成形辐射分布的X射线源制造技术

技术编号:3159661 阅读:189 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及X射线源,包括外壳(12)、电源(12A)、细长管状探头(14)、靶组件(26)、和电子束控制组件(29)。外壳封闭电子束源并具有产生沿电子束路径的电子束的部件。电源(12A)可编程以控制电子束的电压、电流、和定时。细长管状探头(14)从外壳(12)围绕电子束路径沿一中心轴线延伸。靶组件(26)沿中心轴线延伸并适于耦合到外壳(12)远端的探头(14)的端部。靶组件(26)包括沿电子束路径定位的靶元件(26A),靶元件(26A)适于响应入射电子发射在预定能谱范围的X射线。电子束控制组件(29)包括偏转部件(30)、反馈网络(31)、和偏转控制器(144)。偏转部件(30)响应于偏转控制信号把电子束从标称轴线偏转到靶元件(26)上的一个选定的表面区。反馈网络(31)包括检测电子束偏转的偏转检测部件和产生代表束偏转的反馈信号的部件。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微型的、小功率的、可编程的X射线源,用于向特定区域产生基本上恒定的或断续的低能X射线。常规的医用X射线源是大型的、位置固定的设备。一般来说,把X射线管的探头放在一个工作间,把控制台放在邻近区域,用设有观察窗口的防护墙将两者分开。X射线管的典型长度约为20~35厘米(cm),其典型直径约为15cm。在位于包含X射线管的工作间的角落一个容器内装有一个高压电源。让病人靠近该设备,以进行诊断、治疗、或缓解处理。诊断用X射线机典型的操作电压低于150千伏(kV),电流约为25~1200毫安(mA)。与其相对比,治疗设备在大于150kv电压范围内的电流一般不超过20mA。当在标称电压为10至140kV的情况下操作X射线机时,发出的X射线可提供有限的组织穿透能力,因此可用于治疗皮肤损伤。在较高的电压下(约250kV),可实现深的X射线穿透能力,可用于治疗大块的肿瘤。在4至8兆伏(MV)区操作的超高电压设备除了可治疗表皮损伤外,还可用于切除或破坏所有类型的肿瘤。常规的X射线管包括阳极、栅极、和阴极组件。阴极组件通过由阳极和栅极建立的电场产生一个电子束,该电子束指向靶。该靶响应于入射的电子束再辐射X射线。病人吸收的辐射一般来讲是从X射线管中的靶发出的并穿过X射线管中的一个窗口的辐射,其中要考虑发射损失。这个窗口一般说来是铍或其它的适宜材料的一个很薄的部分。在一个典型的X射线机中,队极组件由一个镀钍的钨线圈组成,线圈的直径约为2mm,长度为1至2cm;当用4安培(A)或更高些的电流对该线圈进行电阻方式加热时,该线圈按热离子方式发射出电子。该线圈用一金属的聚焦杯包围,该聚焦杯将电子束会聚成指向与其相对放置的阳极的一个小的斑点,该阳极还起靶的作用。在具有栅极的模型中,正是这个栅极起到两个作用,既可控制电子束的路径,又可聚焦电子束。从阴极向阳极的电子束发射受电子的空间电荷力的影响,在电流超过1A的常规X射线机中电子的空间电荷力趋于变大。在这样的常规X射线机中,在阳极上聚焦成点的电子束的直径范围为0.3至2.5毫米(mm)。在许多应用场合,电子束的绝大部分能量在阳极上转换成热。为适应这种加热,高功率的医用X射线源通常要利用液体冷却和快速旋转的阳极,使有效靶面积加大,在减小局部加热效应的同时使聚点很小。为实现良好的热传导和有效的热扩散,一般由铜制作阳极。此外,电子束入射的阳极区域需用高原子序数的材料,以有效产生X射线。为满足热传导、有效热扩散、和有效产生X射线的要求,一般要在铜中加入钨合金。在使用中,X射线源的总照射量正比于电子束的时间积分。在相当长的照射期间(例如历时1~3秒),阳极温度上升很高,足以使阳极发光,伴以局部的表面熔化和形成凹痕,这将使辐射输出下降。但X射线管的线圈状阴极丝的热蒸发是常规X射线管失效的最频繁发生的原因。虽然X射线产生的效率和电子束电流无关,但X射线产生的效率却强烈地依赖于加速电压。在60kV以下,电子的动能只有千万之几转换为X射线;但在20MV,这个转换单已升高到70%。一个发射的X射线能谱部分地由靶元件的束缚电子能级之间跃迁的各个分立的能量特征值构成。该能谱还包括一个被称之为韧致辐射的X射线连续能谱,它是由电子束在靠近靶核通过时被加速而产生的。X射线的最大能量不可能超过束内电子的峰值能量。此外,韧致辐射曲线的峰出现在电子能量的1/3附近。加大电子流,将使所有能量的X射线发射成正比地增加。但电子束电压的变化将导致约等于电压平方的X射线输出的总变化,并且峰值X射线光子能量发生一个相应的移动。韧致辐射的产生效率随靶元件的原子序数的增加而增加。当靶的原子序数增加时,韧致辐射曲线的峰值输出和特征谱线都要向较高的能量的方向移动。尽管在现代的X射线管中使用的最多的靶材料最钨(Z=74)但在某些特殊的X射线管中使用的是金(Z=74)和钼(Z=42)。X射线与物质的相互作用方式有好几种。对生物样品来说,下述两种类型相互作用是最重要的中等能量X射线与外壳层电子的康普顿散射,和内壳层电子的光致电离相互作用。在这些过程中,在软组织和骨骼内,原子电离的几率随光子能量的增加而下降。对于光电效应,这一关系遵循一个和3次方成反比的定律。现有的用于治疗的X射线设备的一个缺点是X射线照到骨内或骨下方的软组织所需的电压太高。例如,可将X射线照到由骨骼包围的人脑的各个区域。要求高能X射线穿过骨骼,但X射线通常要损伤皮肤和脑组织。辐射治疗的另一个实例是将X射线照到体腔内的软组织,这些软组织可能包含在其它的软组织之间,或者在内部钙化结构之中。现有的高压X射线机的问题就是向这样一些区域有选择性地提供期望的X射线辐射的能力有限。现有的X射线源的高压输出的另一缺点是对受影响的器官或组织之外的皮肤要引起损伤。因此,现有系统的高压装置不仅对目标区或组织、而且对所有的周围组织和表面皮肤通常都要引起严重的伤害,这种伤害在人体肿瘤治疗过程中尤其严重。但是,由于现有的设备是将X射线辐射从目标区外的辐射源加到病人体内的目标区的,因此这样的偶发组织损伤实际上不可避免。具体就脑组织而论,脑组织缺乏足够的再生能力,脑瘤的治疗需要精密技术来产生特定的组织破坏。在脑瘤治疗中使用常规的X射线设备通常缺少在大体积照射中所必须有的精度,导致脑及其相关的腺体结构的非癌变组织的损伤。一种称之为近距放射疗法的治疗肿瘤的替换形式是在要治疗的肿瘤内或其附近植入封装的放射性同位素。虽然这样使用放射性同位素对于治疗某种类型肿瘤可能是有效的,但引入同位素需要置入手术,因此有潜在的副作用,例如有感染的可能性。但在某些应用场合因为不能控制同位素的发射,所以有可能发生脑肿胀。此外,不可能对定时剂量或辐射强度提供有选择的控制。对这样一些放射性同位素的处理和处置对各处理人员和环境都要造成伤害。脑的置入技术要求通过选择和浓缩所用的同位素精确控制辐射。正如在本领域中众所周知的那样,颅内穿刺的危险很大。鉴于以上对使用现有的X射线机发出的X射线进行治疗、诊断、缓解处理、或评估环境的要求和限制,仍旧需要有一个相对较小的、容易操作的、可以控制的、低能X射线设备,其中可将X射线源定位在要照射的环境的附近。这样一种低能、低功率设备对于这里所述的应用场合中的许多场合是适用的。因此,本专利技术的一个目的是提供一种容易操作的、低功率X射线设备。本专利技术的另一个目的是提供一种具有可控的、或可编程的电源的相当小的低功率X射线设备。本专利技术的第三个目的是提供一种可植入病人体内直接用X射线照射期望区域组织的相当小的低功率X射线设备。本专利技术的第四个目的是提供一种低功率X射线设备,用于照射已确立了一个吸收轮廓的体积,该吸收轮廓是用等剂量线预先确定的,从而可减小在期望的照射区外部的组织的损伤。本专利技术的第五个目的是提供一种相当小的、可表面安装的、低功率X射线设备,用于利用X射线来影响期望的表面区。本专利技术的第六个目的是提供一种相当小的、低功率X射线设备,该设备可插入病人体内,用X射线直接照射一个特定的区域。本专利技术的第七个目的是提供一种小型的、低功率X射线设备,该设备与一个基准框架组件一道使用,用于按照可控的方式将X射线源定位在病人体内肿瘤附近或其内部,以便照射并且治疗该肿瘤。本专利技术的第八个目的是提供一种小型的、低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种X射线源,包括:A.一个外壳,封闭一个电子束产生装置,电子束产生装置用于沿电子束路径产生电子束,所说电子束产生装置包括一个电子源;B.一个细长管状探头,从所说外壳开始并围绕所说电子束路径沿一中心轴线延伸;C.一个靶组件,包括一个靶元件,其中所说靶元件响应于入射在该靶元件上的电子发射X射线,所说靶组件包括把所说组件从所说外壳耦合到所说探头远端端部的装置,借此可沿所说电子束路径定位所说靶组件;以及D.一个电子束控制装置,其中所说电子束控制装置包括:i.偏转装置,响应于偏转控制信号把所说的电子束从一个标称轴线偏转到和所说靶元件上和一个选择的表面区交叉的轴线;ii.反馈网络,包括用于检测所说束的电子束的偏转检测装置,以及产生代表所说偏转的反馈信号的装置,以及iii.偏转控制器,耦合到所说偏转装置和所说反馈网络,并且包括根据所说反馈信号产生所说偏转控制信号的装置。2.如权利要求1的X射线源,其中所说偏转检测装置包括检测所说靶元件的X射线发射的X射线检测装置。

【技术特征摘要】
US 1994-1-21 08/184,021;US 1994-1-21 08/184,271;US1.一种X射线源,包括A.一个外壳,封闭一个电子束产生装置,电子束产生装置用于沿电子束路径产生电子束,所说电子束产生装置包括一个电子源;B.一个细长管状探头,从所说外壳开始并围绕所说电子束路径沿一中心轴线延伸;C.一个靶组件,包括一个靶元件,其中所说靶元件响应于入射在该靶元件上的电子发射X射线,所说靶组件包括把所说组件从所说外壳耦合到所说探头远端端部的装置,借此可沿所说电子束路径定位所说靶组件;以及D.一个电子束控制装置,其中所说电子束控制装置包括i.偏转装置,响应于偏转控制信号把所说的电子束从一个标称轴线偏转到和所说靶元件上和一个选择的表面区交叉的轴线;ii.反馈网络,包括用于检测所说束的电子束的偏转检测装置,以及产生代表所说偏转的反馈信号的装置,以及iii.偏转控制器,耦合到所说偏转装置和所说反馈网络,并且包括根据所说反馈信号产生所说偏转控制信号的装置。2.如权利要求1的X射线源,其中所说偏转检测装置包括检测所说靶元件的X射线发射的X射线检测装置。3.如权利要求2的X射线源,其中所说X射线检测装置设在所说电子束源的附近。4.如权利要求3的X射线源,其中据说发射的X射线源至少有一部分从所说靶组件传播到所说X射线检测装置。5.如权利要求3的X射线源,其中所说电子束源定位在所说靶元件和所说X射线检测装置之间,所说发射的X射线至少有一部分通过所说电子束源传播到所说X射线检测装置。6.如权利要求2的X射线源,其中所说X射线检测装置设在所说外壳的外部。7.如权利要求2的X射线源,其中据说反馈控制器包括控制所说电子束的所说偏转的装置,借此所说X射线检测装置可检测到来自所说靶元件的最大X射线发射。8.如权利要求1的X射线源,其中所说电子束控制组件包括校准装置,用于周期性地沿至少一个预定方向的轴线偏转所说的电子束,以校准所说偏转检测装置。9.如权利要求8的X射线源,其中形成所说边界之一。10.如权利要求1的X射线源,其中的电子束控制组件包括沿至少一个预定方向的轴线偏转所说电子束的装置,其中所说靶组件包括托架装置,用于支承所说靶元件,并且其中的一个或多个边界在所说托架装置和所说靶元件之间形成,该每个所说边界都确定横断相关的一个所说方向的轴线的相应的基准边缘。11.如权利要求10的X射线源,其中形成两个所说边界,所说相关的预定方向相互垂直。12.如权利要求11的X射线源,其中所说偏转装置包括定位装置,用于控制入射到所说靶的中心的所说电子束,并且包括i.沿垂直于所说电子束路径的第一方向(X方向)使所说电子束扫描所说靶的装置,该装置在所说扫描中检测基准边缘,并且借此在所说检测的基准边缘之间的所说靶上确定X方向参考点,ii.使所说电子束沿第二方向(Y方向)扫描所说靶的装置,其中所说Y方向垂直于所说X方向和所说电子束路径,该装置在所说扫描中检测基准边缘并借此在所说检测的基准凸缘之间的所说靶上确定Y方向参考点,iii.产生代表所说X方向中点和所说Y方向参考点的所说控制信号的装置,以及iv.把所说控制信号加到所说偏转装置的装置,借此使所说电子束入射到所说靶上的一个期望点上(从所说源观察)。13.如权利要求12的X射线源,其中所说X方向参考点是沿所说X方向扫描连接所说检测的基准凸缘的线的中点,而Y方向参考点是沿所说Y方向扫描连接所说检测的基准凸缘的线的中点。14.如权利要求11的X射线源,其中所说偏转装置包括靶探测装置,它包括i.控制所说的电子束使其在所说外壳的远端的所说探头的所说端部以屏面扫描图案进行扫描的装置;ii.识别其中所说电子束横过所说靶元件的扫描、沿所说扫描检测基准边缘、并借此沿所说经识别的扫描确定第一参考点的装置。15.如权利要求14的X射线源,其中所说第一参考点是沿所说确认的扫描检测的两个基准凸缘之间的中点。16.如权利要求15的X射线源,进一步还包括i.产生代表所说第一参考点的所说控制信号的装置,ii.把所说控制信号加到所说偏转装置的装置,借此沿连接所说经识别的扫描的所说基准边缘的一条直线的垂直平分线定位所说电子束,iii.沿垂直于所说线的一个方向轴线扫描所说电子束的装置,该装置沿所说方向轴线检测所说基准边缘,并借此确定沿所说检测的基准边缘之间的所说方向轴线的第二参考点,所述第二参考是沿在所说检测的基准凸缘之间的所述方向的轴线的中点。iv.产生代表所说第一和第二参考点的所说控制信号的装置,以及v.把所说控制信号加到所说偏转装置的装置,借此使所说电子束入射到所说靶的中心(从所说源观察)。17.如权利要求1的X射线源,其中所说偏转控制器设于所说外壳中。18.如权利要求1的X射线源,其中所说偏转控制器设在所说外壳的外部。19.如权利要求1的X射线源,其中所说的电子束的特征是电子束电流,所说电子束源进一步包括控制器装置,它响应于所说X射线检测装置,根据来自于所说靶元件的检测到的X射线发射调节所说电子束电流。20.一种X射线源,包括A.一个外壳,封闭一个电子束产生装置,电子束产生装置用于沿电子束路径产生电子束,所说电子束路径沿一电子束轴线布置,所说电子束产生装置包括一个电子源;B.一个细长管状探头,从所说外壳开始并围绕所说电子束路径沿一中心轴线延伸;以及C.一个靶组件,沿所说中心轴线延伸,并且包括把所说靶组件耦合到所说外壳远端的所说探头的端部的装置,所说靶组件包括(i).一个靶元件,它具有一个第一表面并定位在所说电子束路径中,其中所说靶元件响应于入射在所说第一表面上来自所说电子束的电子发射X射线;(ii)一个探头尖端组件,包括维持所说靶元件的所说第一表面位于所说电子束路径中的装置,所说探头尖端组件基本上对X射线是可透射的,并且在所说探头的一个远端确定一个外表面;以及(iii)一个屏蔽件,其特征是有一个选择的透射断面,该屏蔽件定位在所说探头尖端组件的所说凸出的外表面上,用于控制从所说源发出的并且穿过所说探头尖端组件的所说X射线的等剂量线的空间分布。21.如权利要求20的X射线源,其中所说靶组件可从所说细长管状探头上拆下来。22.如权利要求21的X射线源,其中所说管状探头和所说靶组件包括一个内装的对准装置,用于围绕相应的中心轴线相对于所说管状探头对准所说靶组件。23.如权利要求20的X射线源,其中所说探头尖端组件包括A.一个靶托架元件,它的第一侧适于支撑所说靶元件,它的第二侧与所说第一侧相对,所说第二侧是所说外表面;B.一个探头尖端元件,它与所说靶托架元件同轴定位,并且耦合到所说靶托架元件。24.如权利要求23的X射线源,其中所说靶托架元件基本上是半球形,所说靶托架元件适于和所说靶元件同轴定位。25.如权利要求23的X射线源,其中所说的靶托架元件由铍制成。26.如权利要求23的X射线源,其中所说靶托架和所说探头尖端元件压配合在一起。27.如权利要求23的X射线源,其中在所说探头尖端元件同心地耦合在所说靶托架元件之前,使所说靶托架相对于所说探头尖端元件变冷却,并且当所说靶托架元件和所说探头尖端元件达到热平衡时,所说探头尖端元件和所说靶托架元件由于所说靶托架元件的热膨胀而变为夹紧在一起。28.如权利要求23的X射线源,其中所说靶托架元件和所说探头尖端元件整体式构成在一起。29.如权利要求20的X射线源,其中所说的靶组件包括一个夹在所说探头尖端组件的所说外表面和所说屏蔽件之间的一个屏蔽件托架元件。30.如权利要求20的X射线源,其中所说屏蔽件具有预定厚度的断面。31.如权利要求20的X射线源,其中所说靶元件的所说第一表面是凹形的。32.如权利要求20的X射线源,其中所说靶元件的所说第一表面是凸状的。33.如权利要求32的X射线源,其中所说靶元件大致为半球形。34.如权利要求20的X射线源,其中所说靶组件的所说第一表面基本上是平直的,并且确定所说靶元件的位置以使所说第一表面垂直于所说中心轴线。35.如权利要求20的X射线源,其中所说的靶元件是由高原子序数的金属构成的。36.如权利要求20的X射线源,其中所说电子束具有大致圆形的横断面,它在所说靶元件处的直径为d1,所说靶元件具有横断所说电子束轴线的最大尺寸d2,该尺寸是在所说靶元件处穿过所说束轴线测得的;其中d2小于或等于d1。37.如权利要求20的X射线源,其中所说电子束具有大致圆形的横断面,它在所说靶元件处的直径为d1,所说靶元件具有横断所说电子束轴线的最小尺寸d2,该尺寸是在所说靶元件处穿过所说束轴线测得的;其中,d2大于或等于d1。38.如权利要求20的X射线源,其中所说屏蔽具有一个...

【专利技术属性】
技术研发人员:MT丁斯莫尔KJ哈特AP施里斯基DO史密夫PE厄丁格
申请(专利权)人:光电子有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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