伸预定长度；保护层，包括第一部分保护层和第二部分保护层；所述第一部分保护层覆盖每条所述金属线的顶部，所有金属线的所述第一部分保护层连成一体；所述第二部分保护层覆盖每条所述金属线的侧壁，相邻金属线的所述第二部分保护层之间留有间隙。2.根据权利要求1所述的偏振元件，其特征在于，所述第二部分保护层的厚度D1等于或者小于相邻所述金属线间的间距D2的40％。3.根据权利要求1所述的偏振元件，其特征在于，所述第二部分保护层的厚度在金属线高度方向上逐渐增大。4.根据权利要求1所述的偏振元件，其特征在于，所述第二部分保护层的厚度在金属线高度方向上先逐渐减小后逐渐增大。5.根据权利要求1所述的偏振元件，其特征在于，所述第一部分保护层的厚度D3等于或者大于10nm，且小于或者等于500nm。6.根据权利要求1所述的偏振元件，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者氧化钛的一种或多种。7.根据权利要求1所述的偏振元件，其特征在于，所述保护层包括原子层沉积层、高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。8.根据权利要求1所述的偏振元件，其特征在于，所述保护层至少包括第一叠层和第二叠层；所述第一叠层为原子层沉积层；所述第二叠层为高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。9.一种发光二极管，其特征在于，包括：半导体堆叠层，具有一出光面，所述出光面用于出射所述半导体堆叠层中发光层...
【专利技术属性】
技术研发人员：霍曜，李彬彬，吴福仁，乔新宇，李瑞评，黄少华，曾晓强，杨剑锋，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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