浅沟隔离制程制造技术

本发明专利技术揭示了一种浅沟隔离ＳＴＩ制程，包括：在ＳＴＩ的高密度等离子体沉积ＨＤＰ过程中增加开口的刻蚀步骤，增加开口的宽度。本发明专利技术的在ＨＤＰ过程中增加一个刻蚀步骤，将沟槽开口肩部堆积的氧化物及时清除，确保开口的宽度，从而有效地消除空洞的出现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制程，更具体地说，涉及半导体制程中的浅沟槽隔离STI制程。
技术介绍
浅沟隔离(Shallow Trench Isolation ) STI在半导体制程中得到了约 来越多的应用。浅沟隔离中需要注意的一个问题是空洞(void)的产生。 浅沟隔离会使用高深宽比的沟槽，因此，在进行沉积的时候，容易在沟槽 侧壁的肩部产生氧化物的堆积。当氧化物堆积达到一定程度的时候，就会 封闭沟槽的开口 ，使得在沟槽内部尚未沉积氧化物的部分形成空洞。沟槽中的空洞会造成诸如器件桥接等的严重问题，会很大地影响器件 的性能以及可靠性。通常，空洞的形成与下述的因素有关1 )有源区(Active Area ) AA的尺寸；2) 有源区的深度；3) 有源区的外形轮廓；4) STI-HDP的沉积能力。在现有的技术中，为了避免空洞的出现，需要仔细考虑上述的每一个 方面，这是十分复杂的工作。并且，由于在沉积的过程中会受到很多其他 因素的影响，空洞有时还是会出现。于是，需要一种简便易行，但是能有效消除空洞的技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能有效消除空洞的技术，在HDP过程中增 加一个刻蚀步骤，将沟槽开口肩部堆积的氧化物及时清除，确保开口的宽 度，从而有效地消除空洞的出现。本专利技术提供一种浅沟隔离STI制程，包括在STI的高密度等离子体沉积HDP过程中增加开口的刻蚀步骤，增加开口的宽度。根据一实施例，在HDP过程中增加湿法刻蚀步骤，刻蚀开口中多余的氧化物，增加开口的宽度。根据一实施例，该制程包括第一阶段HDP,在浅沟槽中沉积氧化物；湿法刻蚀步骤，移除位于浅沟槽开口肩部的多余氧化物，增加开 口的宽度；第二阶段HDP，在增加开口宽度后的浅沟槽中继续沉积氧化物。 根据一实施例，该湿法刻蚀步骤使得浅沟槽的开口宽度大于一预定值；该湿法刻蚀步骤使得浅沟槽的侧壁形成平坦的斜坡。其中，该湿法刻蚀采用对氧化物具有高刻蚀率的刻蚀剂。根据一例，所述刻蚀剂是BOE或者HF。本专利技术的在HDP过程中增加一个刻蚀步骤，将沟槽开口肩部堆积的氧化物及时清除，确保开口的宽度，从而有效地消除空洞的出现。附图说明本专利技术上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图对实 施例的描述而变得更加明显，在附图中，相同的附图标记始终表示相同的 特征，其中，图1示出了根据本专利技术的一实施例的STI制程的流程图2a-图2c示出了图1所示的实施例的制程中STI的沉积情况。具体实施例方式本专利技术提供一种能有效消除空洞的技术，在HDP过程中增加一个刻蚀 步骤，将沟槽开口肩部堆积的氧化物及时清除，确保开口的宽度，从而有 效地消除空洞的出现。参考图1所示，其示出了根据本专利技术的一实施例的一种浅沟隔离STI 制程100,该制程100在STI的高密度等离子体沉积HDP过程中增加开 口的刻蚀步骤，增加开口的宽度。并且，该刻蚀步骤为湿法刻蚀步骤，刻蚀开口中多余的氧化物，增加开口的宽度。参考图1所示，该STI制程100包括102.第一阶段HDP，在浅沟槽中沉积氧化物。参考图2a所示的STI 的沉积情况。在第一阶段HDP过程中，由于STI的沟槽深宽比较高，因此 在沟槽的侧壁上，靠近开口处的肩部会产生氧化物的堆积。这些堆积的氧 化物会封闭沟槽的开口部分，使得沟槽中形成空洞。如图2a所示的，在 STI沟槽202的两个侧壁的肩部，分别有堆积的氧化物204a和204b形成， 这些氧化物的突出部分会封闭沟槽202的开口。在图2a所示的情况中， 氧化物204a和204b尚未封闭开口 ，但是已经很明显地有这种趋势，此时， 位于该凸出的氧化物204a和204b下方的区域206就形成了弱点(weak point),弱点可能会形成空洞。104.湿法刻蚀步骤，移除位于浅沟槽开口肩部的多余氧化物，增加 开口的宽度。根据一实施例，该湿法刻蚀步骤使得浅沟槽的开口宽度大于 一预定值，比如，可以设定使得浅沟槽的开口宽度不小于沟槽底部的宽度。 或者，在另一实施例中，也可以使得该浅沟槽的侧壁形成平坦的斜坡。参 考图2b所示的情况，在该图中，浅沟槽的侧壁形成了平坦的斜坡，并且， 开口的宽度大于沟槽底部的宽度。根据一实施例，该湿法刻蚀步骤中采用 对氧化物具有高刻蚀率的刻蚀剂，比如，BOE或者HF。需要说明的是， 对于本领域的技术人员来说，很明显，采用其他的对于氧化物具有高刻蚀 率的刻蚀剂也是可以的，并且，对于氧化物具有高刻蚀率的刻蚀剂对于本 领域的技术人员来说是熟知的，在这里就不再详细说明。106.第二阶段HDP,在增加开口宽度后的浅沟槽中继续沉积氧化物。 在具有较宽的开口的沟槽中继续进行HDP，就如图2c所示的，可以有效 地避免空洞的产生。本专利技术的在HDP过程中增加一个刻蚀步骤，将沟槽开口肩部堆积的氧 化物及时清除，确保开口的宽度，从而有效地消除空洞的出现。上述实施例是提供给熟悉本领域内的人员来实现或使用本专利技术的，熟 悉本领域的人员可在不脱离本专利技术的专利技术思想的情况下，对上述实施例做 出种种修改或变化，因而本专利技术的保护范围并不被上述实施例所限，而应该是符合权利要求书提到的创新性特征的最大范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟隔离ＳＴＩ制程，包括：　在ＳＴＩ的高密度等离子体沉积ＨＤＰ过程中增加开口的刻蚀步骤，增加开口的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种浅沟隔离STI制程，包括:在STI的高密度等离子体沉积HDP过程中增加开口的刻蚀步骤，增加开口的宽度。2. 如权利要求1所述的STI制程，其特征在于，在HDP过程中增加湿法刻蚀步骤，刻蚀开口中多余的氧化物，增加开 口的宽度。3. 如权利要求2所述的STI制程，其特征在于，该制程包括 第一阶段HDP，在浅沟槽中沉积氧化物；湿法刻蚀步骤，移除位于浅沟槽开口肩部的多余氧化物，增加开口的 宽度；第二阶段H D...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙昌，王艳生，廖奇泊，王蕾，郭君，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]