一种Ｘ光管阳极靶及其制备方法与应用的Ｘ光管技术

本发明专利技术涉及一种Ｘ光管阳极靶，其表面具有多个微米尺度锯齿状沟槽，且所述锯齿状沟槽的方向正对Ｘ光管的出射口。本发明专利技术还对应提出一种新型阳极靶的制备方法及其应用的Ｘ光管。本发明专利技术的技术方案将Ｘ光管中聚焦电子束轰击的靶阳极表面区域制成多锯齿沟槽，可以大大提高Ｘ光管中电子束能量的利用效率，增加在出射方向上的Ｘ射线光强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及x射线发生器，尤其涉及一种新型的x光管阳极靶 及其制备方法与应用的x光管。
技术介绍
x射线可以通过多种途径产生，目前大多实验设备釆用的是用聚 焦电子束轰击阳极靶来产生，但该方式产生X射线的效率很低，所 产生的X射线总能量仅为轰击阳极靶的电子束总能量的3%左右。其 中大量的电子能量被阳极吸收而变为热量。因此如何提高产生X射 线的效率，如何在相同的电子束能量下产生为实验和生产所需的高密 度强X射线束，就成为很重要的研究课题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种x光管阳极靶及其制备方法与应用的 X光管，以解决现有技术中聚焦电子東轰击阳极产生X射线的效率过低的问题。为了达到上述目的，本专利技术的技术方案提出一种x光管阳极靶，所述阳极靶的表面具有多个锯齿状沟槽，且所述锯齿状沟槽的方向正对x光管的出射口 。上述的X光管阳极靶中，所述锯齿状沟槽的锯齿夹角为10-90 度，深度为10-60微米。本专利技术的技术方案还提出一种X光管阳极靶的制备方法，其是 在X光管阳极靶上刻蚀多个，方向正对X光管出射口的锯齿状沟槽。上述X光管阳极靶的制备方法中，所述加工的方法为等离子束 轰击或化学侵蚀。上述X光管阳极靶的制备方法中，所述锯齿状沟槽的锯齿夹角为10-90度,深度为10-60微米。本专利技术的技术方案继续提出一种应用如上所述阳极靶的X光管， 包括电子東发生装置，用于产生高能电子東轰击阳极靶产生X射线， 所述阳极靶的表面具有多个锯齿状沟槽，且所述锯齿状沟槽的方向正 对X光管的出射口。上述的X光管中，所述锯齿状沟槽的锯齿夹角为10-90度，深度为 10-60微米。本专利技术的技术方案将X光管中聚焦电子東轰击的乾阳极表面区 域制成多锯齿沟槽，可以大大提高X光管中电子束能量的利用效率， 充分发挥二次电子的作用，增加在出射方向上的X射线光强度。附图说明图1为本专利技术应用新型阳极靶的X光管实施例结构图； 图2为本专利技术X光管阳极靶的实施例示意图。具体实施例方式以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。 图1为本专利技术应用新型阳极靶的X光管实施例结构图，如图所 示，本实施例将X光管中聚焦电子東轰击的阳极靶11表面区域制成 多锯齿沟槽，锯齿状沟槽111的开口方向正对X光管的出射窗口 12。 这些多锯齿沟槽结构111减少了电子束在阳极乾中对锯齿沟表面法 线方向的入射深度，从而不仅减少了电子轰击阳极靶产生的X射线 出射前的吸收路径长度，也增加了 X射线的出射面积，而且可以增 加阳极中背散射电子和高能散射电子的出射。这些出射的次级电子将 会与邻近的阳极锯齿沟槽多次发生相互作用而再产生X射线。出射 的高能康普顿X射线也会有一部分与邻近的阳极锯齿沟槽发生相互 作用而再产生特征X射线。综上所述，本专利技术应用新型阳极靶的X 光管将大大提高电子東能量的利用效率，增加在出射方向上的X射 线光强度。从而可以应用在能谱仪、衍射仪等分析仪器中，使其能够4提高灵敏度、降低分析检测线。同时，本实施例中阳极靶的多锯齿沟槽结构适用于x射线发生器中的固定靶、旋转靶和次级靶。本专利技术X光管阳极靶的具体结构如图2所示，其是利用等离子 体轰击或化学侵蚀方法在阳极靶表面加工多个开口方向正对X光管 出射口的微米级锯齿状沟槽。并且锯齿状沟槽的锯齿夹角a为10-90 度，优选a为30度；深度d为10-50微米，优选d为40微米；上述 的最优组合保证了最优的X光发射效率。如上本专利技术X光管实施例 所述，具有锯齿状沟槽的阳极乾减少了电子束在阳极耙中对锯齿沟表 面法线方向的入射深度，从而不仅减少了电子轰击阳极靶产生的X 射线出射前的吸收路径长度，也增加了 X射线的出射面积，充分利 用了二次电子作用，可以增加阳极中背散射电子和髙能散射电子的出 射(如图二fe、 de)。其最终目的是提高X光管中电子束能量的利用 效率，增加在出射方向上的X射线光强度。以上为本专利技术的最佳实施方式，依据本专利技术公开的内容，本领域 的普通技术人员能够显而易见地想到一些雷同、替代方案，均应落入 本专利技术保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｘ光管阳极靶，其特征在于，所述阳极靶的表面具有多个微米尺度锯齿状沟槽，且所述锯齿状沟槽的方向正对Ｘ光管的出射口。

【技术特征摘要】
1、一种X光管阳极靶，其特征在于，所述阳极靶的表面具有多个微米尺度锯齿状沟槽，且所述锯齿状沟槽的方向正对X光管的出射口。2、 如权利要求1所述的X光管阳极靶，其特征在于，所述锯齿状沟槽的锯齿夹角为10-90度，深度为10-60微米。3、 一种X光管阳极靶的制备方法，其特征在于，在X光管阳极靶上加工多个方向正对X光管出射口的锯齿状沟槽。4、 如权利要求3所述X光管阳极靶的制备方法，其特征在于，所述加工的方法为等离子東轰击或化学侵蚀。5、 如权利要求3所述X光管阳极靶的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴应荣，
申请(专利权)人：布莱格科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]