用于等离子刻蚀机的托盘及等离子刻蚀机制造技术

本公开提供了一种用于等离子刻蚀机的托盘及等离子刻蚀机，属于半导体技术领域。所述托盘包括：托盘本体和多组定位组件，所述多组定位组件呈环形排列在所述托盘本体的上表面上，每组所述定位组件均包括用于对晶圆定位的多个定位销，每组所述定位组件中的所述多个定位销围绕形成晶圆放置区域，所述晶圆放置区域的外轮廓与所述晶圆的外轮廓相同。采用该托盘可以提高LED芯片干法刻蚀的均匀性。可以提高LED芯片干法刻蚀的均匀性。可以提高LED芯片干法刻蚀的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
用于等离子刻蚀机的托盘及等离子刻蚀机


[0001]本公开涉及半导体
，特别涉及用于等离子刻蚀机的托盘及等离子 刻蚀机。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可以把电能转化成光能的 半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色 显示等领域有着广泛的应用。
[0003]在LED器件的制备过程中,具有各向异性特点的干法刻蚀是形成器件微结 构不可缺少的手段。感应耦合等离子体刻蚀机(Inductively Coupled Plasma，ICP) 是当下干法刻蚀的主要设备。ICP刻蚀机的托盘上具有用于放置LED晶圆片的 多个容置槽，多个容置槽呈环形排列在托盘上。
[0004]在实现本公开的过程中，公开人发现现有技术至少存在以下问题：
[0005]由于容置槽具有一定的深度，因此，容置槽的侧壁与槽底之间的部分区域 在刻蚀过程中易堆积光刻胶等反应副产物。这些反应副产物易回粘到LED晶圆 表面，阻挡刻蚀，从而导致LED晶圆表面呈现圆弧形干刻不均的问题。

技术实现思路

[0006]本公开实施例提供了一种用于等离子刻蚀机的托盘及等离子刻蚀机，可以 提高LED芯片干法刻蚀的均匀性。所述技术方案如下：
[0007]第一方面，提供了一种用于等离子刻蚀机的托盘，所述托盘包括：托盘本 体和多组定位组件，所述多组定位组件呈环形排列在所述托盘本体的上表面上， 每组所述定位组件均包括用于对晶圆定位的多个定位销，每组所述定位组件中 的所述多个定位销围绕形成晶圆放置区域，所述晶圆放置区域的外轮廓与所述 晶圆的外轮廓相同。
[0008]可选地，每个所述定位销均为圆柱结构。
[0009]可选地，每个所述定位销的直径均为3～5mm。
[0010]可选地，每个所述定位销的高度均为8～10mm。
[0011]可选地，每组所述定位组件均包括至少三个定位销。
[0012]可选地，所述定位销和所述托盘本体均由碳化硅材料制成。
[0013]可选地，所述定位销和所述托盘本体为一体成型结构。
[0014]可选地，所述托盘本体为圆盘，所述托盘还包括贴合在所述托盘本体的上 表面的第一区域内的耐高温绝缘胶带，所述第一区域为第一圆和第二圆之间的 环形区域，所述第一圆为以所述托盘本体的中心为圆心，且半径与所述托盘本 体的半径相同的圆，所述第二圆为以所述托盘的中心为圆心，且半径小于所述 托盘本体的半径的圆，每组所述定位组件形成的所述晶圆放置区域的中心均位 于所述第二圆内。
[0015]可选地，所述耐高温绝缘胶带与所述托盘本体的上表面之间无气泡。
[0016]第二方面，提供了一种等离子刻蚀机，所述等离子刻蚀机包括如第一方面 所述的托盘。
[0017]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
[0018]通过提供了一种用于等离子刻蚀机的托盘，该托盘包括托盘本体和多组定 位组件，其中，托盘本体可以用于承载晶圆，定位组件可以用于对晶圆进行定 位。且多组定位组件呈环形排列在托盘本体的上表面上，可以使得多个晶圆在 托盘本体上呈环形排列，有利于对多个晶圆进行干法刻蚀。每组定位组件均包 括用于对晶圆定位的多个定位销，多个定位销围绕形成晶圆放置区域。在具体 使用时，可以将晶圆放置在晶圆放置区域中，由多个定位销对对应的晶圆进行 定位。由于晶圆放置区域的外轮廓与晶圆的外轮廓相同，因此，晶圆放置在晶 圆放置区域中后，不会产生晃动，从而可以保证晶圆的定位稳定性。且通过设 置定位销替代原有的LED晶片容置槽，可以防止刻蚀过程中晶圆附近堆积光刻 胶等反应副产物，从而阻挡刻蚀的情况，从而防止LED晶圆表面呈现圆弧形干 刻不均的问题，提高了LED芯片干法刻蚀的均匀性。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所 需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开 的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是相关技术中提供的一种用于等离子刻蚀机的托盘的结构示意图；
[0021]图2是相关技术中提供的另一种用于等离子刻蚀机的托盘的结构示意图；
[0022]图3是本公开实施例提供的一种托盘的结构示意图；
[0023]图4是本公开实施例提供的另一种托盘的结构示意图。
具体实施方式
[0024]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开 实施方式作进一步地详细描述。
[0025]为了更好的理解本公开，以下简单说明下，相关技术中的一种用于等离子 刻蚀机的托盘：
[0026]图1是相关技术中提供的一种用于等离子刻蚀机的托盘的结构示意图，如 图1所示，该托盘100上具有用于放置LED晶圆W的多个容置槽100a，多个 容置槽100a呈环形排列在托盘100上。
[0027]需要说明的是，图1中只是示例性地示出了托盘100上的部分容置槽100a， 实际的容置槽100a的个数可以为更多或者更少。
[0028]为了更好的理解本申请，图1中示出了其中一个容置槽100a中放置的LED 晶圆W存在圆弧形干刻不均的区域。产生圆弧形干刻不均的问题主要原因在于， 该LED晶圆所在容纳槽的侧壁与槽底之间的部分区域在刻蚀过程中堆积有光刻 胶等反应副产物，这些反应副产物回粘到了LED晶圆表面，阻挡了刻蚀。即每 个LED晶圆上，从晶圆边缘至晶圆中心的部分弧形区域的表面，被反应副产物 遮挡，刻蚀深度较浅，而其它区域刻蚀深度较深，从而
会在LED晶圆表面形成 肉眼可见的弧形刻蚀深度偏浅区域。
[0029]同时，干法刻蚀在LED外延材料体系间的选择比差异不大，也容易导致刻 蚀精准度不易把控，制品干刻的均匀性差的问题。具体表象为：位于托盘边缘 区域的LED晶圆的刻蚀深度＞单片LED晶圆的边缘区域的刻蚀深度＞单片 LED晶圆的中心区域的刻蚀深度。
[0030]图2为相关技术中提供的另一种用于等离子刻蚀机的托盘的结构示意图， 如图2所示，图中托盘200上具有两个容置槽。其中两个容置槽分别为第一容 置槽200a和第二容置槽200b，第二容置槽200b更靠近托盘200的边缘。
[0031]对两个容置槽中的晶圆进行干法刻蚀后，发现第二容置槽200b中的晶圆的 刻蚀深度大于第一容置槽200a中的晶圆的刻蚀深度。即位于托盘边缘区域的 LED晶圆的刻蚀深度更深。
[0032]且对于同一容置槽，例如，以第二容置槽200b为例来说，第二容置槽200b 中A区域的刻蚀深度大于C、D、E区域的刻蚀深度，C、D、E区域的刻蚀深 度大于B区域的刻蚀深度。即对于单片LED晶圆，边缘区域的刻蚀深度＞中心 区域的刻蚀深度，从而使得LED晶圆呈现干刻不均的问题。
[0033]为了解决上述技术问题，本公开实施例提供了一种用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子刻蚀机的托盘，其特征在于，所述托盘包括：托盘本体和多组定位组件，所述多组定位组件呈环形排列在所述托盘本体的上表面上，每组所述定位组件均包括用于对晶圆定位的多个定位销，每组所述定位组件中的所述多个定位销围绕形成晶圆放置区域，所述晶圆放置区域的外轮廓与所述晶圆的外轮廓相同。2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，每个所述定位销均为圆柱结构。3.根据权利要求2所述的托盘，其特征在于，每个所述定位销的直径均为3～5mm。4.根据权利要求2所述的托盘，其特征在于，每个所述定位销的高度均为8～10mm。5.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，每组所述定位组件均包括至少三个定位销。6.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述定位销和所述托盘本体均由碳化硅材料制成...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛丁壹，翁伟，孟令芳，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：