用于光刻装置的反射镜制造方法及图纸

一种反射镜，包括本体和由本体限定的表面。本体包括多个层。当具有第一波长的辐射入射到该表面上时，该多个层被布置成充当具有所述第一波长的辐射的多层布拉格反射器。表面的局部切面相对于多个层的局部切面以非零角度倾斜。倾斜。倾斜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于光刻装置的反射镜
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年5月21日提交的EP申请19175714.5和于2019年7月5日提交的EP申请19184661.7的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种反射镜。特别地，该反射镜适用于极紫外(EUV)辐射，并且可以用于EUV光刻装置中。

技术介绍

[0004]光刻装置是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻装置可用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以例如将图案从图案形成器件(例如掩模)投射到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了在衬底上投射图案，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻装置相比，使用波长在4－20nm范围内，例如6.7nm或13.5nm的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可用于在衬底上形成更小的特征。
[0006]产生将在光刻装置中使用的EUV辐射的辐射源还可以产生微粒物质和具有不对应于EUV的波长的辐射(“带外”辐射)。这种微粒物质和带外辐射可以传播通过光刻装置并引起许多问题。
[0007]例如，通过光刻装置传播的微粒物质可能导致图案形成器件或其它光学部件(例如光刻装置内的反射镜)的损坏或失效。这种微粒物质还可能导致转移到衬底上的图案的误差。传播通过光刻装置的带外辐射可导致由衬底接收的剂量的增加，这可导致转移到衬底的图案的误差。传播通过光刻装置的带外辐射还可导致衬底所接收的热负荷的增加，这可导致衬底的热变形和随后转移到衬底的图案的误差。
[0008]本专利技术的实施例涉及一种减少(并且可以完全防止)微粒物质和带外辐射传播通过光刻装置的反射镜的新设计。

技术实现思路

[0009]根据本专利技术的第一方面，提供了一种反射镜。所述反射镜可包括：包括多个层的本体；以及由所述本体限定的表面。当具有第一波长的辐射入射到该表面上时，该多个层可以被布置成用作具有所述第一波长的辐射的多层布拉格反射器。表面的局部切面可以相对于多个层的局部切面以非零角度倾斜。
[0010]该辐射可以是电磁辐射，或者可以称为光。
[0011]根据本专利技术第一方面的反射镜可以具有本体，该本体包括被布置用作具有第一波长的辐射的多层布拉格反射器的多个单独层。多个层可以包括与由第二材料形成的层(“第二组”层)交错的由第一材料形成的层(“第一组”层)。可以在第一组的层和第二组的层之间
提供额外的层，以防止在本体的生产过程中材料的混合。
[0012]本体可以限定倾斜表面。特别地，多个层可以限定倾斜表面。
[0013]通常，当具有第一波长的辐射入射到表面上时，入射到多个层的相邻层之间的每个界面上的辐射的一部分可以被反射。应当理解，对于用作具有第一波长的辐射的多层布拉格反射器的多个层，所有这样的反射部分可以是同相的以便相长干涉。
[0014]根据本专利技术的第一方面的反射镜是有利的，因为它可以用作具有第一波长的辐射的反射器(使用多个层作为多层布拉格反射器)，并且此外，因为表面的局部切面相对于多个层的局部切面以非零角度倾斜，所以反射镜还可以用于滤除微粒和具有不同波长的辐射，如现在所讨论的。
[0015]波长大于第一波长的辐射可以被称为具有第二波长的辐射。可能是波长大于第一波长的辐射不能分辨由本体的多个层的层之间的界面限定的结构。因此，当具有大于第一波长的波长的辐射入射到本体的表面上时，该辐射所经历的主要界面可以是该表面和其中设置有反射镜的环境之间的界面(即，该表面)。因此，具有第一波长的辐射将主要从本体的层反射，而具有比第一波长更大的波长的辐射将主要从表面反射。
[0016]微粒物质可以入射到反射镜的表面上。然后，已经与反射镜表面碰撞的微粒物质可以沿至少部分地由表面的局部切面确定的方向从表面偏转。因此，具有第一波长的辐射将主要从本体的层反射，而微粒物质将从表面反射。
[0017]可以产生用于许多工业应用(例如，光刻)的辐射。辐射源可以产生多个波长(或波长范围)的辐射，其中仅一个波长(或波长范围)的辐射是期望的。可以在使用一个或多个反射镜的装置中引导辐射。微粒碎屑可存在于所述一个或多个反射镜附近。导向装置的处于所述光源下游的某些部件的不期望波长的光可能降低装置的性能和/或在装置中引起误差。被引导到装置的处于所述光源下游的某些部件的微粒物质可能降低装置的性能和/或在装置中引起误差。
[0018]因此，可能期望将一个波长的光导向第一位置，同时将其它波长的光导向不同的第二位置。可能还期望具有一种反射镜，其将光引导到第一位置而不将微粒物质引导到所述第一位置。有利地，根据本专利技术第一方面的反射镜被配置为沿第一方向引导具有第一波长的光，同时沿另一方向引导具有第二波长的光。有利地，根据本专利技术第一方面的反射镜被配置为沿第一方向引导具有第一波长的光，同时沿另一方向引导微粒物质。
[0019]本体的多个层通常可以是平坦的，以便形成用于具有第一波长的辐射的不具有光焦度的反射镜。对于这样的实施例，多个层的局部切面对于反射镜的所有部分是相同的。可替换地，多个层可以是弯曲的(凹的或凸的)，以便形成用于具有(正的或负的)光焦度的用于具有第一波长的辐射的反射镜。对于这样的实施例，多个层的局部切面取决于反射镜上的位置，使得多个层的局部切面通常对于反射镜的不同部分是不同的。
[0020]第一波长可以对应于极紫外辐射。
[0021]第二波长可以对应于深紫外辐射。
[0022]第二波长可以对应于红外辐射。
[0023]微粒物质可以指液态锡滴。
[0024]该表面可以由透射极紫外辐射的材料形成。
[0025]该表面可以由透射大于50％的入射极紫外辐射的材料形成。
[0026]该表面可由多层中的一层或多层形成。
[0027]本体还可包括补充构件。补充构件可设置在多个层上。该表面可由补充构件限定。
[0028]如上所述，本体可以限定表面。当提供补充构件时，表面可以不由多个层限定，而是由补充构件限定。即，补充构件可限定其局部切面相对于本体的多个层的局部切面以非零角度倾斜的表面。
[0029]补充构件可以具有在至少一个空间维度上变化的尺寸。
[0030]补充构件可以与补充构件可以设置在其上的多个层的表面不共形。
[0031]补充构件可以由透射极紫外辐射的材料形成。
[0032]补充构件可以由透射大于50％的入射极紫外辐射的材料形成。
[0033]补充构件可以至少部分地由对于极紫外辐射具有小于或等于0.1的消光系数的元件形成。
[0034]补充构件可以由碳(C)，硅(Si)，铌(Nb)，钼(Mo)，钌(Ru)或铑(Rh)中的至少一种形成。
[0035]表面的局部切面可以在大部分表面上相对于多个层的局部切面以非零角度倾斜。
[0036]该多个层和该表面可以被布置成使得：当本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种反射镜，包括：包括多个层的本体；以及由所述本体限定的表面；其中所述多个层被布置成：当具有第一波长的辐射入射到所述表面上时，充当具有所述第一波长的辐射的多层布拉格反射器；以及其中所述表面的局部切面相对于所述多个层的局部切面以非零角度倾斜。2.根据权利要求1所述的反射镜，其中所述表面由透射极紫外辐射的材料形成。3.根据权利要求2所述的反射镜，其中所述表面由透射大于50％的入射极紫外辐射的材料形成。4.根据权利要求1至3中任一项所述的反射镜，其中所述表面由所述多个层中的一层或多层形成。5.根据权利要求1至3中任一项所述的反射镜，其中所述本体还包括设置在所述多个层上的补充构件，并且其中所述表面由所述补充构件限定。6.根据权利要求5所述的反射镜，其中所述补充构件具有在至少一个空间维度上变化的尺寸。7.根据权利要求5或6所述的反射镜，其中所述补充构件与所述补充构件设置在其上的所述多个层的表面不共形。8.根据权利要求5至7中任一项所述的反射镜，其中所述补充构件由透射极紫外辐射的材料形成。9.根据权利要求5至8中任一项所述的反射镜，其中所述补充构件由透射大于50％的入射极紫外辐射的材料形成。10.根据权利要求5至9中任一项所述的反射镜，其中所述补充构件至少部分地由对极紫外辐射具有小于或等于0.1的消光系数的元件形成。11.根据权利要求5至8中任一项所述的反射镜，其中所述补充构件由碳(C)、硅(Si)、铌(Nb)、钼(Mo)、钌(Ru)或铑(Rh)中的至少一种形成。12.根据前述权利要求中任一项所述的反射镜，其中所述表面的所述局部切面在所述表面的大部分上相对于所述多个层的所述局部切面以非零角度倾斜。13.根据前述权利要求中任一项所述的反射镜，其中所述多个层和所述表面被布置成使得：当具有第二波长的辐射入射到所述表面上时，具有所述第二波长的辐射优先从所述表面反射。14.根据前述权利要求中任一项所述的反射镜，其中所述本体设置有帽，所述帽是共形涂层，所述共形涂层被布置成基本平行于所述本体的主要部分，并且其中所述帽限定所述表面。15.根据权利要求14所述的反射镜，其中所述帽由透射极紫外辐射的材料形成。16.根据权利要求15所述的反射镜，其中所述帽由透射大于50％的入射极紫外辐射的材料形成。17.根据权利要求14至16中任一项所述的反射镜，其中所述帽至少部分地由对于极紫外辐射具有小于或等于0.1的消光系数的元件形成。18.根据权利要求14至17中任一项所述的反射镜，其中所述帽由以下各项中的至少一
项形成：锆(Zr)、钇(Y)、钌(Ru)或铑(Rh)；由锆(Zr)、钇(Y)、钌(Ru)或铑(Rh)形成的任何氧化物、氮化物或硼化物陶瓷；或其任何组合。19.根据权利要求14至18中任一项所述的反射镜，其中所述帽被配置为使得：当具有第二波长的辐射入射到所述帽上时，具有所述第二波长的辐射优先从所述帽反射。20.根据前述权利要求中任一项所述的反...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：