分裂式变压器制造技术

技术编号:31624277 阅读:35 留言:0更新日期:2021-12-29 19:00
本实用新型专利技术实施例提供一种分裂式变压器,包括:铁芯、一次线圈和相互并联的至少两个二次线圈;所述一次线圈设置于所述铁芯和所述至少两个二次线圈之间,所述至少两个二次线圈沿所述铁芯的轴线方向并列设置;所述一次线圈包括相互串联的内层线圈和外层线圈,所述内层线圈位于所述外层线圈与所述铁芯之间;沿所述铁芯的轴线方向,所述外层线圈的高度与所述至少两个二次线圈的总高度相同,所述内层线圈的高度小于或等于所述外层线圈的高度;所述内层线圈包括至少两个抽头,其中,所述至少两个抽头对应的运行匝数不同。通过内层线圈和外层线圈的设置方式,实现一次线圈在不同调压档位时和二次线圈保持安匝平衡,避免涡流损耗增加。避免涡流损耗增加。避免涡流损耗增加。

【技术实现步骤摘要】
分裂式变压器


[0001]本技术涉及电气
,具体涉及一种分裂式变压器。

技术介绍

[0002]变压器利用电磁感应的原理来改变交流电压,是输配电的基础设备,广泛应用于工业、农业、交通、城市社区等领域。分裂式变压器是每相由一个一次线圈与多个二次线圈构成的多线圈电力变压器。分裂式变压器中单个一次线圈同时耦合多个分裂式二次线圈,且二次线圈同时向负载供电。在现有的分裂式变压器中,一次线圈对应的多个分裂式二次线圈处在一次线圈不同的轴向高度位置上。由于特殊的分裂式二次线圈结构,一次线圈和二次线圈的安匝平衡度不会很好,引起的后果是,一次线圈和二次线圈之间的安匝不平衡,在畸变的漏磁场中,各个线圈的涡流损耗明显增大。就移相变压器为例,二次线圈的三大组间,涡流损耗的不平衡度最高可达80%。
[0003]目前,改善分裂式变压器安匝不平衡导致涡流损耗增加的方式是将一次线圈采用饼式结构以匹配二次线圈。然而变压器一次线圈的匝数要可调,以在电网波动时通过调整一次线圈的匝数来保持二次电压的稳定。因而这种方法只能在个别调压档位上使一次线圈和二次线圈达到安匝平衡,改善漏磁场,降低涡流损耗。但由于不同调压档位的要求,一二次线圈之间总是会存在安匝不平衡,导致涡流损耗增加。

技术实现思路

[0004]有鉴于此,本技术提供一种分裂式变压器,至少部分解决上述技术问题。
[0005]为实现上述目的,本技术实施例提供一种分裂式变压器,包括:铁芯、一次线圈和相互并联的至少两个二次线圈;所述一次线圈设置于所述铁芯和所述至少两个二次线圈之间,所述至少两个二次线圈沿所述铁芯的轴线方向并列设置;所述一次线圈包括相互串联的内层线圈和外层线圈,所述内层线圈位于所述外层线圈与所述铁芯之间;沿所述铁芯的轴线方向,所述外层线圈的高度与所述至少两个二次线圈的总高度相同,所述内层线圈的高度小于或等于所述外层线圈的高度;所述内层线圈包括至少两个抽头,其中,所述至少两个抽头对应的运行匝数不同。
[0006]在本技术实施例提供的分裂式变压器中,将一次线圈分为相互串联的内层线圈和外层线圈,外层线圈的高度和二次线圈的总高度相同,因而外层线圈和二次线圈之间实现安匝平衡。内层线圈包括至少两个抽头,可以调节一次线圈的档位,同时由于内层线圈的高度小于或等于外层线圈的高度,内层线圈不会产生漏磁场,通过内层线圈调节一次线圈的档位不会破坏外层线圈和二次线圈之间的安匝平衡。因此,通过内层线圈和外层线圈的设置方式,分裂式变压器可以实现一次线圈在不同调压档位时和二次线圈之间始终保持安匝平衡,避免涡流损耗的增加。
[0007]在本技术的另一实现方式中,所述外层线圈为线绕饼式线圈。
[0008]在这种实现方式中,由于线绕饼式线圈对高度的控制更容易,因而可以更好的实
现外层线圈和二次线圈之间的安匝平衡。
[0009]在本技术的另一实现方式中,所述外层线圈包括相互串联的至少两个线圈段;所述至少两个线圈段沿所述铁芯的轴线方向并列设置;沿所述铁芯的轴线方向,每个所述线圈段与一个所述二次线圈相对应,不同的所述线圈段对应不同的所述二次线圈。
[0010]在这种实现方式中,外层线圈的线圈段和二次线圈一一对应,安匝平衡度更高。
[0011]在本技术的另一实现方式中,沿所述铁芯的轴线方向,每个所述线圈段的高度与相对应的所述二次线圈的高度相同,相邻所述线圈段之间的距离等于相邻所述二次线圈之间的距离。
[0012]在这种实现方式中,外层线圈的线圈段高度和线圈段之间间隔都和二次线圈对应,因而可以避免因为相邻二次线圈之间的间隔而导致的外层线圈和二次线圈之间磁场泄漏,进一步保证外层线圈和二次线圈之间的安匝平衡。
[0013]在本技术的另一实现方式中,所述线圈段的数量为三个。
[0014]在这种实现方式中,外层线圈的线圈段为三个,二次线圈也为三个,分裂式变压器结构紧凑,而且可以同时向三路负载供电。
[0015]在本技术的另一实现方式中,所述内层线圈为箔绕层式线圈。
[0016]在这种实现方式中,箔绕层式线圈可以更均匀的在铁芯高度方向上分布,利于调整匝数,并且避免内层线圈的磁势过度集中影响外层线圈和二次线圈之间的安匝平衡。
[0017]在本技术的另一实现方式中,沿所述铁芯的轴线方向,所述内层线圈的中点和所述外层线圈的中点位于相同高度。
[0018]在这种实现方式中,内层线圈位于铁芯高度的中部,可以更好的解决箔式层绕线圈的绝缘问题,并且进一步避免内层线圈对外层线圈和二次线圈之间安匝平衡的影响。
[0019]在本技术的另一实现方式中,所述外层线圈的匝数为所述分裂式变压器额定电压对应匝数的95%,所述内层线圈为所述分裂式变压器额定电压对应匝数的10%。
[0020]在这种实现方式中,一次线圈可以在+/

5%之间调节,在电网波动时保证二次电压的稳定。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术实施例中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本技术的实施例提供的分裂式变压器示意性局部截面图;
[0023]图2为本技术的实施例提供的分裂式变压器示意性截面图;
[0024]图3为本技术的实施例提供的分裂式变压器示意性局部截面图;
[0025]图4为本技术的实施例提供的分裂式变压器示意性截面图。
[0026]附图标记列表:
[0027]110:铁芯;120:一次线圈;121:内层线圈;122:外层线圈;1220:线圈段;以及130:二次线圈。
具体实施方式
[0028]为了使本领域的人员更好地理解本技术实施例中的技术方案,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本技术实施例一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术实施例中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都应当属于本技术实施例保护的范围。
[0029]参见图1

2,其中图1示出了一种分裂式变压器的单相结构,图2示出了图1对应的三相结构,本技术实施例提供一种分裂式变压器,包括:铁芯110、一次线圈120和相互并联的至少两个二次线圈130;一次线圈120设置于铁芯110和至少两个二次线圈130之间,至少两个二次线圈130沿铁芯110的轴线方向并列设置;一次线圈120包括相互串联的内层线圈121和外层线圈122,内层线圈121位于外层线圈122与铁芯110之间;沿铁芯110的轴线方向,外层线圈122的高度与至少两个二次线圈130的总高度相同,内层线圈121的高度小于或等于外层线圈122的高度;内层线圈121包括至少本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分裂式变压器,其特征在于,包括:铁芯(110)、一次线圈(120)和相互并联的至少两个二次线圈(130);所述一次线圈(120)设置于所述铁芯(110)和所述至少两个二次线圈(130)之间,所述至少两个二次线圈(130)沿所述铁芯(110)的轴线方向并列设置;所述一次线圈(120)包括相互串联的内层线圈(121)和外层线圈(122),所述内层线圈(121)位于所述外层线圈(122)与所述铁芯(110)之间;沿所述铁芯(110)的轴线方向,所述外层线圈(122)的高度与所述至少两个二次线圈(130)的总高度相同,所述内层线圈(121)的高度小于或等于所述外层线圈(122)的高度;所述内层线圈(121)包括至少两个抽头,其中,所述至少两个抽头对应的运行匝数不同。2.根据权利要求1所述的分裂式变压器,其特征在于,所述外层线圈(122)为线绕饼式线圈。3.根据权利要求2所述的分裂式变压器,其特征在于,所述外层线圈(122)包括相互串联的至少两个线圈段(1220);所述至少两个线圈段(1220)沿所述铁芯(110)的轴线...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡万兵郑春茂杨建波张万宝
申请(专利权)人:西门子上海电气传动设备有限公司
类型:新型
国别省市:

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