本实用新型专利技术公开了一种锗料清洗装置，包括绝缘外壳、镀膜石英玻璃缸、聚四氟乙烯内衬、导电线圈、导电线、进水管和出水管；绝缘外壳、镀膜石英玻璃缸和聚四氟乙烯内衬均为圆桶结构、且从外到内依次设置；镀膜石英玻璃缸侧壁外表面镀有透明导电薄膜，导电线圈缠绕在透明导电薄膜上，导电线伸入绝缘外壳侧壁内侧、连接导电线圈；进水管从绝缘外壳侧壁顶部伸入聚四氟乙烯内衬内；出水管从绝缘外壳侧壁底部伸入聚四氟乙烯内衬内；进水管和出水管上均设有控制阀。上述通过镀膜的石英缸加热，可以使水快速沸腾，提高了锗料清洗效率；聚四氟乙烯内衬结构可以避免硅污染，保证锗原料纯度，继而保障后续拉制单晶质量的稳定。后续拉制单晶质量的稳定。后续拉制单晶质量的稳定。
【技术实现步骤摘要】
一种锗料清洗装置
[0001]本技术涉及一种锗料清洗装置，属于锗料清洗
技术介绍
[0002]拉制锗单晶之前，需要对锗原料进行清洗，以保障锗单晶的质量。目前，锗原料清洗有酸洗和碱洗两种方法。酸洗锗料通常使用氢氟酸、硝酸等，酸洗的优点是不会引入金属杂质，缺点是其清洗过程会产生酸雾等有害气体，且清洗过程中锗损耗较大，所以生产企业较少用到这种方法；碱洗通常使用强碱和双氧水，清洗过程中需要加热以促进反应进行。碱洗优点是操作过程危险系数小，反应过程可控，且碱液易回收处理，因此碱洗是清洗锗料常用方法。碱洗加热装置通常使用内置电阻丝的石英管来加热，此过程加热时间较长，且石英管暴露在碱溶液中易造成硅污染。因此需要设计一种新型的加热装置解决上述问题。
技术实现思路
[0003]本技术提供一种锗料清洗装置，提高了清洗效率，保证了锗原料的纯度。
[0004]为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案如下：
[0005]一种锗料清洗装置，包括绝缘外壳、镀膜石英玻璃缸、聚四氟乙烯内衬、导电线圈、导电线、进水管和出水管；绝缘外壳、镀膜石英玻璃缸和聚四氟乙烯内衬均为圆桶结构，镀膜石英玻璃缸设在绝缘外壳内侧，聚四氟乙烯内衬设在镀膜石英玻璃缸内侧；镀膜石英玻璃缸侧壁外表面镀有一层透明导电薄膜，导电线圈缠绕在透明导电薄膜上，导电线伸入绝缘外壳侧壁内侧、连接导电线圈；进水管一端从绝缘外壳侧壁顶部伸入聚四氟乙烯内衬内、另一端留在绝缘外壳外；出水管一端从绝缘外壳侧壁底部伸入聚四氟乙烯内衬内、另一端留在绝缘外壳外；留在绝缘外壳外的进水管和出水管上均设有控制阀。
[0006]上述装置通过镀膜的石英缸加热，可以使水快速沸腾，节约时间，提高了锗料清洗效率；聚四氟乙烯内衬结构可以避免硅污染，保证锗原料纯度，继而保障后续拉制单晶质量的稳定。
[0007]上述导电线一端伸入绝缘外壳侧壁内侧、连接导电线圈，另一端外接电源。导电线的具体连接和控制参照现有技术即可，本申请对此没有特别改进，因此不再赘述。
[0008]为了确保加热效果和加热的均匀性，导电线圈缠绕在透明导电薄膜的顶部和底部，顶部和底部的导电线圈缠均与导电线连接。
[0009]为了满足一般加热要求，透明导电薄膜顶部和底部缠绕的导电线圈数量均为5～10圈。
[0010]为了提高热量的有效利用率，避免热量浪费，透明导电薄膜位于进水管和出水管之间。
[0011]为了便于安装和使用，进水管和出水管均与绝缘外壳的轴向垂直。
[0012]优选，透明导电薄膜位于进水管下方5mm～10mm，透明导电薄膜位于出水管上方5mm～10mm。
[0013]为了兼顾加热效率，聚四氟乙烯内衬的厚度为2mm～5mm。
[0014]为了提高加热效率，镀膜石英玻璃缸和聚四氟乙烯内衬之间的间隔为零。
[0015]本技术未提及的技术均参照现有技术。
[0016]本技术锗料清洗装置，通过镀膜的石英缸加热，可以快速使水沸腾，节约时间，提高锗料清洗效率；聚四氟乙烯内衬结构可以避免硅污染，保证锗原料纯度，继而保障后续拉制单晶质量的稳定。
附图说明
[0017]图1为本技术锗料清洗装置的结构示意图；
[0018]图中，1为镀膜石英玻璃缸；2为绝缘外壳；3为导电线；4为控制阀；5为出水管；6为导电线圈；7为进水管；8为聚四氟乙烯内衬。
具体实施方式
[0019]为了更好地理解本技术，下面结合实施例进一步阐明本技术的内容，但本技术的内容不仅仅局限于下面的实施例。
[0020]本申请“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等方位词为基于附图所示或使用状态时的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0021]实施例1
[0022]如图1所示，一种锗料清洗装置，包括绝缘外壳、镀膜石英玻璃缸、聚四氟乙烯内衬、导电线圈、导电线、进水管和出水管；绝缘外壳、镀膜石英玻璃缸和聚四氟乙烯内衬均为圆桶结构，镀膜石英玻璃缸设在绝缘外壳内侧，聚四氟乙烯内衬设在镀膜石英玻璃缸内侧；镀膜石英玻璃缸侧壁外表面镀有一层透明导电薄膜，导电线圈缠绕在透明导电薄膜上，导电线伸入绝缘外壳侧壁内侧、连接导电线圈；进水管一端从绝缘外壳侧壁顶部伸入聚四氟乙烯内衬内、另一端留在绝缘外壳外；出水管一端从绝缘外壳侧壁底部伸入聚四氟乙烯内衬内、另一端留在绝缘外壳外；留在绝缘外壳外的进水管和出水管上均设有控制阀。
[0023]实施例2
[0024]在实施例1的基础上，进一步作了如下改进：如图1所示，导电线圈缠绕在透明导电薄膜的顶部和底部，顶部和底部的导电线圈缠均与导电线连接。
[0025]实施例3
[0026]在实施例2的基础上，进一步作了如下改进：透明导电薄膜顶部和底部缠绕的导电线圈数量均为5～10圈。
[0027]实施例4
[0028]在实施例1的基础上，进一步作了如下改进：透明导电薄膜位于进水管和出水管之间，进水管和出水管均与绝缘外壳的轴向垂直，透明导电薄膜位于进水管下方8mm，透明导电薄膜位于出水管上方8mm。聚四氟乙烯内衬的厚度为3mm；镀膜石英玻璃缸和聚四氟乙烯内衬之间的间隔为零。
[0029]利用上述装置进行如下应用试验：
[0030]应用例1
[0031]将30Kg锗料置入锗料清洗装置内(也即将锗料置入聚四氟乙烯内衬内侧)，通过进水口向容器内注入去离子水，液面与进水口齐平；接通电源，5min后水沸腾，将氢氧化钠和双氧水(工业级27.5％)加入其中，质量配比为氢氧化钠:双氧水:水＝1:5:50，1min后打开出水阀门，待水流尽后，关闭出水阀门，再向容器内注入去离子水，液面与进水口齐平；再次接通电源，5min后水沸腾，打开出水阀门，排除废液，锗原料纯度达到99.9999％，前述方法提高了清洗效率，保证了锗原料纯度纯度，继而保障了后续拉制单晶质量的稳定。
[0032]应用例2
[0033]将20Kg锗料置入锗料清洗装置内(也即将锗料置入聚四氟乙烯内衬内侧)，通过进水口向容器内注入去离子水，液面与进水口齐平；接通电源，3min后水沸腾，将氢氧化钠和双氧水(工业级27.5％)加入其中，质量配比为氢氧化钠:双氧水:水＝1:5:50，1min后打开出水阀门，待水流尽后，关闭出水阀门，再向容器内注入去离子水，液面与进水口齐平。再次接通电源，3min后水沸腾，打开出水阀门，排除废液，锗原料纯度达到99.9999％，前述方法提高了清洗效率，保证了锗原料纯度纯度，继而保障了后续拉制单晶质量的稳定。
[0034]应用例3
[0035]将10Kg锗料置入锗料清洗装置内(也即将锗料置入聚四氟乙烯内衬内侧)，通过本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种锗料清洗装置，其特征在于：包括绝缘外壳、镀膜石英玻璃缸、聚四氟乙烯内衬、导电线圈、导电线、进水管和出水管；绝缘外壳、镀膜石英玻璃缸和聚四氟乙烯内衬均为圆桶结构，镀膜石英玻璃缸设在绝缘外壳内侧，聚四氟乙烯内衬设在镀膜石英玻璃缸内侧；镀膜石英玻璃缸侧壁外表面镀有一层透明导电薄膜，导电线圈缠绕在透明导电薄膜上，导电线伸入绝缘外壳侧壁内侧、连接导电线圈；进水管一端从绝缘外壳侧壁顶部伸入聚四氟乙烯内衬内、另一端留在绝缘外壳外；出水管一端从绝缘外壳侧壁底部伸入聚四氟乙烯内衬内、另一端留在绝缘外壳外；留在绝缘外壳外的进水管和出水管上均设有控制阀。2.如权利要求1所述的锗料清洗装置，其特征在于：导电线圈缠绕在透明导电薄膜的顶部和底部，顶部和底部的导电线圈缠均与导电线连接。3.如权利要求2所述的锗料...
【专利技术属性】
技术研发人员：房现阁，李忠全，柯尊斌，王卿伟，陈仕天，
申请(专利权)人：中锗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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