表面声波器件制造技术

本发明专利技术提供一种表面声波器件，可在表面声波器件中抑制由温度变化产生的应力引起的断线。以包围设置于压电基板的表面上的IDT(叉指换能器)的方式设置壁部，并且以堵塞包围IDT的区域的方式设置顶板部。进而，在压电基板的一面上设置从与IDT连接的位置引出至被所述壁部包围的区域的外部的引出电极，并设置电极配线，所述电极配线通过在壁部的外部的引出电极上层叠而与所述引出电极电连接，并引绕至所述顶板部的上表面上。而且，在设置覆盖顶板部的上表面的保护膜时，在保护膜以覆盖比所述顶板部的上表面宽的区域的方式设置的情况下，所述保护膜是避开在所述引出电极上层叠有所述电极配线的区域而设置。极配线的区域而设置。极配线的区域而设置。

【技术实现步骤摘要】
表面声波器件


[0001]本专利技术涉及一种包括叉指换能器(Inter Digital Transducer，IDT)的表面声波器件。

技术介绍

[0002]近年来，移动电话等通信设备的小型化正在急速发展。随着此种设备的小型化，要求作为其构成零件的例如表面声波器件(surface acoustic wave device，SAW器件)等电子零件的小型化。
[0003]作为将表面声波器件小型化的结构，已知有晶片级芯片尺寸封装(Wafer Level
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Chip Size Packaging，WL
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CSP)型的结构。WL
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CSP型的表面声波器件为以下结构：例如如专利文献1所记载那样在压电基板的表面设置梳齿电极，并在梳齿电极的周围设置外围壁层及天花板而形成中空结构，以形成梳齿电极的工作空间。而且，记载了以下结构：将与梳齿电极连接的引出配线引出至压电基板的外缘，进而设置将所述引出配线与设置于天花板的上表面上的安装端子加以连接的侧面配线。另外，在专利文献2中记载了以下结构：在利用元件罩包围梳形电极的周围，并在罩构件的外表面设置了与梳形电极电连接的第一电极的弹性波装置中，以覆盖罩构件及第一电极的方式设置了环氧系的密封树脂。
[0004]近年来，要求提高声波器件的动作的可靠性，对产品进行的冲击试验变得严格。因此，要求制作更结实且可靠性高的表面声波器件的技术。
[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007][专利文献1]日本专利特开2016
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66989号公报
[0008][专利文献2]日本专利特开2015
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39209号公报

技术实现思路

[0009][专利技术所要解决的问题][0010]本专利技术是在此种情况下完成，其在表面声波器件中抑制由温度变化所施加的应力的影响。
[0011][解决问题的技术手段][0012]本专利技术的表面声波器件包括：IDT，设置于压电基板的一面上；
[0013]壁部，设置于所述压电基板上，并包围配置有所述IDT的区域；
[0014]顶板部，堵塞被所述壁部包围的区域的开口；
[0015]引出电极，设置于所述压电基板的一面上，且设置为从与所述IDT连接的位置引出至被所述壁部包围的区域的外部；
[0016]电极配线，通过在引出至所述壁部的外部的部分的所述引出电极上层叠而与所述引出电极电连接，并经由所述壁部的侧面引绕至所述顶板部的上表面上；以及
[0017]保护膜，以至少覆盖所述顶板部的上表面的方式设置，且
[0018]在所述保护膜以覆盖比所述顶板部的上表面宽的区域的方式设置的情况下，所述保护膜是避开在所述引出电极上层叠有所述电极配线的区域而设置。
[0019][专利技术的效果][0020]本专利技术的表面声波器件中，以包围设置于压电基板的表面上的IDT的方式设置壁部，并且以堵塞包围IDT的区域的方式设置顶板部。进而，在压电基板的一面上设置从与IDT连接的位置引出至被所述壁部包围的区域的外部的引出电极，并设置电极配线，所述电极配线通过在壁部的外部的引出电极上层叠而与所述引出电极电连接，并引绕至所述顶板部的上表面上。而且，在设置覆盖顶板部的上表面的保护膜时，在保护膜以覆盖比所述顶板部的上表面宽的区域的方式设置的情况下，所述保护膜是避开在所述引出电极上层叠有所述电极配线的区域而设置。因此，在将表面声波器件暴露于温度变化时，可利用基于保护膜与压电基板及引出电极的伸缩量的差的应力来抑制电极配线及引出电极的连接部分附近的压电基板的破裂，从而可抑制破裂引起的电极配线与引出电极之间的断线。
附图说明
[0021]图1是表面声波器件的纵断侧视图。
[0022]图2是表面声波器件的平面图。
[0023]图3是表示现有的表面声波装置的结构例的说明图。
[0024]图4是表示在现有的表面声波装置中发生断裂的情况的说明图。
[0025]图5是另一例的表面声波装置的纵断侧视图。
[0026][符号的说明][0027]10：压电基板
[0028]2：IDT
[0029]31：壁部
[0030]32：顶板部
[0031]4：引出电极
[0032]6：电极配线
[0033]8：保护膜
具体实施方式
[0034]对本专利技术实施方式的表面声波器件进行说明。图1、图2分别示出了表面声波器件的纵断侧视图及平面图。表面声波器件包括例如由钽酸锂构成的矩形平板状的压电基板10。在压电基板10的一面上的大致中央，设置有例如以钛(Ti)为基底、层叠有铝(Al)的梳形电极(IDT)2。此外，在实际的表面声波器件中，设置有多根IDT 2，但在图1、图2等中，减少了IDT 2的配置数，并进行了简化记载。
[0035]另外，在压电基板10的表面设置有两根引出电极4。两根引出电极4分别一端连接于IDT 2的汇流条，各引出电极4的另一端分别引出至压电基板10的长边方向一端侧及另一端侧。引出电极4与IDT 2同样地是以Ti为基底、层叠Al而构成，但另一方面形成得比IDT 2厚。此外，图1、图2中的符号11是层间绝缘膜。
[0036]另外，在压电基板10上设置有俯视呈矩形形状的罩构件3，所述罩构件3用于确保
IDT 2振动的工作空间且例如由感光性聚酰亚胺等树脂构成。罩构件3包括：壁部31，包围压电基板10上的配置有IDT 2的区域；以及顶板部32，设置于壁部31上，并堵塞被所述壁部31包围的区域的开口。壁部31是以包围压电基板10中央区域的方式设置的矩形环状的构件。在沿着压电基板10的长边方向观察时，以隔着所述中央区域而相向的方式配置、沿着所述压电基板10的短边方向延伸的两个壁部31分别以横穿引出电极4的方式配置。
[0037]即，可以说引出电极4是以从与IDT 2连接的位置引出至被壁部31包围的区域的外部的方式设置。此外，在本说明书中，将两根引出电极4中的壁部31的外侧的部分称为端子部4A。
[0038]另外，表面声波器件包括电极配线6，所述电极配线6电连接于各端子部4A，并经由壁部31的侧面引绕至顶板部32的上表面上。电极配线6例如是通过铜(Cu)的电解镀敷形成。另外，在本例中，电极配线6以覆盖端子部4A的整体的方式层叠于所述端子部4A(引出电极4)上。
[0039]进而，在本例的表面声波器件中，为了保护其构成构件(引出电极4或壁部31、顶板部32等)免受冲击或腐蚀，设置有例如由感光性环氧树脂构成的保护膜8。所述保护膜8是以至少覆盖顶板部32的上表面的方式设置。所述保护膜8也可以覆盖比顶板部32的上表面更宽的区域的方式设置，在图1、图2所示的例子中，所述顶板部32的侧面也由保护膜8覆盖。
[0040]另一方面，实施方式的保护膜8即便在以覆盖比顶板部32的上表面更宽的区域的方式设置的情况下，也避开在引出电极4上层叠有电极配线6的区域即端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面声波器件，其特征在于，包括：叉指换能器，设置于压电基板的一面上；壁部，设置于所述压电基板上，并包围配置有所述叉指换能器的区域；顶板部，堵塞被所述壁部包围的区域的开口；引出电极，设置于所述压电基板的一面上，且设置为从与所述叉指换能器连接的位置引出至被所述壁部包围的区域的外部；电极配线，通过在引出至所述壁部的外部的部分的所述引出电极上层叠而与所述引出电极电连接，并经由所述壁部的侧面引绕至所述顶板部的上表面上；以及保护膜，以至少覆盖所述顶板部的上表面的方式设置，且在所述保护膜以覆盖比所述顶板部的上表面宽的区域的方式设置的情况下，所述保护膜是避...

【专利技术属性】
技术研发人员：松仓徳丞，
申请(专利权)人：NDK声表滤波器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：