改善磁控管电磁兼容性能的真空管制造技术

本实用新型专利技术是一种改善磁控管电磁兼容性能的真空管，包括有端引片（４）、陶瓷支撑件（２）、管壳（１）、阳极筒（５）、引线（３１）、（３２），其中端引片（４）焊接在陶瓷支撑件（２）上，陶瓷支撑件（２）焊接在管壳（１）上，管壳（１）焊接在阳极筒（５）上，引线（３１）、（３２）依次穿过阳极筒（５）、管壳（１）、陶瓷支撑件（２）焊接在端引片（４）上，其中管壳（１）的开孔部位（１２）向管壳（１）的内腔拉延一扼流圈（１３）；本实用新型专利技术由于管壳的开孔部位向管壳的内腔拉延一扼流圈，可以削减除去谐振腔内产生的有害高次谐波，避免微波泄漏，有效改善磁控管电磁兼容性能。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种真空管，特别是一种改善磁控管电磁兼容性能的真空管，属于真空管的改造技术。2、
技术介绍
现有用于磁控管的真空管中，端引片4焊接在陶瓷支撑件2上，陶瓷支撑件2焊接在管壳1上，管壳1焊接在阳极筒5上，引线31、32依次穿过阳极筒5、管壳1、陶瓷支撑件2焊接在端引片4上，如图1所示，这种结构存在的缺点是谐振腔内产生的有害高次谐波能够从管壳1的开孔11通过并穿透陶瓷支承件2，造成微波泄漏，所以其EMC性能(电磁兼容性)较差。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述缺点而提供一种避免微波泄漏，有效改善磁控管电磁兼容性能的真空管。本技术的结构示意图如图2所示，包括有端引片、陶瓷支撑件、管壳、阳极筒、引线，其中端引片焊接在陶瓷支撑件上，陶瓷支撑件焊接在管壳上，管壳焊接在阳极筒上，引线依次穿过阳极筒、管壳、陶瓷支撑件焊接在端引片上，其中管壳的开孔部位向管壳的内腔拉延一扼流圈。上述扼流圈长度为h＝λ/4，其中λ为波长。本技术由于管壳的开孔部位向管壳的内腔拉延一扼流圈，可以削减除去谐振腔内产生的有害高次谐波，避免微波泄漏，有效改善了磁控管电磁兼容性能。附图说明图1为现有技术的结构示意图；图2为本技术的结构示意图；具体实施方式实施例本技术的结构示意图如图2所示，包括有端引片4、陶瓷支撑件2、管壳1、阳极筒5、引线31、32，其中端引片4焊接在陶瓷支撑件2上，陶瓷支撑件2焊接在管壳1上，管壳1焊接在阳极筒5上，引线31、32依次穿过阳极筒5、管壳1、陶瓷支撑件2焊接在端引片4上，其中管壳1的开孔部位12向管壳1的内腔拉延一扼流圈13；上述扼流圈13的长度为h＝λ/4，其中λ为波长。

【技术保护点】
一种改善磁控管电磁兼容性能的真空管，包括有端引片（４）、陶瓷支撑件（２）、管壳（１）、阳极筒（５）、引线（３１）、（３２），其中端引片（４）焊接在陶瓷支撑件（２）上，陶瓷支撑件（２）焊接在管壳（１）上，管壳（１）焊接在阳极筒（５）上，引线（３１）、（３２）依次穿过阳极筒（５）、管壳（１）、陶瓷支撑件（２）焊接在端引片（４）上，其特征在于管壳（１）的开孔部位（１２）向管壳（１）的内腔拉延一扼流圈（１３）。

【技术特征摘要】
1.一种改善磁控管电磁兼容性能的真空管，包括有端引片(4)、陶瓷支撑件(2)、管壳(1)、阳极筒(5)、引线(31)、(32)，其中端引片(4)焊接在陶瓷支撑件(2)上，陶瓷支撑件(2)焊接在管壳(1)上，管壳(1)焊接在阳极筒(5)上，引线(31)、(32)依次...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟立松，
申请(专利权)人：佛山市美的日用家电集团有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]