一种含氮杂环衍生物及其在有机电致发光器件中的应用制造技术

本发明专利技术提供了一种含氮杂环衍生物及其在有机电致发光器件中的应用，涉及有机电致发光显示领域。本发明专利技术提供的含氮杂环衍生物具有较高的三线态能级、高电子迁移率、高折射率，同时具备较高的玻璃化转变温度、良好的热稳定性及成膜性，将其应用于有机电致发光器件中时，能有效降低有机电致发光器件的驱动电压，提高器件的光取出效率，进而提高器件的发光效率，延长器件的使用寿命，本发明专利技术所述的含氮杂环衍生物在有机电致发光器件中具有良好的应用效果和产业化前景。和产业化前景。

【技术实现步骤摘要】
一种含氮杂环衍生物及其在有机电致发光器件中的应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光显示领域，具体而言涉及一种含氮杂环衍生物及其在有机电致发光器件中的应用。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diodes，OLEDs)基本结构和技术由美籍华裔教授邓青云(Ching W.Tang)于1979年在美国柯达公司首先发现。OLED技术由于具有更薄更轻、主动发光、视角广、高清晰、图像稳定、色彩丰富、响应快速、低能耗、低温、抗震性能优异、柔性、制作成本低的优点，广泛应用于平板显示、灯具照明和微显视等领域中的高端产品。
[0003]有机电致发光是通过特定有机分子的内部过程将电流转化为可见光，有机电致发光原理可通过如下过程解释，当在阳极与阴极之间设置有机物层并在两个电极之间施加电压时，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到有机物层中，注入到有机物层中的(载流子)电子与空穴复合形成激子，并且当这些激子落回到基态时发光。利用该原理的有机电致发光器件通常由阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的有机物层形成，通过多年的发展与改进，当前有机物层包含例如空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等。其中，由于OLED具有独特的多层有机膜结构，因此，构建不同功能层的薄膜材料一直是OLED行业的研究重点，制约着OLED产品的生产工艺和应用范围，影响着OLED产品在显示和照明等领域的产业化进程。
[0004]用于有机电致发光功能层的材料大部分是有机材料或者是由有机材料和金属形成的有机金属配合物，并且具体的可分为空穴注入材料，空穴传输材料、电子阻挡材料、发光材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、电子注入材料等。尽管目前大部分有机材料已被研制和被我们熟知，但是各类有机材料的发展存在很大的不平衡。其中，电子传输材料的发展相对于空穴传输材料较为落后，空穴传输材料的空穴迁移率远高于电子传输材料的电子迁移率，使得载流子迁移不能达到平衡，激子不能有效复合，导致有机电致发光器件的发光效率较低；与此同时，有机电致发光器件中的各材料能级不匹配，空穴及电子的注入势垒较高，需要的驱动电压较高，同时，载流子向空穴传输或电子传输层一侧逸散，不能有效地在发光层复合发光，导致有机电致发光器件发生漏电流现象，影响器件的寿命，为了改善有机电致发光器件的驱动电压、发光效率以及寿命，需要不断开发具有优异性能的有机电致发光功能层材料。

技术实现思路

[0005]为了克服以上问题，本专利技术的目的在于，开发出一类新型用于有机电致发光器件的化合物，将其用于有机电致发光器件中可提高电子迁移率，避免空穴向电子传输层一侧扩散，提高载流子在发光层的复合几率；提高有机电致发光器件的出光效率，从而改善有机电致发光器件的性能。
[0006]具体而言，本专利技术提供了一种含氮杂环衍生物，具有如式I表示的结构：
[0007][0008]在式I中，所述R1～R5中至少有3个彼此相同或不同、独立的选自式2表示的结构，其余的彼此相同或不同、独立的选自氢、氘、氰基、硝基、卤素原子、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种：
[0009][0010]其中，所述X独立的选自C原子或N原子，所述R6独立的选自氢、氘、氰基、硝基、卤素原子、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；
[0011]所述m选自0、1、2、3或4，当m大于1时，两个或多个R6彼此相同或不同，或相邻的两个R6之间可键合形成取代或未取代的环；
[0012]所述L0选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种；
[0013]所述L1、L2独立的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种；
[0014]所述A选自式3或式4表示的结构：
[0015][0016]其中，所述Rx独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种，或两个Rx之间可键合形成取代或未取代的五元脂环或取代或未取代的六元脂环；或任意一个Rx可直接与L2键合；
[0017]当Rx直接与L2键合时，所述Rx选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种；
[0018]所述Y选自单键、O、S、C(RaRb)、N(Rc)中的任意一种；
[0019]所述Ra、Rb、Rc独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；
[0020]所述R7独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的
任意一种；或相邻的两个R7之间可键合形成取代或未取代的环；
[0021]所述m0独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
[0022]本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极及有机物层，所述有机物层位于所述阳极与阴极之间或位于所述阳极与阴极中的一个以上的电极的外侧，所述有机物层包含本专利技术所述的含氮杂环衍生物。
[0023]有益效果
[0024]本专利技术提供的含氮杂环衍生物具有较高的三线态能级，一方面，能有效降低电子传输的势垒，增强电子注入性能，降低有机电致发光器件的驱动电压；另一方面，能有效阻挡空穴向电子传输层一侧扩散，将空穴限制在发光层中，提高载流子在发光层的复合几率，进而提高有机电致发光器件的发光效率，还能降低漏电流的发生，同时，本专利技术提供的含氮杂环衍生物还具备较高的电子迁移率，可使空穴和电子的传输达到平衡，进而提高有机电致发光器件的发光效率。
[0025]本专利技术提供的含氮杂环衍生物还具有高折射率，将其应用于有机电致发光器件的覆盖层时，能有效避免器件内部光的全反射现象，提高器件的光取出效率，进而提高器件的发光效率，同时，覆盖层的引入能隔绝空气中的水氧，防止器件内部结构受到水氧侵蚀，从而延长有机电致发光器件的寿命。
[0026]与此同时，本专利技术提供的含氮杂环衍生物具有较高的玻璃化转变温度以及良好的成膜性，在薄膜状态下不易结晶，热稳定性及化学稳定性良好，将其应用于有机电致发光器件中，可实现器件的长寿命。
[0027]综上所述，本专利技术提供的含氮杂环衍生物性能优异，将其应用于有机电致发光器件，可实现低驱动电压、高发光效率以及长寿命，具有良好的应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氮杂环衍生物，其特征在于，具有如式I表示的结构：在式I中，所述R1～R5中至少有3个彼此相同或不同、独立的选自式2表示的结构，其余的彼此相同或不同、独立的选自氢、氘、氰基、硝基、卤素原子、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种：其中，所述X独立的选自C原子或N原子，所述R6独立的选自氢、氘、氰基、硝基、卤素原子、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；所述m选自0、1、2、3或4，当m大于1时，两个或多个R6彼此相同或不同，或相邻的两个R6之间可键合形成取代或未取代的环；所述L0选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种；所述L1、L2独立的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种；所述A选自式3或式4表示的结构：其中，所述Rx独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种，或两个Rx之间可键合形成取代或未取代的C3～C12的脂肪族环；或任意一个Rx可直接与L2键合；当Rx直接与L2键合时，所述Rx选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种；所述Y选自单键、O、S、C(RaRb)、N(Rc)中的任意一种；所述Ra、Rb、Rc独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；所述R7独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意
一种；或相邻的两个R7之间可键合形成取代或未取代的环；所述m0独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。2.根据权利要求1所述的一种含氮杂环衍生物，其特征在于，所述A选自下列式A
‑
1～A
‑
7表示的基团中的任意一种：所述Rx独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙敬，孙月，韩春雪，苗玉鹤，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：