一种阵列玻璃基板及液晶显示屏制造技术

本实用新型专利技术公开了一种阵列玻璃基板，包括基板玻璃、透明导电膜；依次形成于基板玻璃上的绝缘层、栅极层金属走线图案及与栅极金属走线图案间隔设置的硅岛层金属走线图案；硅岛层金属走线图案分别与透明导电膜及栅极层金属走线图案电连接，且与硅岛层金属走线图案交叠的的栅极金属走线断开为分离栅极走线，断开后的两分离栅极走线分别与硅岛层金属走线图案电连接。实施本实用新型专利技术，使得第一硅岛走线平稳渡过交叠区域，分离栅极走线与硅岛层金属走线图案中的第二硅岛走线分开电连接，消除了现有设计中硅岛层金属走线图案中的爬坡角，去掉了爬坡角硅岛层金属走线与栅极层金属走线之间的寄生电容，解决了寄生电容导致的异常显示问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列玻璃基板及液晶显示屏


[0001]本技术涉及液晶显示屏
，特别涉及一种阵列玻璃基板及液晶显示屏。

技术介绍

[0002]在诸多液晶显示器中，薄膜晶体管液晶显示器(简称TFT
‑
LCD)具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性，薄膜晶体管液晶显示器已经广泛应用于生活的各个方面。通常液晶显示器包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶显示面板一般包括薄膜晶体管阵列基板(TFT Array Substrate)、彩膜基板(Color Filter，CF)、以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0003]薄膜晶体管TFT包括：栅极GE，其从形成在基板SUB上的选通线GL延伸；半导体有源层A，其设置在栅极绝缘层GI上，覆盖选通线GL和栅极GE，以与选通线GL的一部分重叠；源极SE和漏极DE，其设置在半导体有源层A上并且以预定距离彼此分开。源极SE从设置在栅绝缘层GI上的数据线DL延伸。
[0004]而随着TFT的发展，越来越要求高对比度，高透过率，但是由于TFT各层电路走线复杂，交错，在TFT内部不可避免发生上下层交叠的地方，但是交叠的地方电路有一个爬坡角，交错的地方出现寄生电容，在电路输入端容易引起输入电压不稳定，导致显示异常；特别是在GIP输入起始端，干扰比较明显。

技术实现思路

[0005]由于TFT各层电路走线复杂，交错，在TFT内部不可避免发生上下层交叠的地方，但是交叠的地方电路有一个爬坡角，交错的地方出现寄生电容，在电路输入端容易引起输入电压不稳定，导致显示异常；特别是在GIP输入起始端，干扰比较明显。
[0006]针对上述问题，提出一种阵列玻璃基板及液晶显示屏，通过在硅岛层金属走线图案与栅极层金属走线图案交叠的地方将栅极金属走线断开为分离的两段栅极金属走线，使得硅岛层金属走线图案中的第一硅岛走线平稳渡过交叠区域，分离栅极走线与硅岛层金属走线图案中的第二硅岛走线分开电连接，消除了现有设计中硅岛层金属走线图案中的爬坡角，去掉了爬坡角硅岛层金属走线与栅极层金属走线之间的寄生电容，解决了液晶显示屏异常显示的问题。
[0007]一种阵列玻璃基板，包括
[0008]基板玻璃；
[0009]透明导电膜；
[0010]依次形成于所述基板玻璃上的绝缘层、栅极层金属走线图案及与所述栅极金属走线图案间隔设置的硅岛层金属走线图案；
[0011]所述硅岛层金属走线图案分别与所述透明导电膜及栅极层金属走线图案电连接，且：
[0012]与所述硅岛层金属走线图案交叠部分的栅极金属走线断开为分离栅极走线，断开后的两分离栅极走线分别与所述硅岛层金属走线图案电连接。
[0013]结合本技术所述的阵列玻璃基板，第一种可能的实施方式中，所述硅岛层金属走线图案包括：
[0014]第一硅岛走线及第二硅岛走线；
[0015]所述第二硅岛走线对应设置在所述第一硅岛走线的两侧；
[0016]所述第二硅岛走线穿过绝缘层与所述第一硅岛走线电连接；
[0017]所述分离栅极走线分别与所述第二硅岛走线电连接。
[0018]结合第一种可能的实施方式，第二种可能的实施方式中，所述阵列玻璃基板还包括：
[0019]第一连接孔；
[0020]第二连接孔；
[0021]所述分离栅极走线通过所述第一连接孔分别与所述第二硅岛走线电连接；
[0022]所述第二硅岛走线通过所述第二连接孔分别与所述透明导电膜电连接。
[0023]结合本技术第二可能的实施方式，第三种可能的实施方式中，所述第一硅岛走线配置为水平设置在所述栅极金属走线断开区域上方。
[0024]结合本技术所述的第三种可能的实施方式，第四种可能的实施方式中，所述第一硅岛走线配置为水平设置在所述开口区域上方两端部之间。
[0025]结合本技术所述的第二种可能的实施方式，第五种可能的实施方式中，所述第一连接孔数量为两个，分别设置在断开的两分离栅极走线上，所述分离栅极走线通过所述第一连接孔分别与所述第二硅岛走线的第一部、第二部连接。
[0026]结合本技术所述的第五种可能的实施方式，第六种可能的实施方式中，所述第二连接孔数量为两个，分别设置所述第二硅岛走线的第一部、第二部上，所述第二硅岛走线的第一部、第二部通过所述第二连接孔分别与所述透明导电膜电连接。
[0027]第二方面，一种液晶显示屏，包括第一部分所述的阵列玻璃基板，所述液晶显示屏还包括CF玻璃基板、液晶层及支撑柱。
[0028]实施本技术所述的阵列玻璃基板及液晶显示屏，通过在硅岛层金属走线图案与栅极层金属走线图案交叠的地方将栅极金属走线断开为分离的两段栅极金属走线，使得硅岛层金属走线图案中的第一硅岛走线平稳渡过交叠区域，分离栅极走线与硅岛层金属走线图案中的第二硅岛走线分开电连接，消除了现有设计中硅岛层金属走线图案中的爬坡角，去掉了爬坡角硅岛层金属走线与栅极层金属走线之间的寄生电容，解决了液晶显示屏异常显示的问题。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图
获得其他的附图。
[0030]图1是现有TFT俯视示意图；
[0031]图2是现有TFT竖截面示意图；
[0032]图3是现有TFT横截面示意图；
[0033]图4是本技术TFT竖截面实施例示意图；
[0034]图5是本技术TFT横截面实施例示意图；
[0035]图6是本技术液晶显示屏实施例示意图；
[0036]附图中各数字所指代的部位名称为：101——阵列玻璃基板、100——透明导电膜、102——CF玻璃基板、103——支撑柱、104——液晶层、200——绝缘层、300——硅岛层金属走线图案、310——第一硅岛走线、320——第二硅岛走线、400——栅极层金属走线图案、410——分离栅极走线、600——第一连接孔、700——第二连接孔、800——寄生电容。
具体实施方式
[0037]下面将结合技术中的附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0038]现有的液晶显示屏，由于TFT各层电路走线复杂，交错，如图1，图1是现有TFT本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列玻璃基板，其特征在于，包括基板玻璃；透明导电膜；依次形成于所述基板玻璃上的绝缘层、栅极层金属走线图案及与所述栅极层金属走线图案间隔设置的硅岛层金属走线图案；所述硅岛层金属走线图案分别与所述透明导电膜及栅极层金属走线图案电连接，且：与所述硅岛层金属走线图案交叠部分的栅极金属走线断开为分离栅极走线，断开后的两分离栅极走线分别与所述硅岛层金属走线图案电连接。2.根据权利要求1所述的阵列玻璃基板，其特征在于，所述硅岛层金属走线图案包括：第一硅岛走线及第二硅岛走线；所述第二硅岛走线对应设置在所述第一硅岛走线的两侧；所述第二硅岛走线穿过绝缘层与所述第一硅岛走线电连接；所述分离栅极走线分别与所述第二硅岛走线电连接。3.根据权利要求2所述的阵列玻璃基板，其特征在于，所述阵列玻璃基板还包括：第一连接孔；第二连接孔；所述分离栅极走线通过所述第一连接孔分别与所述第二硅岛走线电连接；所述第二硅岛走线通过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓小均，刘福知，王瑞生，陈望，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：