本实用新型专利技术提供了一种滤波器和滤波器装置以及基站，其技术方案有助于改善滤波器等设备的功率容量和带外抑制性能。该滤波器，由下至上依次为基板、下晶圆和上晶圆，该滤波器中的谐振器设置于下晶圆，上晶圆上方设置有顶部焊盘，该顶部焊盘经由上晶圆的一个或多个过孔分别与一个或多个中间焊盘连接，所述中间焊盘为电学独立焊盘，位于上晶圆和下晶圆之间。位于上晶圆和下晶圆之间。位于上晶圆和下晶圆之间。
【技术实现步骤摘要】
滤波器和滤波器装置以及基站
[0001]本技术涉及滤波器
，特别地涉及一种滤波器和滤波器装置以及基站。
技术介绍
[0002]近年来的通信设备小型化和高性能趋势的加快，给射频前端提出了更高的挑战。在射频通信前端中，一方面要通过减小芯片和封装基板的尺寸来实现小型化，另一方面要通过减少损耗来源以及更好的谐振器配合设计来实现更好的性能。在现有的滤波器结构中，用于匹配的无源器件较多，同时用于改善特定性能比如滚降插损等也需要额外引入更多的电感、电容、耦合等多种结构。
[0003]普通的滤波器的一种典型结构如图1所示，图1是根据现有技术中一种声波滤波器的结构的示意图。这种滤波器10中，输入端131和输出端132之间有电感121、122以及多个谐振器(通常称作串联谐振器)101～104，各串联谐振器的连接点与接地端之间的多个支路(通常称作并联支路)上分别设置有谐振器111～113(通常称作并联谐振器)，以及电感123～125。各并联谐振器上添加有质量负载层，使并联谐振器的频率和串联谐振器的频率具有差异从而形成滤波器的通带。此外也可以是两个并联谐振器经同一个电感接地。
[0004]图2是与本技术有关的基站滤波器的拓扑结构的示意图。如图2所示，基站滤波器的输入端IN和输出端OUT之间有两个以上并联的滤波器221、222、
……
、22N。各滤波器的结构相同。因为多路滤波器并联，阻抗对应减小，所以加入匹配网络211、212来进行阻抗调节。
技术实现思路
[0005]本技术提供了一种滤波器和滤波器装置以及基站，其技术方案有助于改善滤波器等设备的功率容量和带外抑制性能。本技术提供如下技术方案：
[0006]一种滤波器，由下至上依次为基板、下晶圆和上晶圆，该滤波器中的谐振器设置于下晶圆，该滤波器中：上晶圆上方设置有顶部焊盘，该顶部焊盘经由上晶圆的一个或多个过孔分别与一个或多个中间焊盘连接，所述中间焊盘为电学独立焊盘，位于上晶圆和下晶圆之间。
[0007]可选地，所述顶部焊盘经由一条或多条键合线连接至基板表面的金属图形，该金属图形接地。
[0008]可选地，下晶圆的电路的输入端经由中间输入焊盘、上晶圆输入过孔、顶部输入焊盘以及键合线，连接至基板上的基板输入焊盘；并且/或者，下晶圆的电路的输出端经由中间输出焊盘、上晶圆输出过孔、顶部输出焊盘以及键合线，连接至基板上的基板输出焊盘。
[0009]可选地，上晶圆和下晶圆之间进一步包括一个或多个接地焊盘，所述接地焊盘分别经由下晶圆的一个或多个过孔连接至下晶圆下方的底部焊盘或者经由上晶圆的一个或多个过孔连接至所述顶部焊盘；所述底部焊盘与基板表面的金属图形连接，该金属图形接
地。
[0010]可选地，上晶圆和下晶圆之间进一步包括一个或多个中间焊盘，这些中间焊盘分别经由下晶圆的一个或多个过孔连接至下晶圆下方的一个或多个底部焊盘并且/或者分别经由上晶圆的一个或多个过孔连接至上晶圆上方的一个或多个焊盘；所述底部焊盘与基板表面的金属图形连接，该金属图形接地。
[0011]可选地，不同的中间焊盘与不同的底部焊盘连接，不同的底部焊盘与基板表面的不同的所述金属图形连接。
[0012]可选地，所述底部焊盘与基板表面的金属图形经由金属植球连接。
[0013]可选地，上晶圆上方还设置有第一调节焊盘，第一调节焊盘经由键合线连接至基板上的第三调节焊盘；第三调节焊盘与基板上的无源器件一端连接，该无源器件另一端与基板上的输出焊盘连接；上晶圆和下晶圆之间设置有第二调节焊盘，第一调节焊盘与第二调节焊盘经由上晶圆的过孔连接。
[0014]可选地，所述无源器件为电感。
[0015]可选地，所述滤波器为梯形结构，所述调节焊盘连接在该梯形结构的串联支路的最靠近滤波器输出端的串联谐振器与该串联谐振器的相邻串联谐振器之间。
[0016]可选地，所述谐振器为体声波谐振器或表面声波谐振器。
[0017]一种滤波装置，包含多个滤波器组成的并联体，以及并联体两端串联的匹配网络，所述滤波器为本技术所述的滤波器。
[0018]可选地，所述匹配网络由1个电容和2个电感组成π型网络，该π型网络的两端分别经由电感接地，两端之间连接电容。
[0019]一种基站，包含本技术所述的滤波装置。
[0020]根据本技术的技术方案，设置有滤波器的下晶圆的热量经上述连接传导至顶部焊盘，有助于谐振器的散热，从而提高滤波器的功率容量。在上下晶圆都设置金属化，并且保留了键合线，增加了散热，因此可以进一步改善功率容量。并且，对地的管脚实现图形化，可以将多个对地连接线分离，并且有较大的设置灵活度，可以有效改善带外抑制。滤波器输入输出端与接地端分离使滤波器的近带滚降、带外抑制以及通带插损性能都得到改善。无源器件的接入可以进一步改善低频处的带外抑制。满足基站滤波器高带外抑制的要求。
附图说明
[0021]为了说明而非限制的目的，现在将根据本技术的优选实施例、特别是参考附图来描述本技术，其中：
[0022]图1是根据现有技术中一种声波滤波器的结构的示意图；
[0023]图2是与本技术有关的基站滤波器的拓扑结构的示意图；
[0024]图3是根据本技术实施方式的滤波器的一种优选结构的示意图；
[0025]图4A和图4B是根据本技术实施方式中的调节焊盘的位置的示意图；
[0026]图5是根据本技术实施方式的电感L对滤波器带外抑制性能影响的示意图；
[0027]图6A、图6B、图6C是根据本技术实施方式的三种无源网络的结构的示意图；
[0028]图6D和图6E是滤波器中分别采用图6A至图6C所示的无源网络时的曲线；
[0029]图6F和图6G是根据本技术实施方式的两种无源网络的结构的示意图；
[0030]图7是根据本技术实施方式的下晶圆下方的焊盘的布置的示意图；
[0031]图8A和图8B是根据本技术实施方式的滤波器接地焊盘分离与合并时性能对比的示意图；
[0032]图9A和图9B是根据本技术实施方式的滤波器输入输出端与接地端分离与否的性能对比的示意图。
具体实施方式
[0033]以下结合附图对本技术实施方式技术方案加以说明。图3是根据本技术实施方式的滤波器的一种优选结构的示意图。如图3所示，滤波器3由下至上依次为基板301、下晶圆302和上晶圆303，谐振器设置在下晶圆302。图中示意性示出了2个谐振器，分别为谐振器304和谐振器305，其他谐振器图中未示出。上晶圆303上方设置有顶部焊盘306，顶部焊盘306经由过孔307连接至上下晶圆302之间的中间焊盘308，还可以有更多的这种连接，例如顶部焊盘306经由过孔309连接至中间焊盘310。中间焊盘是电学独立焊盘，也可以称作空焊盘，是与其他部分没有电连接的焊盘。因为下晶圆302会因为谐振器的发热而发热，所本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种滤波器，由下至上依次为基板、下晶圆和上晶圆，该滤波器中的谐振器设置于下晶圆，其特征在于，该滤波器中：上晶圆上方设置有顶部焊盘，该顶部焊盘经由上晶圆的一个或多个过孔分别与一个或多个中间焊盘连接，所述中间焊盘为电学独立焊盘，位于上晶圆和下晶圆之间。2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述顶部焊盘经由一条或多条键合线连接至基板表面的金属图形，该金属图形接地。3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，下晶圆的电路的输入端经由中间输入焊盘、上晶圆输入过孔、顶部输入焊盘以及键合线，连接至基板上的基板输入焊盘；并且/或者，下晶圆的电路的输出端经由中间输出焊盘、上晶圆输出过孔、顶部输出焊盘以及键合线，连接至基板上的基板输出焊盘。4.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，上晶圆和下晶圆之间进一步包括一个或多个接地焊盘，所述接地焊盘分别经由下晶圆的一个或多个过孔连接至下晶圆下方的底部焊盘或者经由上晶圆的一个或多个过孔连接至所述顶部焊盘；所述底部焊盘与基板表面的金属图形连接，该金属图形接地。5.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，上晶圆和下晶圆之间进一步包括一个或多个中间焊盘，这些中间焊盘分别经由下晶圆的一个或多个过孔连接至下晶圆下方的一个或多个底部焊盘并且/或者分别经由上晶圆的一个或多个过孔连接至上晶圆上方的一个或多个焊盘；所述底部焊盘与基板表面的金属图形连接，该金属图形接地。6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，蔡华林，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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