具有沉淀防止部分的大面积基底蚀刻设备及防沉淀方法技术

本发明专利技术提供一种具有被构造成沉淀防止部分的大面积基底蚀刻设备以及一种防沉淀方法。该大面积基底蚀刻设备包括：蚀刻室，具有设置在一侧的入口部分，穿过入口部分输送基底，并在蚀刻室中蚀刻基底；沉淀防止部分，设置在入口部分处，并防止在蚀刻室中产生的烟雾在入口部分的内表面上沉积、干燥而产生沉淀。因此，能够防止因沉淀导致的基底损坏，并且能够平稳地执行制造工艺，从而提高了产率并降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基底蚀刻设备和一种防沉淀方法，更具体地说，涉及一 种具有沉淀防止部分的大面积基底蚀刻设备以及一种能够防止从湿蚀刻基底 的蚀刻设备发生沉淀的防沉淀方法。
技术介绍
通常，制造用于制造平板显示面板的基底的过程包括这样的步骤在基 底上沉积材料层；蚀刻所述材料层；清洁整个基底。通过反复地执行上述步 骤来制造基底。上述步骤之一的蚀刻工艺可分为湿蚀刻工艺或千蚀刻工艺。湿蚀刻工艺是利用化学溶液将目标蚀刻为期望的形状的工艺，化学溶液 与将被蚀刻的目标的层发生化学反应而使该层溶解。此外，干蚀刻工艺可分 为等离子体干蚀刻、离子束4先蚀刻(ion beam milling etching)或活性离子蚀刻。 干独刻工艺是利用等离子体中存在的元素与蚀刻目标的表面材料之间的化学 反应，并利用等离子体中存在的活性种颗粒的表面碰撞促进反应的进行来执 行的。同时，与干蚀刻工艺相比，湿蚀刻工艺具有制造成本低和产率高的优点。 因此，最近，湿蚀刻工艺被广泛地使用。在这种湿蚀刻工艺中，可通过将基 底浸入蚀刻剂的方法或者将蚀刻剂注入到基底上的方法来蚀刻基底。然而， 当基底被浸入在装有蚀刻剂的容器中以使基底的表面被蚀刻剂蚀刻时，由于 基底自身的缺陷，导致基底不能被均匀地蚀刻，并且蚀刻过程中产生的杂质 粘附到基底，使得基底的表面不平坦。为此，主要使用将蚀刻剂注入到基底 上来蚀刻基底的方法。在下文中，将参照附图描述传统的基底蚀刻设备。图1是传统的基底蚀刻设备的视图。参照图1，传统的基底蚀刻设备包括输送装置10,沿一个方向输送清 洁过的基底S;蚀刻部分20,将蚀刻剂注入到基底S上。这里，基底S具有 器件形成层，并且被感光层图案曝光的器件形成层被蚀刻，以形成器件图案。 在通过蚀刻来形成器件图案之后，连续地执行去除蚀刻副产物的清洁工艺。蚀刻部分20具有入口部分21,由输送装置10穿过入口部分21来输 送基底S;安装在入口部分21处的空气幕，以去除粘附到基底表面的清洁溶 液。当基底S穿过入口部分21进入蚀刻部分20时，将蚀刻剂从安装在蚀刻 部分20的喷嘴注入到基底S上，以蚀刻基底S。所述蚀刻剂可以是草酸。同 时，在蚀刻工艺过程中产生的汽化的烟雾(fbme)粘附到入口部分的内表面。 所述烟雾被从空气幕注入的空气干燥，产生固体沉淀。具体地说，由于沉淀 在入口部分21的内部上表面沉积并生长成为石夢，所以对进入入口部分21 的基底S产生损坏(例如划痕)。此外，为了去除入口部分21处产生的沉淀， 由于需要停止基底S的制造工艺并使用物理部分，所以会降低产率并会增加 制造成本。
技术实现思路
本专利技术的一方面在于提供一种具有沉淀防止部分的大面积基底蚀刻设 备，以及一种能够在蚀刻基底的工艺过程中防止沉淀的防沉淀方法。本专利技术的一个实施例提供一种大面积基底蚀刻设备，该基底蚀刻设备包 括蚀刻室，具有设置在一侧的入口部分，穿过入口部分输送基底，并在蚀 刻室中蚀刻基底；沉淀防止部分，设置在入口部分处，防止蚀刻室中产生的 烟雾在入口部分的内表面上沉积、干燥而产生沉淀。本专利技术的另一实施例提供了一种防沉淀方法，该方法包括以下步骤将 常温的超纯水引入到设置在蚀刻室的入口部分处的沉淀防止部分，其中，基 底在蚀刻室中被蚀刻；引入到沉淀防止部分中的进口部分中的超纯水停留并 蒸发。本专利技术的又一实施例提供了一种防沉淀方法，该方法包括以下步骤将 常温的超纯水引入到设置在蚀刻室的入口部分处的沉淀防止部分，其中，基 底在蚀刻室中被蚀刻；利用引入到沉淀防止部分的进口部分中的超纯水吸收 从蚀刻室产生的烟雾。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本专利技术的上述和其它目的、特征和 优点将会更加清楚，其中图1是传统的基底蚀刻设备的视图2是根据本专利技术示例性实施例的大面积基底蚀刻设备的示意图； 图3是根据本专利技术第一示例性实施例的沉淀防止部分的透视图； 图4是根据本专利技术第二示例性实施例的沉淀防止部分的剖视图； 图5是根据本专利技术第三示例性实施例的沉淀防止部分的剖视图； 图6是根据本专利技术第四示例性实施例的沉淀防止部分的剖视图； 图7是示出了根据本专利技术示例性实施例的防沉淀方法的流程图； 图8是示出了根据本专利技术另一示例性实施例的防沉淀方法的流程图。具体实施例方式在下文，将参照附图来描述本专利技术的具有沉淀防止部分的大面积基底蚀 刻设备和防沉淀方法的示例性实施例。图2是根据本专利技术示例性实施例的大面积基底蚀刻设备的示意图，图3 是根据本专利技术第一示例性实施例的沉淀防止部分的剖视图。参照图2和图3, 根据本专利技术示例性实施例的具有沉淀防止部分的大面积基底蚀刻设备包括 输送器100,用于输送基底S;清洁部分200,用于清洁基底S;蚀刻室300, 用于蚀刻基底S;沉淀防止部分400。输送器100包括具有滚子且彼此分隔开的多根轴，以沿平緩斜面输送基底S。清洁部分200是由输送器100输送的基底S在进入蚀刻室300之前被清 洁的地方，并且通过设置在清洁部分200和蚀刻室300之间的入口部分310， 将清洁部分200与蚀刻室300分开。蚀刻室300以与基底S的倾斜角相对应的倾斜角安装，以蚀刻从清洁部 分200穿过入口部分310进入的基底S。基底S被安装在蚀刻室300内部上 表面的蚀刻剂注入喷嘴注入的蚀刻剂蚀刻。所述蚀刻剂可以是草酸，并且可 以在大约40。C至45。C的温度下将蚀刻剂注入到基底S。通常，当注入具有上 述温度的蚀刻剂时，可以提高基底S的蚀刻工艺效率。同时，如上所述，空气幕T安装在入口部分310处，以向清洁过的基底 S注入空气，从而去除粘附到基底S表面的清洁剂。空气幕T快速地去除包 含在清洁剂中并粘附到基底S表面的外来物(例如灰尘或雾)，以提高蚀刻工 艺的效率。此外，当将空气注入到穿过入口部分310进入的基底S,以去除 粘附在基底S表面的清洁剂时，空气沿平緩斜面注入到清洁部分200,使得清洁剂向着清洁部分200向下流动。然而，在蚀刻工艺过程中产生的汽化的烟雾粘附到入口部分310的内表面，所述烟雾被从空气幕T注入的空气干燥， 产生沉淀。为了防止产生烟雾，应当增大入口部分310的湿度，使得烟雾不 能粘附到入口部分310的内表面，并使得烟雾不能被干燥。为此，沉淀防止部分400设置在形成在蚀刻室300的一侧的入口部分310 的内部下端处，以使超纯水在大约20。C至3(TC的温度下蒸发，从而通过防止 从蚀刻室300产生的烟雾沉积在入口部分310的内表面上然后被干燥来防止 产生固体沉淀。具体地说，沉淀防止部分包括进口(inlet)部分410、蒸发部分 420和收集部分430。首先，通过输送器100沿平緩斜面将基底S输送到蚀刻室300中，然后 蚀刻基底S。进口部分410设置在沉淀防止部分400的一侧的下端部，常温 的超纯水通过进口部分410进入。蒸发部分420以与蚀刻室300的倾斜角相对应的倾斜角e倾斜。进入到 进口部分410的超纯水在蒸发部分420中停留并蒸发，以防止在蚀刻室300 的入口部分310中产生沉淀。蒸发部分420包括彼此分开的多个分隔壁421， 分隔壁421中的每个具有形成在其上部的槽422，使得超纯水能够平緩地从 进口部分410向下流到收集部分430。超纯水的温度可以是大约2(TC至30°C。 当超纯水的温度低于大约2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大面积基底蚀刻设备，包括：　蚀刻室，具有设置在一侧的入口部分，穿过入口部分输送基底，并在蚀刻室中蚀刻所述基底；　沉淀防止部分，设置在入口部分处，并被构造成防止在蚀刻室中产生的烟雾在入口部分的内表面上沉积、干燥而产生沉淀。

【技术特征摘要】
KR 2007-8-13 10-2007-00810231.一种大面积基底蚀刻设备，包括蚀刻室，具有设置在一侧的入口部分，穿过入口部分输送基底，并在蚀刻室中蚀刻所述基底；沉淀防止部分，设置在入口部分处，并被构造成防止在蚀刻室中产生的烟雾在入口部分的内表面上沉积、干燥而产生沉淀。2、 如权利要求1所述的大面积基底蚀刻设备，其中，沉淀防止部分包括 进口部分，通过进口部分引入常温的超纯水；蒸发部分，引入到进口部分中的超纯水在蒸发部分中停留并蒸发。3、 如权利要求2所述的大面积基底蚀刻设备，其中，沉淀防止部分还包 括收集部分，所述收集部分被构造成将停留在蒸发部分中的超纯水再供给到 进口部分。4、 如权利要求3所述的大面积基底蚀刻设备，其中，基底以倾斜状态在 蚀刻室中进行输送，蒸发部分包括沿基底的倾斜角设置并且彼此分开的多个 分隔壁。5、 如权利要求4所述的大面积基底蚀刻设备，其中，分隔壁中的每个具 有形成在其上部的槽。6、 如权利要求4所述的大面积基底蚀刻设备，其中，分隔壁的高度朝着 收集部分逐渐减小。7、 如权利要求2所述的大面积基底蚀刻设备，其中，蒸发部分具有倾斜 的上表面。8、 如权利要求2所述的大面积基底蚀刻设备，其中，沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔泰均，
申请(专利权)人：KC科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]